化合物半导体层叠基板及其制造方法以及半导体元件与流程

文档序号:18820104发布日期:2019-10-09 00:37阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明为化合物半导体层叠基板,是将为包含A和B作为构成元素的相同组成、具有相同的原子排列的2张单晶的化合物半导体基板直接贴合层叠而成的基板,其特征在于,该层叠基板的表面背面为包含A或B的同种的原子的极性面,层叠界面为包含B或A中的任一者的原子之间的键合、并且它们的晶格匹配的单极性的反相位区域边界面。由此,使化合物半导体层叠基板的表面背面的极性面成为单一极性,使半导体元件的工序设计变得容易,同时无需施加复杂的基板加工,可制造低成本、高性能、稳定的半导体元件。

技术研发人员:长泽弘幸;久保田芳宏;秋山昌次
受保护的技术使用者:信越化学工业株式会社;CUSIC股份有限公司
技术研发日:2018.02.15
技术公布日:2019.10.01
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