1.一种晶硅太阳能电池，其特征在于，包括P型基体；
所述P型基体的迎光面向外依次包括N型半导体层及正面电极；
所述P型基体的背光面向外依次包括介质层及背面电极；
所述介质层为带高固定正电荷的介质层；
所述介质层在所述P型基体与所述介质层接触的表面感应形成N型反型层；
所述介质层具有与所述背面电极相配合的图案，使所述背面电极可直接与所述P型基体接触。
2.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池还包括绝缘层；
所述绝缘层设置于所述背面电极与所述N型反型层之间，用于防止所述背面电极与所述N型反型层之间出现电导通。
3.如权利要求2所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池还包括保护层；
所述保护层设置于所述绝缘层及所述介质层表面，用于保护所述绝缘层及所述介质层免受机械划伤及物理化学腐蚀。
4.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述背面电极为金属铝电极。
5.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池还包括钝化层；
所述钝化层设置于所述N型半导体层及所述正面电极之间。
6.如权利要求5所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池还包括减反层；
所述减反层设置于所述钝化层与所述正面电极之间，用于增加进入所述钝化层中的光通量。
7.如权利要求6所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述减反层与所述钝化层为氮化硅。
8.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述介质层的厚度范围为10纳米至100纳米，包括端点值。
9.如权利要求2所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述绝缘层的厚度的范围为2纳米至20纳米，包括端点值。