1.一种太阳能电池的制造方法，是包含晶体基板的太阳能电池的制造方法，包括：
第1工序，在所述晶体基板的一侧主面侧，形成第1导电型半导体层，
第2工序，对于所述第1导电型半导体层，依次层叠形成包含硅系薄膜材料的、第1提离层和第2提离层，
第3工序，在所述一侧主面的一部分，通过除去所述第2提离层、所述第1提离层和所述第1导电型半导体层，生成所述第1导电型半导体层的非形成区域，另一方面，在所述一侧主面的剩余部分，将所述第1导电型半导体层、所述第1提离层和所述第2提离层残留，
第4工序，对所述残留的所述第2提离层和所述非形成区域，层叠形成第2导电型半导体层，以及
第5工序，使用第1蚀刻溶液，除去所述第1提离层和所述第2提离层，并且，还除去层叠于所述第2提离层的所述第2导电型半导体层；
并且，对于所述第1蚀刻溶液，第1导电型半导体层、第1提离层和第2提离层的蚀刻速度满足以下的关系式：
第1导电型半导体层的蚀刻速度<第2提离层的蚀刻速度<第1提离层的蚀刻速度……[关系式1]。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述第1提离层和所述第2提离层是以氧化硅为主成分的层，以550nm的波长测定的折射率满足以下的关系式：
第2提离层的折射率>第1提离层的折射率……[关系式2]。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述第1提离层和所述第2提离层是以氧化硅为主成分的膜，将其主成分表示为siox时的x的值满足以下的关系式：
第1提离层的x>第2提离层的x……[关系式3]。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，
所述晶体基板具有第1纹理结构，
在形成于所述晶体基板的所述一侧主面侧的、所述第1导电型半导体层和所述第2导电型半导体层的各面，包含反映所述第1纹理结构的第2纹理结构。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述非形成区域中，所述晶体基板的所述一侧主面的一部分露出。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，
所述第3工序中，在所述第2提离层形成开口部，并且使第2蚀刻溶液通过所述开口部而附着于所述第1提离层，除去该第1提离层。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述第3工序中，除去所述第1提离层，并且，使所述第2蚀刻溶液也附着于所述第1导电型半导体层，除去该第1导电型半导体层。
8.根据权利要求6或7所述的太阳能电池的制造方法，其中，
所述第1蚀刻溶液中包含的蚀刻剂的浓度高于所述第2蚀刻溶液中包含的蚀刻剂的浓度。