发光元件、发光器件、发光元件的制造方法及发光元件的制造设备与流程

文档序号:22845521发布日期:2020-11-06 16:50阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种发光元件,所述发光元件包括阴极、阳极、在阴极和阳极之间的发光层、在所述发光层和所述阴极之间的电子传输层以及在所述发光层和所述阳极之间的空穴传输层,所述发光元件的特征在于,

针对所述发光层的每个发光波长设置多个子像素,针对每一个所述子像素设置所述发光层和所述电子传输层,针对至少多个所述子像素共通设置所述空穴传输层。

2.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,

所述子像素包括从所述发光层发出红光的红色子像素、从所述发光层发出绿光的绿色子像素以及从所述发光层发出蓝光的蓝色子像素。

3.根据权利要求2所述的发光元件,其特征在于,

所述电子传输层的电子亲和力按所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的顺序减小。

4.根据权利要求3所述的发光元件,其特征在于,

至少多个所述子像素中的所述发光层的电离电势基本同值。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的发光元件,其特征在于,

在每个所述子像素中,所述电子传输层的电子亲和力与所述发光层的电子亲和力之间的最小差为0.5ev以下。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的发光元件,其特征在于,

在至少一个所述子像素中,所述电子传输层包括多层具备相互不同材料的层。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的发光元件,其特征在于,

在至少一个子像素的所述电子传输层中,从所述阴极侧的端面到所述发光层侧的端面,电子亲和力逐渐减小。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的发光元件,其特征在于,

所述发光层和所述电子传输层的总膜厚在所有所述子像素中是一定的。

9.根据权利要求8所述的发光元件,其特征在于,

所述发光层和所述电子传输层各自的膜厚在所有的所述子像素中是一定的。

10.根据权利要求8所述的发光元件,其特征在于,

至少一个所述子像素中的所述发光层和所述电子传输层各自的膜厚与另一所述子像素中的所述发光层和所述电子传输层各自的膜厚不同。

11.根据权利要求1~10中任一项所述的发光元件,其特征在于,

所述发光层层叠并包括在相互不同波长中发光的多种类型的量子点,并且在相同的所述子像素包括相同类型的所述量子点。

12.根据权利要求11所述的发光元件,其特征在于,

在相互不同种类的所述量子点之间最外粒径基本相同。

13.一种发光器件,其特征在于,

所述发光器件包括权利要求1~12中任一项所述的发光元件。

14.根据权利要求13所述的发光器件,其特征在于,

所述发光器件进一步包括阵列基板,所述阵列基板包括与所述阴极电连接的多个tft,

所述发光元件包括每个所述子像素的所述阴极和在所有的所述子像素共通的所述阳极,

经由所述阴极针对每个所述子像素驱动所述发光元件。

15.根据权利要求13所述的发光器件,其特征在于,

所述发光元件包括所有的所述子像素共通的所述阴极和所有的所述子像素共通的阳极。

16.根据权利要求15所述的发光器件,其特征在于,

所述发光器件是通过使所有的所述子像素同时发光,并形成白光的白光发光器件。

17.一种发光元件的制造方法,所述发光元件包括阴极、阳极、在阴极和阳极之间的发光层、在所述发光层和所述阴极之间的电子传输层以及在所述发光层和所述阳极之间的空穴传输层,所述制造方法的特征在于,所述发光元件的制造方法包括:

针对每个所述子像素形成所述发光层的发光层形成工序;

针对每个所述子像素形成所述电子传输层的电子传输层形成工序;以及

针对至少多个所述子像素共通形成所述空穴传输层的空穴传输层形成工序。

18.根据权利要求17所述的发光元件的制造方法,其特征在于,

在所述电子传输层形成工序之后执行所述发光层形成工序,并且在所述发光层形成工序之后执行所述空穴传输层形成工序。

19.根据权利要求17所述的发光元件的制造方法,其特征在于,

在所述空穴传输层形成工序之后执行所述发光层形成工序,并且在所述发光层形成工序之后执行所述电子传输层形成工序。

20.一种发光元件的制造设备,所述发光元件包括阴极、阳极、在阴极和阳极之间的发光层、在所述发光层和所述阴极之间的电子传输层以及在所述发光层和所述阳极之间的空穴传输层,所述发光元件的制造设备的特征在于,

所述发光元件的制造设备包括成膜装置,所述成膜装置用于针对每个所述子像素形成所述发光层和所述电子传输层,并且针对至少多个所述子像素共通形成所述空穴传输层。


技术总结
维持发光元件的发光效率。以使该发光元件的结构简单化为目的,本发明提供一种发光元件(2),该发光元件包括阴极(4)、阳极(12)、在阴极和阳极之间的发光层(8)、在所述发光层和所述阴极之间的电子传输层(6)以及在所述发光层和所述阳极之间的空穴传输层,针对所述发光层的每一个发光波长设置多个子像素(RP,GP,BP),针对每一个子像素设置所述发光层和所述电子传输层,针对至少多个所述子像素共通设置所述空穴传输层。

技术研发人员:榊原裕介;木本贤治;两轮达也
受保护的技术使用者:夏普株式会社
技术研发日:2018.03.29
技术公布日:2020.11.06
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