1.一种倾斜角度量计算装置，被用于向样品台上所载置的样品的表面入射带电粒子射线的带电粒子射线装置，计算变更所述带电粒子射线相对于所述样品的入射方向所需要的倾斜角度量，所述倾斜角度量是用于控制所述样品和/或所述带电粒子射线的倾斜方向和倾斜量的指令值，其中，
所述倾斜角度量计算装置具备倾斜角度量计算部，所述倾斜角度量计算部基于在所述带电粒子射线相对于所述样品的入射方向为规定的入射方向的状态下的晶体取向图上指定出的、表示所述带电粒子射线相对于所述表面的被选择的位置处的晶体的入射方向的信息来计算所述倾斜角度量，所述晶体取向图是表示所述带电粒子射线相对于所述晶体的晶体坐标系的入射方向的图。
2.根据权利要求1所述的倾斜角度量计算装置，其特征在于，还具备：
取向信息获取部，其获取所述表面的晶体的取向信息；以及
晶体取向图生成部，其基于所述取向信息，来生成所述被选择的位置处的晶体的所述晶体取向图。
3.根据权利要求2所述的倾斜角度量计算装置，其特征在于，
所述晶体取向图生成部基于在所述晶体取向图上指定出的所述信息，来生成所述被选择的位置处的晶体的指定后的晶体取向图。
4.根据权利要求2或3所述的倾斜角度量计算装置，其特征在于，
所述晶体取向图生成部基于所述取向信息，生成所述带电粒子射线相对于所述表面的入射方向为规定的入射方向的状态下的、与所述被选择的位置不同的其它位置处的晶体的晶体取向图，并且，
倾斜角度量计算部基于在所述被选择的位置处的晶体的所述晶体取向图上和所述其它位置处的晶体的所述晶体取向图上指定出的、表示所述带电粒子射线相对于所述被选择的位置处的晶体和所述其它位置处的晶体的入射方向的信息，来计算所述倾斜角度量。
5.根据权利要求2至4中的任一项所述的倾斜角度量计算装置，其特征在于，
还具备旋转轴设定部，所述旋转轴设定部基于所述晶体取向图，将穿过所述被选择的位置的轴设定为旋转轴，
所述旋转轴设定部基于在所述晶体取向图上指定的信息，将所述轴设定为成为与所述一个晶面平行或垂直的方向，以使所述被选择的位置处的晶体所具有的一个晶面与所述入射方向形成规定的角度，
所述倾斜角度量计算部计算变更所述样品和/或所述带电粒子射线的以所述旋转轴为旋转中心的倾斜方向和倾斜量所需要的倾斜角度量，该倾斜方向和倾斜量是使所述一个晶面与所述入射方向形成所述规定的角度的倾斜方向和倾斜量。
6.根据权利要求5所述的倾斜角度量计算装置，其特征在于，
所述旋转轴设定部将在所述被选择的位置处交叉的2个轴设定为旋转轴，并且，
所述旋转轴设定部将所述2个轴中的一个轴设定为成为与所述一个晶面平行或垂直的方向，将所述2个轴中的另一个轴设定为成为与所述一个晶面平行的方向。
7.根据权利要求5所述的倾斜角度量计算装置，其特征在于，
所述旋转轴设定部将在所述被选择的位置处交叉的2个轴设定为旋转轴，并且，
所述旋转轴设定部将所述2个轴中的一个轴设定为成为与所述一个晶面平行或垂直的方向，将所述2个轴中的另一个轴设定为成为与所述被选择的位置处的晶体所具有的其它晶面平行或垂直的方向。
8.根据权利要求2至7中的任一项所述的倾斜角度量计算装置，其特征在于，
还具备输出部，
所述输出部获取由所述带电粒子射线装置测定出的所述规定的入射方向下的所述表面的带电粒子射线像、以及由所述晶体取向图生成部生成的所述被选择的位置处的晶体的所述晶体取向图和/或所述指定后的晶体取向图，
所述输出部将所述带电粒子射线像以及所述被选择的位置处的晶体的所述晶体取向图和/或所述指定后的晶体取向图以同时显示于外部的显示装置的方式输出。
9.根据权利要求8所述的倾斜角度量计算装置，其特征在于，
所述输出部还获取由所述晶体取向图生成部生成的所述其它位置处的晶体的所述晶体取向图和/或所述指定后的晶体取向图，
所述输出部将所述带电粒子射线像、所述被选择的位置处的晶体的所述晶体取向图和/或所述指定后的晶体取向图、以及所述其它位置处的晶体的所述晶体取向图和/或所述指定后的晶体取向图以同时显示于外部的显示装置的方式输出。
10.根据权利要求2至9中的任一项所述的倾斜角度量计算装置，其特征在于，
还具备倾斜角度调整部，
所述倾斜角度调整部基于由所述倾斜角度量计算部计算出的所述倾斜角度量，来进行如下指示中的至少一方：对所述样品台进行指示以变更所述样品的倾斜方向和倾斜量；或对所述带电粒子射线装置进行指示以变更所述带电粒子射线的倾斜方向和倾斜量。
11.根据权利要求8或9所述的倾斜角度量计算装置，其特征在于，
还具备倾斜角度调整部，
所述倾斜角度调整部基于由所述倾斜角度量计算部计算出的所述倾斜角度量，来进行如下指示中的至少一方：对所述样品台进行指示以变更所述样品的倾斜方向和倾斜量；或对所述带电粒子射线装置进行指示以变更所述带电粒子射线的倾斜方向和倾斜量，
在根据来自所述倾斜角度调整部的指示变更了所述带电粒子射线相对于所述样品的入射方向时，
所述输出部还获取由所述带电粒子射线装置测定出的所述变更后的入射方向下的所述表面的带电粒子射线像，并将所述规定的入射方向和/或所述变更后的入射方向下的所述表面的所述带电粒子射线像、以及所述被选择的位置处的晶体的所述晶体取向图和/或所述指定后的晶体取向图以同时显示于外部的显示装置的方式输出，或者将所述规定的入射方向和/或所述变更后的入射方向下的所述表面的所述带电粒子射线像、所述被选择的位置处的晶体的所述晶体取向图和/或所述指定后的晶体取向图以及所述其它位置处的晶体的所述晶体取向图和/或所述指定后的晶体取向图以同时显示于外部的显示装置的方式输出。
12.一种样品台，具备根据权利要求10或11所述的倾斜角度量计算装置，
所述样品台能够根据来自所述倾斜角度调整部的指示，来变更所述样品的倾斜方向和倾斜量。
13.一种带电粒子射线装置，具备根据权利要求10或11所述的倾斜角度量计算装置，
所述带电粒子射线装置能够根据来自所述倾斜角度调整部的指示，来变更所述带电粒子射线的倾斜方向和倾斜量。
14.一种带电粒子射线装置，具备根据权利要求12所述的样品台。
15.一种带电粒子射线装置，具备主体部、输出装置以及显示装置，其中，
所述主体部能够通过向样品的表面入射带电粒子射线，来测定出所述表面的规定区域内的晶体的取向信息和带电粒子射线像，
所述输出装置获取晶体取向映射图、晶体取向图以及带电粒子射线像，并且将所述晶体取向映射图、所述晶体取向图以及所述带电粒子射线像以同时显示于所述显示装置的方式输出，其中，
所述晶体取向映射图是基于由所述主体部预先测定出的所述规定区域内的取向信息来生成的，
所述晶体取向图是基于所述规定区域内的被选择的位置处的取向信息生成的、所述带电粒子射线相对于所述表面的入射方向为规定的入射方向的状态下的晶体取向图，
所述带电粒子射线像是由所述主体部在包括所述被选择的位置的区域内测定出的、为所述规定的入射方向的状态下的带电粒子射线像。
16.一种程序，被用于向样品台上所载置的样品的表面入射带电粒子射线的带电粒子射线装置，利用计算机来计算变更所述带电粒子射线相对于所述样品的入射方向所需要的倾斜角度量，所述倾斜角度量是用于控制所述样品和/或所述带电粒子射线的倾斜方向和倾斜量的指令值，所述程序使所述计算机执行以下步骤：
基于在所述带电粒子射线相对于所述样品的入射方向为规定的入射方向的状态下的晶体取向图上指定的表示所述带电粒子射线相对于所述晶体的入射方向的信息来计算所述倾斜角度量，其中，所述晶体取向图是表示带电粒子射线相对于所述表面的被选择的位置处的所述晶体的晶体坐标系的入射方向的图。
17.根据权利要求16所述的程序，其特征在于，使所述计算机执行以下步骤：
(a)获取所述表面的晶体的取向信息；
(b)基于所述取向信息，来生成所述被选择的位置处的晶体的所述晶体取向图；以及
(c)计算所述倾斜角度量。