1.一种半导体发光元件，其包括键合衬底，所述的半导体发光元件的键合衬底包括第一表面和第二表面，第一表面上的多层金属层，多层金属层上的半导体发光序列，所述的键合衬底的边缘形成台阶结构，以使键合衬底的第一表面的边缘部分未被覆盖。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述键合衬底的边缘的台阶结构宽度至少2微米，更有选地为2-10微米，更优选地，为3-6微米。
3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的多层金属层边缘形成第二台阶结构，第二台阶结构形成为多层金属层边缘上的半导体发光序列被去除，其宽度为1.5-10微米，更优选地，所述的台面面积为3-8微米。
4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，其中所述的键合衬底侧壁表面具有相对平坦的第一部分和不平坦的第二部分。
5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的键合衬底侧壁表面不平坦的第二部分为不平整的凸凹结构。
6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的表面不平坦的第二部分靠近键合衬底的第一表面或进一步地延伸至第一表面。
7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的表面不平坦的第二部分靠近键合衬底的第二表面或延伸至第二表面。
8.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述侧壁的表面不平坦的第二部分位于相对于第一表面深度至1/3-1/2位置，靠近第一表面侧和第二表面侧为相对平坦的第一部分。
9.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的半导体发光元件的键合衬底为非金属衬底。
10.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的半导体外延发光序列的为基板的纵向投影面积比至少为50%。
11.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的半导体外延发光序列的基板的纵向投影面积比至少为70%或80%。
12.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的半导体发光元件的半导体发光序列与多层金属层之间至少部分界面存在透明绝缘层，所述的透明绝缘层为一层或多层。
13.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的半导体发光元件为砷化镓基发光元件。
14.根据权利要求13所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的半导体发光序列与透明绝缘层之间存在电流扩展层。
15.根据权利要求13所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的第二台阶结构为形成在电流扩展层上，电流扩展层边缘的半导体发光序列被去除。
16.根据权利要求13或16所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的半导体发光元件的多层金属层或透明绝缘层或电流扩展层至少之一延衬底方向的投影面积是变化的，或边缘形成至少一台阶结构。
17.根据权利要求13或16所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的半导体发光元件的多层金属层或透明绝缘层或电流扩展层至少之一延衬底方向的投影面积变化是呈现增加趋势。
18.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的多层金属层包括键合层、金属反射层、欧姆接触层至少一种。
19.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的非金属衬底为导电性衬底，与半导体发光序列相反一侧有导电金属层。
20.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的导电性衬底为吸收激光镭射的衬底。
21.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的导电性衬底为硅或碳化硅衬底。
22.一种半导体发光元件的制备方法，其包括如下步骤：（1）准备待切割前的半导体发光元件所述的半导体发光元件的键合衬底包括第一表面和第二表面，第一表面上的多层金属层，多层金属层上的半导体发光序列；（2）蚀刻半导体发光序列形成第一平台；（3）沿着第一平台进一步蚀刻去除多层金属层，露出基板形成第二平台区域；（4）沿着第二平台区域分离半导体发光元件以获得单一的芯片结构。
23.根据权利要求22所述的制备方法，其特征在于：所述多层金属反射层与半导体发光序列之间部分区域还有绝缘保护层，所述的制备方法还包括在步骤（3）中蚀刻去除所述的绝缘保护层。
24.根据权利要求22所述的制备方法，其特征在于：所述的划裂步骤包括激光划裂或激光隐切。
25.根据权利要求23所述的制备方法，其特征在于：所述的绝缘保护层可为一层或多层，所述的蚀刻方法为干法蚀刻。
26.根据权利要求24所述的制备方法，其特征在于：所述的步骤（3）中去除多层金属层的方法为湿法蚀刻或干湿法蚀刻结合的方式。