一种异质结硅磁敏三极管的制作方法

技术总结
本实用新型公开了一种异质结硅磁敏三极管，所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)，其中，在所述第一硅片(1)上设置有用于检测磁场的硅磁敏三极管。本实用新型所述异质结硅磁敏三极管结构简单，实现了芯片的小型化和集成化。

技术研发人员：赵晓锋;漆园园;刘红梅;温殿忠
受保护的技术使用者：黑龙江大学
技术研发日：2018.12.25
技术公布日：2019.08.09