具备吸附力控制的静电吸附基板支撑件的制作方法

本文所述实施例概略关于半导体组件制造，且特定地，关于用以控制在静电吸附(electrostaticchucking，esc)基板支撑件与其上设置的基板之间的接触力的方法及设备。

背景技术：

静电吸附(esc)基板支撑件(广泛熟知为静电卡盘)被使用在半导体组件制造中，利用静电吸附(esc)力，将基板牢固地保持在处理腔室的处理容积内的处理位置中。吸附力是提供给嵌入在基板支撑件的介电材料中的吸附电极的dc(直流)电压与被设置在介电材料的表面上的基板之间的电势的函数。

在处理腔室的处理容积中存在的低压大气导致基板支撑件的介电材料与基板之间的不良热传导。不良热传导降低了基板支撑件在加热或冷却基板以将该基板维持在期望的温度(或在期望的温度范围内)上的有效程度。因此，在一些工艺中，将导热的惰性气体(例如氦)导入设置在该基板的非有效(non-active)表面与该基板支撑件之间的背侧容积中，以改善两者之间的热传递。相较于处理容积中的压力(处理压力)，较高的该背侧容积的压力(背侧压力)在该基板上施加一背侧力，其与由吸附电极所施加的吸附力相反。吸附力与背侧力之间的差包含在基板与基板支撑件表面之间的接触力。

不幸地，在基板与基板支撑件表面之间的过量接触力导致在基板的非有效表面上的不期望刮伤(或孔蚀)、基板支撑件的介电材料的不期望的磨损、或两者。从该刮伤或从基板支撑件的磨损的介电材料产生的微粒材料最终从基板支撑件或基板的非有效表面转移至该基板的有效表面或至其他基板。此种微粒转移(其可能发生在腔室中或在后续的运送及处理操作中)最终抑制了从具有被移转到其上的微粒的基板而生的装置良率(deviceyield)。

因此，本领域中需要有改善的方法及设备，来控制静电吸附(esc)基板支撑件与设置在其上的基板之间的接触力。

技术实现要素：

本文描述的实施例涉及用来监测并控制基板与和该基板直接接触的基板支撑件的升高表面之间的接触力的方法及设备。

在一个实施例中一种用于处理基板的方法包括下列步骤：将该基板定位在基板支撑件的有图案的表面上，其中该基板支撑件被设置在处理腔室的处理容积中，对设置在该基板支撑件中的吸附电极施加吸附电压；将气体流通至设置在该基板及该基板支撑件之间的背侧容积中，监测该基板的偏斜量，以及基于该基板的该偏斜量来改变吸附参数。

在另一个实施例中一种计算机可读取介质具有存储于其上的指令，该指令用于一种用于处理基板的方法。该方法包括下列步骤：将该基板定位在基板支撑件的有图案的表面上，其中该基板支撑件被设置在处理腔室的处理容积中，对设置在该基板支撑件中的吸附电极施加吸附电压；将气体流通至设置在该基板及该基板支撑件之间的背侧容积中，监测该基板的偏斜量，以及基于该基板的该偏斜量来改变吸附参数。

在另一个实施例中，一种用于处理一基板的设备配备有基板支撑件及传感器，该传感器至少部分地设置在该基板支撑件中。该基板支撑件包括有图案的表面，该有图案的表面具有从该有图案的表面的凹陷表面延伸出的升高特征。该升高特征的接触基板表面面积比将被处理的基板的非装置侧表面面积的大约30％更小。该传感器经配置以监测具有被施加于其上的吸附力的将被处理的基板的偏斜量。

附图说明

为使本公开的上述特征能被详细地了解，将参照实施例给出以上所简短摘要的本公开的更具体的说明，部分的实施例在所附附图中描绘出。然而，将注意所附附图仅描绘示例性的实施例，因此不应被认为限制了其范围，并且可以允许其他同等有效的实施例。

图1a是根据一个实施例的基板处理腔室的示意性截面图，该基板处理腔室经配置以实现本文阐述的方法。

图1b是设置在图1a中所示的处理腔室中的基板支撑件的一部分的放大视图。

图1c是图1a中所示的基板支撑件在其上没有设置基板的情况下的示意性平面图。

图2是阐述根据一个实施例的处理基板的方法的流程图。

图3a-3b描绘根据一个实施例的在图2所阐述的方法的元素。

为了促进理解，在可能之处使用了相同的附图标记来指称附图中共有的相同组件。可以想到，在没有特别说明的情况下，在一个实施例中公开的组件及特征可以有益地并入其他实施例中。

具体实施方式

本文描述的实施例涉及用来监测并控制基板与和该基板直接接触的基板支撑件的升高表面之间的接触力的方法及设备。具体地，本文中的实施例使用设置在基板支撑件中的传感器以及本文中所述的方法，通过从被吸附的基板的未被吸附的基板平面监测该基板的偏斜量，来期望地控制接触力。

典型地，在等离子体处理腔室的处理容积中的低压大气导致基板与处理期间该基板设置于其上的esc基板支撑件的介电材料之间的不良热传导。为了改善基板与esc基板支撑件之间的热传递，导热惰性气体(诸如氦)被导入设置在该基板与该esc基板支撑件之间的基板背侧容积中。通常，背侧容积中的气体的压力将超过处理容积的气体压力。因此，由吸附电极对基板施加的吸附力必须超过由背侧容积中的气体压力在该基板上所施的力，以避免基板在卡盘上移动。将基板朝基板支撑件拉的吸附力与将该基板自该基板支撑件推离的背侧力(由背侧容积中的气体压力在该基板上所施的力)之间的差异，在该基板与和该基板直接接触的基板支撑件表面之间产生了接触力。

当接触力显著地超过将基板牢固地保持在用于该基板的处理的位置所需要的最小接触力时，在基板与基板支撑件之间造成过量的接触力。在基板与基板支撑件之间的过量接触力导致在基板的非有效表面上的不期望的刮伤或孔蚀与基板支撑件的基板支撑表面的不期望的磨损中的一或两者。从刮伤基板所产生的材料成为在基板的非有效表面上与在基板支撑件上的松散的颗粒(looseparticles)。该些松散的颗粒在运送或后续处理期间最终转移到该基板的有效表面或是到另一基板。这种在基板的有效表面上增加的缺陷度负面地影响了来自基板的装置良率。进一步，基板支撑件的表面的不期望的磨损减少了静电卡盘的使用寿命。因此，本文中提供的设备及方法促进了对基板支撑件与设置在其上的基板之间接触力的原位监测及控制。

图1a是根据一个实施例的等离子体处理腔室的示意性截面图，该等离子体处理腔室经配置以实现本文阐述的方法。图1b是设置在图1a中所示的该基板支撑件的一部分及设置在其上的的该基板的放大图。图1c是在其上没有设置基板的图1a中所示的基板支撑件的示意性平面图。

在此实施例中，该处理腔室是等离子体蚀刻处理腔室，诸如反应性离子蚀刻(rie)等离子体腔室。在其他实施例中，该处理腔室是等离子体增强沉积腔室，例如等离子体增强化学气相沉积(pecvd)腔室、等离子体增强物理气相沉积(pepvd)腔室、或等离子体增强原子层沉积(peald)腔室。在其他实施例中，该处理腔室是等离子体处置腔室，或是基于等离子体的离子植入腔室，例如等离子体掺杂(plad)腔室，或是物理气相沉积腔室。在本文中，处理腔室包括电感耦合等离子体(icp)源，其电耦接至射频(rf)电源。在其他实施例中，该等离子体源是电容耦合等离子体(ccp)源，诸如设置在处理容积中面向该基板支撑件的等离子体电极，其中该等离子体电极电耦接至rf电源。

处理腔室100以腔室体102为特征，该腔室体包括腔室盖104、一个或更多个侧壁106、及腔室基部108，以上一起限定了处理容积110。处理容积110流体耦接至处理气体来源112，该处理气体来源将处理气体传送至处理容积110中。处理腔室100进一步包括等离子体生成器114，该等离子体生成器114经配置以点燃该处理气体并从该处理气体维持等离子体116。等离子体生成器114包括设置在处理容积110外侧接近腔室盖104的一个或更多个电感线圈118。一个或更多个电感线圈118通过rf匹配电路122电耦接至rf电源120。等离子体生成器114被用来利用处理气体及由电感线圈118产生的电感能量来点燃并维持等离子体116，电感线圈118是由rf电源120所供电。本文中，处理容积110流体耦接至真空源(诸如，一个或更多个专用真空泵)，以将处理容积110维持于次大气压力并从处理容积110排空处理气体及其他气体。

在本文的实施例中，处理腔室100进一步包括设置在处理容积110中的基板支撑组件124。基板支撑组件124倍设置在可移动支撑轴126上，可移动支撑轴126密封地延伸通过腔室底部108，诸如在腔室底部108下方的区域中或是被设置在基板支撑组件124与腔室底部108之间的区域中被波纹管(未图示)围绕。

基板支撑组件124包括冷却底座128及热耦合至冷却底座128且设置在冷却底座128上的基板支撑件130。冷却底座128被用来在基板处理期间调节基板支撑件130的温度，以及由此调节设置在基板支撑件130上的基板132的温度。在一些实施例中，冷却底座128包括设置在其中的一个或多个冷却通道134，该些冷却通道流体耦接至冷却剂来源(未图示)并且与冷却剂来源流体连通，该冷却剂来源为诸如具有相对较高的电阻值的冷冻剂来源或是改良水来源。典型地，冷却底座128由抗蚀导热的材料形成，诸如抗蚀金属(例如铝、铝合金、或不锈钢)。基板支撑件130由介电材料形成，诸如大块烧结陶瓷材料，诸如碳化硅(sic)或金属氧化物或金属氮化物陶瓷材料，例如氧化铝(al2o3)、氮化铝(aln)、氧化钛(tio)、氮化钛(tin)、氧化钇(y2o3)、其混合物，及以上的组合。基板支撑件130是利用黏着剂或通过机械手段热耦合至冷却底座。

在一些实施例中，基板支撑件130包括被嵌入在基板支撑件130的介电材料中的加热元件136。加热元件136用于在处理之前将基板支撑件130加热(由此将基板132加热)至期望的温度，以及在处理期间将基板132维持在期望的温度。在一些实施例中，基板支撑组件124包括加热元件136及冷却通道134两者，以促进基板支撑件温度的精细控制。

本文中，基板支撑件130包括一个或更多个吸附电极138a-b，该一个或更多个吸附电极138a-b嵌入在基板支撑件130的介电材料中。通过在基板132与吸附电极138之间提供电势，一个或更多个吸附电极138a-b被用于来将基板132固定至基板支撑件130。基板132与一个或更多个吸附电极138a-b之间的电势造成基板132与一个或更多个吸附电极138a-b之间的静电吸附(esc)吸引力。本文中，一个或更多个吸附电极138a-b电耦接至分别的吸附电源140a-b(诸如dc电源)，该吸附电源140a-b对该吸附电极138a-b提供在大约-5000v与大约+5000之间的吸附电压。

在一些实施例中，基板支撑件130包含嵌入在该基板支撑件的介电材料中的至少两个电极(诸如第一电极138a和第二电极138b)。在那些实施例中，该至少两个电极138a-b通过其间设置的基板支撑件130的介电材料而彼此电隔离。在那些实施例中的一些实施例中，该电极中的每一个耦接至对应的dc电源140a-b，其中该对应的dc电源140a-b中的每一个对其分别耦接至的第一电极138a和第二电极138b提供彼此具相反极性的电压。

典型地，基板132通过一个或更多个侧壁106中的一个中的开口(未图示)装载至处理容积110中，该开口通常在基板处理期间利用门或阀(未图示)被密封。多个升举销142可移动地设置为穿过基板支撑组件124，以促进将基板132传送至基板支撑组件124或自基板支撑组件124传送。当多个升举销142在升高的位置中时，它们延伸到基板支撑件130的有图案的表面144上方，从该有图案的表面升起基板132并使得能通过机械运送器(未图示)触及基板132。当多个升举销142在降低的位置中时，多个升举销142的上表面与基板支撑件130的有图案的表面144以及其上靠置的基板132齐平或是被设置在基板支撑件130的有图案的表面144以及其上靠置的基板132下方。

基板支撑件130的有图案的表面144(在图1c的示意性平面图中示出)包括从该有图案的表面144的凹陷表面146延伸的多个升高特征。该升高特征形成当基板设置在其上时的基板接触表面。在本文中，该升高特征包括多个突起部148、设置在接近基板支撑件130的周围的一个或更多个密封带150a-b、以及围绕多个分别的升举销开口154(在图1c中示出)沿周围地且同轴地设置的多个密封唇152。当基板132被吸附至基板支撑件130时，多个突起部148(至少)保持基板132与凹陷表面146有间隔。当基板132被吸附至基板支撑件130时，该多个升高特征、凹陷表面146、及基板132的非装置侧表面一起限定了背侧容积156的边界表面。在基板处理期间，热传递气体(在本文中为导热的惰性气体，例如氦或氩)被用来通过促进基板132与基板支撑件130之间的热转移，将基板132热耦合至基板支撑件130。在一些实施例中，通过基板支撑件130中形成的多个气体端口158(图1c中所示)将热传递气体传送至背侧容积156，该多个气体端口158与背侧气体源160流体连通。

在此，多个突起部148包含具有平均直径d1、中心到中心(ctc)间隔d2、及高度h(显示在图1a中)的圆柱形状的台面，平均直径d1在大约500μm与大约5mm之间，ctc间隔d2在大约1mm与大约40mm之间(诸如，大约5mm与大约20mm之间)，高度h(图1a中示出)在大约3μm与大约700μm之间，诸如在大约3μm与大约100μm之间，诸如大约3μm与大约50μm之间，诸如大约3μm与20μm之间，或大于大约3μm。在其他实施例中，多个突起部148包含延伸超出凹陷表面146以支撑基板132的任何其他适当的形状，诸如正方形或矩形的块体、圆锥、楔形、金字塔形、钉柱、圆柱形小丘、或其他具有不同尺寸的突起部，或是以上的组合。

当基板132被吸附至基板支撑件130时，一个或更多个密封带150a-b及多个密封唇152避免(或显著地减缩)气体从基板132与基板支撑件130之间的背侧容积156流动至处理容积110中。一个或更多个密封带150a-b包括第一密封带150a及第二密封带150b。第一密封带150a围绕有图案的表面144的中心同心地设置并接近有图案的表面144的外圆周。第二密封带150b从第一密封带150a朝内径向同心地设置并接近第一密封带150a。一个或更多个密封带150a-b典型具有大致矩形的截面轮廓线，具有高度h及在大约500μm与大约5mm之间的宽度。

在此，多个密封唇152包含围绕分别的升举销开口154(图1c中所示)的中心轴共轴地设置的环形圈，该升举销开口154通过基板支撑件130的介电材料形成。多个密封唇152典型具有跨该环形圈的内径与外径的大致矩形形状的截面轮廓线，具有高度h及大约500μm与大约5mm之间的宽度。

在一些实施例中，基板支撑件130是低接触表面面积的基板支撑件。例如，在一些实施例中，该多个升高特征的接触基板表面总和地包含接触表面面积，该接触表面面积为小于该多个升高特征上设置的待处理基板的非装置侧表面面积的大约30％。在一些实施例中，该接触表面面积为小于待处理基板的非装置侧表面面积的大约20％，诸如小于大约15％、小于大约10％、小于大约5％、或例如小于大约3％。

减少基板132的非装置侧表面与有图案的表面144之间的接触面积具有以下期望的效果：减少暴露至可能造成刮伤的条件(诸如在吸附及解除吸附基板132的期间由于两者间的实体接触所致的刮伤)的非装置侧基板的表面面积。然而，减少基板132的非装置侧表面与有图案的表面144之间的接触面积增加了在相同的(或大致相同的)吸附力条件下两者之间于基板接触表面处的接触力。与被配置用于在基板132与有图案的表面144之间有较高接触面积的基板支撑件相比，增加的接触力造成基板132的非装置侧表面中的不期望的较深刮伤或坑洞和/或有图案的表面144的升高特征的不期望的增加的磨损。通常，在基板支撑件的使用寿命之内，基板支撑件之间的制造变异性或变化致使由给定吸附电压所实现的吸附力的变化。因此，在本文的实施例中，基板支撑件130进一步包括一个或更多个传感器(诸如传感器162)，其用于测量当吸附电压被施加至基板132时基板132的偏斜量中的变化。传感器162可以是适合用于检测基板的非装置侧表面相对于基板支撑件130的凹陷表面146的接近度的变化的任何传感器。在一些实施例中，传感器162是包含多个光纤的光纤传感器(诸如光纤强度传感器)或是包含一个或更多个光纤的光纤干涉仪。

在此，传感器162包括辐射源164、辐射检测器166(诸如强度检测器)、传感器终端168、及将辐射源164与辐射检测器166耦接至传感器终端168的光纤缆线172。在一些实施例中，辐射源164提供红外线辐射，其具有在大约600nm与大约1700nm之间的波长。典型地，传感器终端168被设置于在基板支撑件130的凹陷表面146中形成的开口170(图1c中所示)中。在一些实施例中，开口170延伸通过基板支撑件130并具有在大约1mm与大约10mm之间的宽度w(图1c中所示)。在一些实施例中，开口170流体耦接至背侧气体源160，且背侧气体通过开口170被传递至背侧容积156。

在此，光纤缆线172包括用于将辐射(例如光)从辐射源164传送至传感器终端168的一个或更多个传送光纤174，以及用于将辐射从传感器终端168传送至辐射检测器166的一个或更多个接收光纤176。在一些实施例中，基板支撑件130进一步包括透明插入件178，诸如石英或蓝宝石窗(图1b中所示)，透明插入件178被设置在有图案的表面144与传感器162之间。在此，透明插入件178与基板支撑件130的凹陷表面146齐平或是设置在基板支撑件130的凹陷表面146下方。典型地，通过利用一个或更多个安装部件将传感器牢固地定位在开口170的壁中，该一或更多个安装部件为诸如多个安装弹簧179(图1b中所示)。在一些实施例中，传感器终端168进一步包括被定位在接近传感器终端的末端的一个或更多个透明部件301(第3a-3b图中所示)。在一些实施例中，该一个或更多个透明部件301包含下列中的一个、多个、或其组合：滤光器(诸如带通滤光器或波通滤光器，例如分色滤光器或二向色镜)、用于将通过其传送的辐射发散或聚焦的透镜、或用于改变通过其传送的光的偏光状态的波片或减速片。

在此，传感器162从设置于接近有图案的表面144处的一个或更多个传送光纤174的末端发射辐射。传感器162接着测量由基板132的非装置侧表面反射的辐射的属性。典型地，被反射的辐射由设置于接近有图案的表面144处的一个或更多个接收光纤176的(一个或多个)末端所接收。被反射的辐射接着通过一个或更多个接收光纤176被传送至辐射检测器166，而辐射检测器166测量该被反射的辐射的属性。例如，在一些实施例中，辐射检测器166被配置以测量其中被接收的辐射的下列中的任一个或其组合：波长、相位、强度、频率、带宽、或干涉图案。在一些实施例中，传感器162是光纤强度传感器，其经配置以测量由设置在基板支撑件上的基板所反射的辐射的强度。在其他实施例中，传感器162是干涉仪(诸如光纤干涉仪或自混合干涉仪)，其整个或局部地被设置在基板支撑件130中形成的开口170内。

典型地，由基板132反射、并由辐射检测器166测量的辐射的一个或多个属性被传达给系统控制器180。系统控制器180被用来调整吸附参数(诸如吸附电压、背侧容积156中的气体压力、或其组合)，以维持基板132与有图案的表面144的升高特征之间的期望的接触力。一种用于维持基板132与有图案的表面144的升高特征之间的期望的接触力的方法在图2中被阐述。

在一些实施例中(例如其中基板支撑件130以至少两个电极138a-b为特征的实施例)，基板支撑件130包含多个传感器162。在那些实施例中的一些实施例中，各个传感器162的对应的传感器终端168每个被定位以测量基板132朝向凹陷表面146的对应区域的偏斜量。在那些实施例中的一些实施例中，系统控制器180可以被用以独立地调整被提供给吸附电极138a-b中的每一个的吸附电压。

在本文中，系统控制器180包括可编程的中央处理单元(cpu)182，可以通过存储器184(例如非易失性存储器)和支持电路186对cpu182操作。支持电路186通常耦合至cpu182，并包含耦合至处理腔室100的各种组件的高速缓存、时钟电路、输入/输出子系统、电源等，及以上的组合，以促进对处理腔室100的不同组件的控制。cpu182是在工业设定中使用的任何类型通用计算机处理器之一，诸如可编程逻辑控制器(plc)，用于控制处理腔室100的各种组件及子处理器。耦合至cpu182的存储器184是非瞬时的且通常为一个或更多个市面可购得存储器，诸如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、软盘驱动器、硬盘、或任何其他类型的数字存储器(本机的或远程的)。

典型地，存储器184是包含指令的计算机可读取存储介质的形式(例如非易失性存储器)，当该指令被cpu182执行时促进处理腔室100的操作。存储器184中的指令是程序产品的形式，诸如实施本公开的方法的程序。程序代码可以符合数种不同程序语言的中的任何一个。在一个示例中，本公开可以被实施成存储在供以计算机系统使用的计算机可读取存储介质上的程序产品。该程序产品的(一个或多个)程序限定了本实施例(包括本文中所述方法)的功能。

示例性计算机可读取存储介质包括(但不限于)：(i)非可写入存储介质(例如计算机内的只读存储器装置，诸如可由cd-rom光驱读取的cd-rom光盘、闪存、rom芯片或任何类型的固态非易失性半导体存储器)，信息被永久存储在其上；以及(ii)可写入存储介质(例如软盘驱动器内的软盘或硬盘驱动器或任何类型的固态随机存取半导体存储器)，可变更的信息存储于其上。这种计算机可读取存储介质在承载引导本文所述的方法的功能的计算机可读取指令时，为本公开案的实施例。在一些实施例中，本文中所述方法(或其部分)由一个或更多个专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)、或其他类型的硬件实施方式所执行。在一些其他实施例中，本文中所述程序被软件例程、(一个或多个)asic、多个fpga、及(或)其他类型的硬件实施方式的组合所执行。本文中，系统控制器180被用来利用图2中阐述的方法控制基板的非装置侧表面与基板支撑件的有图案的表面之间的接触力。

图2是阐述根据一个实施例的处理基板的方法的流程图。图3a-3b描绘图2所阐述的方法的元素。

于活动201处方法200包括将基板定位在基板支撑件的有图案的表面上。在此，该基板支撑件被设置在处理腔室的处理容积中，例如图1a中所述基板支撑件及处理腔室。于活动202和203处方法200分别包括将一个或更多个处理气体流通至该处理容积中以及形成该一个或更多个处理气体的处理等离子体。如图3a中所示，未被吸附的基板(在此为在对基板132上施加吸附力之前或之后被定位在基板支撑件130上的基板132)具有跨相邻突起部148之间的跨距大致平坦的表面，使得凹陷表面146与基板132的非装置侧表面之间的未被吸附的距离z1大约与从该凹陷表面延伸出的突起部148的高度h(图1a中所示)相同。

活动204及205包含将该基板吸附至该基板支撑件。于活动204处方法200包括将吸附电压施加至设置在该基板支撑件中的吸附电极，以在该基板上施加吸附力。于活动205处方法200包括将背侧气体(通常为诸如氦或氩的导热的惰性气体)流通至设置在基板132与基板支撑件130之间的背侧容积156中。

本文中，对吸附电极施加吸附电压则将基板朝基板支撑件的凹陷表面拉，而背侧容积中的气体的压力将该基板推离该凹陷表面。为了保持基板在基板支撑件上不移动，且在一些实施例中为了将该背侧容积与该处理容积流体隔离，每单位基板面积的吸附力必须超过背侧容积中的气体压力。这造成该基板从未被吸附的基板平面(图3a中所示)以偏斜距离δz(在图3b中示出)偏斜。

于活动205处方法200包括监测设置在基板支撑件130上的基板132的偏斜量δz。典型地，监测基板的偏斜量δz包含测量由设置在基板支撑件130中的传感器或传感器的一部分(例如传感器终端168)所接收到的辐射的波长、相位、强度、频率、带宽、干涉图案、或以上的组合中的变化，诸如第1a-1c图中所述。

于活动206处方法200包括基于基板132的偏斜量δz来改变吸附参数。在一些实施例中，改变吸附参数包含改变吸附电压、改变背侧容积中第二气体的压力、同时地改变吸附电压与背侧容积中第二气体的压力、依序地改变吸附电压与背侧容积中第二气体的压力，或以上的组合。在一些实施例中，改变吸附参数包括将基板的非装置侧表面的每单位面积吸附力与背侧容积中的气体的压力之间的差异维持在小于大约1托(torr)或在大约0.25托与大约1托之间。

本文描述的实施例提供用以通过在基板处理期间监测及控制基板的偏斜量(由此控制在该基板与基板支撑件之间的接触力)，来减少或大致免除对基板的非有效表面的不期望的刮伤的方法及设备。

尽管以上所述针对本公开的特定实施例，但将理解这些实施例仅是本发明的原理及应用的示例。因此，将理解可以对该示例性实施例进行数种修改以获得其他实施例，而不背离本发明的精神与范围(如所附权利要求所限定)。