光电转换元件以及光电转换元件的制造方法与流程

本发明涉及光电转换元件以及光电转换元件的制造方法。

背景技术：

在下述专利文献1中公开了包括以下的工序的太阳能电池的制造方法。首先，在形成光电转换层后，在光电转换层的表面以及侧面形成第一透明电极层。之后，在光电转换层的背面以及侧面形成第二透明电极层。之后，在第二透明电极层上形成金属层。之后，在第一透明电极层上形成基底电极层。之后，通过将基底电极层、金属层浸在电镀液中，并从金属层侧进行供电，由此在光电转换层的侧面同时镀覆与金属层电连接的基底电极层和金属层。之后，将形成在光电转换层的侧面的第一透明电极层、第二透明电极层、金属层、基底电极层除去。

专利文献1:日本特开2015－82603号公报

然而，在以往的太阳能电池的制造方法中，问题在于其制造效率较低。即，在上述以往的制造方法中，为了成为不使形成于光电转换层的表背面且在光电转换层的侧面相互连接的电极短路的结构，需要将最终形成在光电转换层的侧面的第一透明电极层、第二透明电极层、金属层、基底电极层除去的工序，因此导致其制造效率降低。

技术实现要素：

本发明是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于提高光电转换元件的制造效率。

(1)本公开的光电转换元件的制造方法包括：准备半导体基板的工序，上述半导体基板具有n型半导体部和与上述n型半导体部一起构成二极管的p型半导体部；在上述n型半导体部的至少一部分形成n侧基底导电层的工序；在上述p型半导体部的至少一部分形成p侧基底导电层的工序；以及将上述n侧基底导电层和上述p侧基底导电层浸渍于电镀液中，并在上述n侧基底导电层和上述p侧基底导电层仅通过上述二极管电连接的状态下，通过对上述n侧基底导电层进行供电，从而在上述n侧基底导电层的至少一部分和上述p侧基底导电层的至少一部分形成镀层的工序。

(2)在上述光电转换元件的制造方法中，上述光电转换元件可以具有第一主面和与上述第一主面对置的第二主面，上述n型半导体部被设置在上述半导体基板的上述第一主面侧，上述p型半导体部被设置在上述半导体基板的上述第二主面侧，在形成上述n侧基底导电层的工序中，在上述n型半导体部的上述第一主面侧形成上述n侧基底导电层，在形成上述p侧基底导电层的工序中，在上述p型半导体部的上述第二主面侧形成上述p侧基底导电层，在形成上述镀层的工序中，在上述n侧基底导电层的上述第一主面侧和上述p侧基底导电层的上述第二主面侧形成上述镀层。

(3)在上述光电转换元件的制造方法中，上述n型半导体部和上述p型半导体部可以被设置在上述半导体基板的同一主面侧。

(4)在上述光电转换元件的制造方法中，在形成上述n侧基底导电层的工序中，可以使用透明电极层来形成上述n侧基底导电层。

(5)在上述光电转换元件的制造方法中，在形成上述p侧基底导电层的工序中，也可以使用透明电极层来形成上述p侧基底导电层。

(6)在上述光电转换元件的制造方法中，在形成上述p侧基底导电层的工序中，可以使上述p侧基底导电层的膜厚比上述n侧基底导电层的膜厚形成得厚，或者在形成上述n侧基底导电层的工序中，使上述n侧基底导电层的膜厚比上述p侧基底导电层的膜厚形成得薄。

(7)在上述光电转换元件的制造方法中，可以在形成上述镀层的工序中，使形成于上述n侧基底导电层的上述镀层的膜厚比形成于上述p侧基底导电层的上述镀层的膜厚形成得厚。

(8)在上述光电转换元件的制造方法中，可以在准备上述半导体基板的工序中，准备在上述n型半导体部与上述p型半导体部之间具有本征半导体部的半导体基板，上述p型半导体部、上述本征半导体部以及上述n型半导体部构成pin结二极管。

(9)在上述光电转换元件的制造方法中，可以在形成上述n侧基底导电层的工序之前，包括在上述n型半导体部形成第一透明电极层的工序。

(10)在上述光电转换元件的制造方法中，可以在形成上述p侧基底导电层的工序之前，包括在上述p型半导体部形成第二透明电极层的工序。

(11)在上述光电转换元件的制造方法中，可以在形成上述n侧基底导电层的工序之后，包括在上述n型半导体部形成第一绝缘层的工序。

(12)在上述光电转换元件的制造方法中，可以在形成上述p侧基底导电层的工序之后，包括在上述p型半导体部形成第二绝缘层的工序。

(13)本公开的光电转换元件包括：半导体基板，具有n型半导体部和与上述n型半导体部一起构成二极管的p型半导体部；n侧基底导电层，被设置在上述n型半导体部的至少一部分；p侧基底导电层，被设置在上述p型半导体部的至少一部分；第一镀层，被设置在上述n侧基底导电层的至少一部分；以及第二镀层，被设置在上述p侧基底导电层的至少一部分，上述第一镀层的膜厚比上述第二镀层的膜厚厚，上述n侧基底导电层的膜厚比上述p侧基底导电层的膜厚薄。

(14)上述光电转换元件可以具有第一主面和与上述第一主面对置的第二主面，上述n型半导体部被设置在上述半导体基板的上述第一主面侧，上述p型半导体部被设置在上述半导体基板的上述第二主面侧，上述n侧基底导电层被设置在上述n型半导体部的上述第一主面侧，上述p侧基底导电层被设置在上述p型半导体部的上述第二主面侧，上述第一镀层被设置在上述n侧基底导电层的上述第一主面侧，上述第二镀层被设置在上述p侧基底导电层的上述第二主面侧。

(15)在上述光电转换元件中，上述n型半导体部和上述p型半导体部可以被设置在上述半导体基板的同一主面侧。

(16)在上述光电转换元件中，上述n侧基底导电层可以包括透明电极层。

(17)在上述光电转换元件中，上述p侧基底导电层可以包括透明电极层。

(18)在上述光电转换元件中，上述半导体基板可以在上述n型半导体部与上述p型半导体部之间具有本征半导体部，上述p型半导体部、上述本征半导体部以及上述n型半导体部构成pin结二极管。

(19)上述光电转换元件可以还包括设置在上述n侧基底导电层与上述n型半导体部之间的第一透明电极层。

(20)上述光电转换元件可以还包括设置在上述p侧基底导电层与上述p型半导体部之间的第二透明电极层。

(21)上述光电转换元件可以还包括设置于上述第一透明电极层的第一绝缘层。

(22)上述光电转换元件可以还包括设置于上述第二透明电极层的第二绝缘层。

附图说明

图1是表示第一实施方式所涉及的光电转换元件的表面侧的俯视图。

图2是表示第一实施方式所涉及的光电转换元件的背面侧的俯视图。

图3是表示图1中的iii-iii线的剖面的剖视图。

图4是表示第一实施方式所涉及的光电转换元件的制造方法的剖视图。

图5是表示第一实施方式所涉及的光电转换元件的制造方法的剖视图。

图6是表示第一实施方式所涉及的光电转换元件的制造方法的剖视图。

图7是表示第一实施方式所涉及的光电转换元件的制造方法的剖视图。

图8是表示第一实施方式所涉及的光电转换元件的制造方法的剖视图。

图9是表示第一镀层、第二镀层形成步骤的概念图。

图10是第一实施方式的其它实施例所涉及的光电转换元件的剖视图。

图11是第一实施方式的其它实施例所涉及的光电转换元件的剖视图。

具体实施方式

以下，使用附图对本公开的第一实施方式进行说明。

[光电转换元件100]

图1是表示本实施方式所涉及的光电转换元件100的表面侧(入射面侧)的俯视图。图2是表示本实施方式所涉及的光电转换元件100的背面侧的俯视图。图3是表示图1中的iii-iii线的剖面的剖视图。

如图1、图2所示，在光电转换元件100中，在其表背面具有多个母线电极80、82和以与该母线电极80、82交叉的方式设置的多个指形电极90、92。在本公开中，将光电转换元件100的背面定义为第一主面，将表面定义为第二主面。

图3所示，本实施方式中的光电转换元件100具有半导体基板10。半导体基板10在其第一主面侧具有n型半导体部20。半导体基板10在其第二主面侧具有p型半导体部30。在图3中，在下侧显示第一主面侧，在上侧显示第二主面侧。

在该n型半导体部20与p型半导体部30之间形成有pn结。

此外，在图3所示的例子中，在半导体基板10与n型半导体部20、p型半导体部30之间记载了分界线，但也可以是如下的结构：半导体基板10本身为n型半导体或p型半导体，在半导体基板10与n型半导体部20之间或半导体基板10与p型半导体部30之间没有边界。

在n型半导体部20中的第一主面侧，在母线电极82的形成区域中设置有n侧基底导电层40，在p型半导体部30中的第二主面侧，在母线电极80的形成区域中设置有p侧基底导电层50。

而且，在n侧基底导电层40中的第一主面侧设置有第一镀层60，在p侧基底导电层50中的第二主面侧设置有第二镀层70。

该第一镀层60以及n侧基底导电层40构成图2所示的背面侧的母线电极82，第二镀层70以及p侧基底导电层50构成图1所示的表面侧的母线电极80。

在本实施方式中，使设置于第一主面侧的第一镀层60的厚度比设置于第二主面侧的第二镀层70形成得厚。另外，使设置于第一主面侧的n侧基底导电层40的膜厚比设置于第二主面侧的p侧基底导电层50的膜厚形成得薄。此外，各层的厚度能够通过利用电子显微镜观察电极的剖面并测量镀层的厚度求出。

在本实施方式中，设为半导体基板10为n型半导体基板的结构。另外，设为在n侧基底导电层40与n型半导体部20之间还包括第一透明电极层22和设置于第一透明电极层22的第一主面侧的第一绝缘层24，在p侧基底导电层50与p型半导体部30之间还包括第二透明电极层32和设置于第二透明电极层32的第二主面侧的第二绝缘层34的结构。

此外，可以设为使半导体基板10与n型半导体部20之间夹设本征半导体层的结构，也可以设为使半导体基板10与p型半导体部30之间夹设本征半导体层的结构。在使半导体基板10与n型半导体部20之间或半导体基板10与p型半导体部30之间夹设本征半导体的情况下，成为在n型半导体部20与p型半导体部30之间形成pin结的结构。在本公开中，在上述的pn结中也包括该pin结。

[光电转换元件100的制造方法]

以下，使用图3～图9，对本实施方式所涉及的光电转换元件100的制造方法进行说明。图3～图8是表示图1的iii-iii线中的剖面的剖视图。

[半导体基板10准备步骤]

首先，如图4所示，准备半导体基板10。作为半导体基板10，例如能够使用单晶硅基板、多晶硅基板等硅基板。从晶体基板内的载流子寿命的长度来看，优选单晶硅基板。作为硅基板，能够使用n型硅基板和p型硅基板。尤其从结晶基板内的载流子寿命的长度来看，优选使用n型单晶硅基板。即，在p型单晶硅中，存在通过光照射而作为p型掺杂剂的b(硼)受到影响，发生成为复合中心的lid(lightinduceddegradation：光致衰退效应)的情况，但通过使用n型单晶硅基板作为半导体基板10，能够抑制lid的产生。在本实施方式中，使用n型单晶硅基板作为半导体基板10。

作为使用于半导体基板10的单晶硅基板，优选膜厚为50～300μm，更优选为60～200μm，进一步优选为70～180μm。通过使用该范围的膜厚的基板，能够进一步减少材料成本。

半导体基板10从陷光的观点来看，优选入射面侧具有被称为纹理构造的凹凸构造。

另外，优选半导体基板10的第一主面侧以及第二主面侧具有钝化层。钝化层能够抑制载流子复合，只要能够使表面缺陷终端则不管种类，优选使用本征半导体层，尤其优选使用本征非晶硅层。

[n型半导体部20形成步骤]

接下来，如图5所示，在半导体基板10的第一主面侧，即背面侧形成n型半导体部20。

作为形成n型半导体部20后所使用的材料，优选包括非晶硅薄膜、微晶硅等含有非晶成分的非晶硅层。另外，作为掺杂剂杂质，能够使用p(磷)等。

对n型半导体部20的制膜方法没有特别限定，但例如能够使用cvd法(chemicalvapordeposition：化学气相沉积)。在使用cvd法的情况下，使用sih4气体作为掺杂剂添加气体，优选使用氢稀释后的ph3。此外，由于掺杂剂杂质的添加量可以很小，所以优选使用预先用sih4、h2稀释后的混合气体。在n型半导体部20的制膜时，也能够通过添加ch4、co2、nh3、geh4等含有不同种类的元素的气体使硅系薄膜合金化来变更硅系薄膜的能隙。另外，为了提高光的透过性而可以微量添加氧、碳这样的杂质。该情况下，能够通过在cvd制膜时导入将co2、ch4这样的气体而形成。

此外，作为半导体基板10，在使用了p型多晶硅基板的情况下，通过使n型掺杂剂扩散到半导体基板10的第一主面侧并进行n型化，从而形成n型半导体部20。

[p型半导体部30形成步骤]

另外，如图5所示，在半导体基板10的第二主面侧，即表面侧形成p型半导体部30。此外，该p型半导体部30形成步骤可以在上述的n型半导体部20形成步骤之前进行，也可以在n型半导体部20形成步骤之后进行。

作为形成p型半导体部30后所使用的材料，优选含有非晶硅薄膜、微晶硅(含有非晶硅和晶质硅的薄膜)等含有非晶成分的非晶硅层。另外，作为掺杂剂杂质，能够使用b(硼)等。

对p型半导体部30的制膜方法没有特别限定，但例如能够使用cvd法。在使用cvd法的情况下使用sih4气体，作为掺杂剂添加气体，优选使用氢稀释的b2h6。此外，由于掺杂剂杂质的添加量可以很小，所以优选使用预先用sih4、h2稀释的混合气体。在p型半导体部30的制膜时，也能够通过添加ch4、co2、nh3、geh4等含有不同种类的元素的气体使硅系薄膜合金化来变更硅系薄膜的能隙。另外，为了提高光的透过性，也可以微量添加氧、碳这样的杂质。在该情况下，能够通过在cvd制膜时导入co2、ch4这样的气体而形成。

此外，在使用p型多晶硅基板作为半导体基板10的情况下，成为半导体基板10的第二主面侧已经成为p型半导体部30且p型半导体部30包含在半导体基板10内的结构。该情况下，不需要p型半导体部30形成步骤。

[第一透明电极层22、第二透明电极层32形成步骤]

接下来，如图6所示，通过溅射法、mocvd法等在n型半导体部20的第一主面侧形成第一透明电极层22，在p型半导体部30的第二主面侧形成第二透明电极层32。第一透明电极层22形成步骤只要是在n型半导体部20形成步骤之后即可，也可以在p型半导体部30形成步骤之前。另外，第二透明电极层32形成步骤只要是在p型半导体部30形成步骤之后即可，也可以在n型半导体部20形成步骤之前。

作为第一透明电极层22、第二透明电极层32的构成材料，使用氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化钛以及它们的复合氧化物等透明导电性金属氧化物。另外，也可以是由石墨烯那样的非金属构成的透明导电性材料。即使在上述的构成材料中，从高的电导率和透明性的观点来看，优选将以氧化铟为主成分的铟系复合氧化物用作第一透明电极层22、第二透明电极层32。另外，为了确保可靠性、更高电导率，还优选在铟氧化物中添加掺杂剂来使用。作为用作掺杂剂的杂质，例举sn、w、ce、zn、as、al、si、s、ti等。

[n侧基底导电层40、p侧基底导电层50形成步骤]

接下来，如图7所示，在第一透明电极层22的第一主面侧中的母线电极82的形成区域形成n侧基底导电层40，在第二透明电极层32的第二主面侧中的母线电极80的形成区域形成p侧基底导电层50。n侧基底导电层40、p侧基底导电层50是在后述的第一镀层60、第二镀层70形成工序中作为导电性的基底层发挥作用的层，是成为使第一镀层60、第二镀层70析出的电极的层。

n侧基底导电层40形成步骤是在n型半导体部20形成步骤之后进行，在设置第一透明电极层22的情况下，在第一透明电极层22形成步骤之后进行。n侧基底导电层40形成步骤也可以在p型半导体部30形成步骤之前进行。p侧基底导电层50形成步骤在p型半导体部30形成步骤之后进行，在设置第二透明电极层32的情况下，在第二透明电极层32形成步骤之后进行。p侧基底导电层50形成步骤也可以在n型半导体部20形成步骤之前进行。

作为n侧基底导电层40、p侧基底导电层50的材料，例如能够使用ni、cu、ag、au、pt，或者它们的合金等，只要具有能够作为电解镀覆法中的基底层发挥作用的程度的电导率，则没有特别限定。优选n侧基底导电层40、p侧基底导电层50的体积电阻率为10-4ω·cm以上且10-2ω·cm以下。如果是该范围，则能够作为导电性的基底层充分地发挥作用。此外，在本实施方式中，n侧基底导电层40、p侧基底导电层50具有比第一透明电极层22、第二透明电极层32高的电导率。

作为n侧基底导电层40、p侧基底导电层50的形成方法，例如能够使用喷墨法、丝网印刷法、导线粘接法、喷雾法、真空蒸镀法、溅射法、电解镀覆法、无电解镀覆法等。从成本以及量产性的观点来看，优选利用丝网印刷法印刷含有上述的基底导电层的材料的糊剂。

此外，在本实施方式中，使n侧基底导电层40的膜厚比p侧基底导电层50的膜厚形成得薄。通过成为这样的膜厚关系，能够减小后述的第一镀层60、第二镀层70形成步骤中形成的母线电极80的膜厚和母线电极82的膜厚之差。

此处，形成有n侧基底导电层40、p侧基底导电层50的未完成的光电转换元件100a针对其主面的垂线方向成为二极管，从p侧基底导电层50到n侧基底导电层40的方向为二极管的正向。

[第一绝缘层24、第二绝缘层34形成步骤]

接下来，如图8所示，在第一透明电极层22的第一主面侧形成第一绝缘层24，在第二透明电极层32的第二主面侧形成第二绝缘层34。第一绝缘层24形成步骤只要在n侧基底导电层40形成步骤之后进行即可，也可以在p型半导体部30形成步骤之前进行。第二绝缘层34形成步骤只要在p侧基底导电层50形成步骤之后进行即可，也可以在n型半导体部20形成步骤之前进行。

第一绝缘层24、第二绝缘层34也可以通过光致抗蚀剂材料等通过满足规定的条件而能够除去的层形成。在由光致抗蚀剂材料形成第一绝缘层24、第二绝缘层34的情况下，光的照射引起构造变化，容易被特定的药品溶解。

在本实施方式中，第一绝缘层24、第二绝缘层34使用具有对在后述的第一镀层60、第二镀层70形成工序中使用的电镀液的化学稳定性的材料来形成。通过使用这样的材料，在第一镀层60、第二镀层70形成工序时，第一绝缘层24、第二绝缘层34不易溶解，能够抑制产生对半导体基板10、n型半导体部20、p型半导体部30的损伤。

第一绝缘层24、第二绝缘层34的形成所使用的光致抗蚀剂材料只要具备上述的性质则没有特别限定，但如果是正型则能够使用酚醛清漆树脂、苯酚树脂等，如果是负型则能够使用丙烯酸树脂等。

另外，作为将第一绝缘层24、第二绝缘层34除去的除去液，例如能够使用含有四甲基氢氧化铵、烷基苯磺酸、乙醇胺类、氢氧化钠等的溶液等。

在本实施方式中，使用正型的酚醛清漆树脂作为光致抗蚀剂材料，使用氢氧化钠水溶液作为除去液。

第一绝缘层24、第二绝缘层34也可以由sio、sin、sion等无机绝缘膜形成。形成无机绝缘膜的方法没有特别限制，但优选通过能够进行精密的膜厚控制的cvd法的制膜。如果是cvd法，则能够在材料气体、制膜条件的控制中进行膜质控制。

[第一镀层60，第二镀层70形成步骤]

接下来，如图3所示，在n侧基底导电层40的第一主面侧形成第一镀层60，在p侧基底导电层50的第二主面侧形成第二镀层70。第一镀层60、第二镀层70形成步骤在n侧基底导电层40、p侧基底导电层50形成步骤之后进行。

作为第一镀层60、第二镀层70的材料，例如能够使用ni、cu、ag、au、pt，或者它们的合金等。尤其从成本的观点来看，优选使用cu。

图9是表示该第一镀层60、第二镀层70形成步骤的概念图。

如图9所示，在镀槽110内，将第一绝缘层24、第二绝缘层34形成步骤后的未完成的光电转换元件100a浸在电镀液120中。作为电镀液120，例如能够使用溶解金属盐的电镀液，具体而言，能够使用硫酸铜电离出的硫酸铜水溶液等。即，在本实施方式中，在电镀液120中，铜离子和硫酸离子电离。在图9中，对于未完成的光电转换元件100a，显示出与图8所示的剖面正交的侧面。

在镀槽110内配置有作为平板上的导电体的第一镀覆电极130和第二镀覆电极140。第一镀覆电极130被配置成与n侧基底导电层40对置，第二镀覆电极140被配置成与p侧基底导电层50对置。第一镀覆电极130和第二镀覆电极140由电镀所使用的金属单体或者金属合金形成。在本实施方式中，由于使用硫酸铜作为电镀液120，所以能够使用铜等作为第一镀覆电极130、第二镀覆电极140。

第一镀覆电极130和第二镀覆电极140与电源150的正极连接，成为阳极。第一镀覆电极130和第二镀覆电极140具有覆盖半导体基板10的大致整个面的程度的大小。

在电源150的负极连接供电部件160，经由该供电部件160对n侧基底导电层40进行供电。此时，n侧基底导电层40和p侧基底导电层50是仅通过包括n型半导体部20和p型半导体部30而构成的二极管电连接的状态。

即，是满足如下的三个条件的状态。

(1)n侧基底导电层40和p侧基底导电层50不通过光电转换元件100的构成不需要的导电性层等电连接。

(2)在施加电位使得p侧基底导电层50相对于n侧基底导电层40的电位为正向下降电压以上的情况下，电流经由包括n侧基底导电层40和p侧基底导电层50而构成的二极管流到p侧基底导电层50。

(3)供电部件160和等电位的供电部件不与p侧基底导电层50连接。

通过来自该n侧基底导电层40侧的供电，在n侧基底导电层40露出的表面形成图3所示的第一镀层60。而且，由于在上述的n型半导体部20与p型半导体部30之间沿二极管的正向流动电流，所以即使在p侧基底导电层50露出的表面中，也同时形成图3所示的第二镀层70。

根据这样的制造方法，对于n侧基底导电层40和p侧基底导电层50，不形成光电转换元件100的构成不必要的导电性层，而能够同时形成第一镀层60和第二镀层70。其结果为，在第一镀层60、第二镀层70形成步骤之后无需设置除去那样的不必要的导电性层的工序，所以能够制造效率较高地获得光电转换元件100。

此外，在本实施方式中，例示出包含n型半导体部20和p型半导体部30而构成的二极管为pn结的情况，但在n型半导体部20与p型半导体部30之间夹设本征半导体部，由n型半导体部20、本征半导体部、p型半导体部30构成的二极管也可以是pin结。

此外，在第一镀层60、第二镀层70形成步骤中，由于从n侧基底导电层40侧供电，所以形成于n侧基底导电层40露出的表面的第一镀层60的形成速度比形成于p侧基底导电层50露出的表面的第二镀层70的形成速度快。其结果为，第一镀层60的膜厚比第二镀层70的膜厚厚。另一方面，在n侧基底导电层40、p侧基底导电层50形成步骤中，如上述那样使n侧基底导电层40的膜厚比p侧基底导电层50的膜厚形成得薄。通过成为这样的膜厚关系，能够减小由第一镀层60和n侧基底导电层40构成的母线电极80的膜厚和由第二镀层70和p侧基底导电层50构成的母线电极82的膜厚之差。

此外，在使用图3等上述的实施例中，对在n型半导体部20的第一主面侧形成第一透明电极层22、n侧基底导电层40，在p型半导体部30的第二主面侧形成第二透明电极层32、p侧基底导电层50的例子进行了说明，但本公开并不限于该例子。

例如，如图10所示，也可以为在n型半导体部20a的第一主面侧使用透明电极层来形成n侧基底导电层40a，在p型半导体部30a的第二主面侧使用透明电极层来形成p侧基底导电层50a的结构。作为n侧基底导电层40a、p侧基底导电层50a的形成方法，只要在第一透明电极层22、第二透明电极层32形成步骤中使用上述的方法即可。在采用这样的结构的情况下，接下来，在使用透明电极层所形成的n侧基底导电层40a的第一主面侧形成具有开口部的第一绝缘层24a。同样地，在使用透明电极层所形成的p侧基底导电层50a的第二主面侧形成具有开口部的第二绝缘层34a。而且，在上述的镀层形成工序中，从由透明电极层构成的n侧基底导电层40a侧供电，施加电位以使得p侧基底导电层50a相对于n侧基底导电层40a的电位为正向下降电压以上。由此，电流经由包含n侧基底导电层40a和p侧基底导电层50a而构成的二极管流到p侧基底导电层50a。其结果为，通过来自n侧基底导电层40a侧的供电，能够在n侧基底导电层40a露出的表面形成第一镀层60a，并在p侧基底导电层50a露出的表面形成第二镀层70a。

此外，在图10所示的实施例中，包含n型半导体部20a和p型半导体部30a而构成的二极管也可以是pn结，也可以是pin结。

此外，在使用图3等上述的实施例中，对在半导体基板10的第一主面侧形成n型半导体部20，在半导体基板10的第二主面侧形成p型半导体部30的例子进行了说明，但本公开并不限于该例子。

例如如图11所示，也可以为在半导体基板10b的第一主面侧(本实施例背面侧)形成有n型半导体部20b以及p型半导体部30b的所谓的背接触型的结构。在采用该结构的情况下，在n型半导体部20b中的第一主面侧形成n侧基底导电层40b以及p侧基底导电层50b。n侧基底导电层40b、p侧基底导电层50b的形成方法能够采用在n侧基底导电层40、p侧基底导电层50形成步骤中上述的方法。而且，在镀层形成工序中，通过来自n侧基底导电层40b侧的供电，施加电位以使得p侧基底导电层50b相对于n侧基底导电层40b的电位为正向下降电压以上。由此，电流经由包含n侧基底导电层40b和p侧基底导电层50b而构成的二极管流到p侧基底导电层50b。其结果为，能够通过来自n侧基底导电层40b侧的供电，在n侧基底导电层40b露出的表面以及p侧基底导电层50b露出的表面同时形成镀层。

此外，在图11所示的实施例中，包含n型半导体部20b和p型半导体部30b而构成的二极管也可以是pn结，也可以是pin结。即，也可以为在半导体基板10b与n型半导体部20b之间夹设本征半导体部72，在半导体基板10b与p型半导体部30b之间夹设本征半导体部74的结构。

另外，在图11所示的实施例中，由于也是在第一镀层60b、第二镀层70b形成步骤中从n侧基底导电层40b侧供电，所以形成于n侧基底导电层40b露出的表面的第一镀层60b的形成速度快于形成于p侧基底导电层50b露出的表面的第二镀层70b的形成速度。其结果为，第一镀层60b的膜厚比第二镀层70b的膜厚厚。因此，在形成n侧基底导电层40b以及p侧基底导电层50b的工序中，优选使n侧基底导电层40b的膜厚比p侧基底导电层50b的膜厚形成得薄。通过成为这样的膜厚关系，能够减小由第一镀层60b和n侧基底导电层40b构成的母线电极的膜厚和由第二镀层70b和p侧基底导电层50b构成的母线电极的膜厚之差。

此外，在使用图11上述的背接触型的结构中，也可以为在n型半导体部20b的第一主面侧使用透明电极层来形成n侧基底导电层40b，在p型半导体部30b的第二主面侧使用透明电极层来形成p侧基底导电层50b的结构。