技术特征：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；栅电极，由所述基板支承；栅极绝缘层，覆盖所述栅电极；半导体层，配置于所述栅极绝缘层上，且包含多晶硅区域，所述多晶硅区域包括第一区域、第二区域、以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的沟道区域；源电极，电连接于所述第一区域；漏电极，电连接于所述第二区域；以及保护部，配置于所述半导体层与所述源电极以及所述漏电极之间，覆盖所述沟道区域，且不覆盖所述第一区域以及所述第二区域；所述保护部具有：至少一个i型半导体层，被配置为与所述沟道区域的一部分直接接触且由本征半导体构成；保护绝缘层，配置于所述i型半导体层上；以及侧壁，配置于所述保护绝缘层的侧面；所述i型半导体层具有比所述多晶硅区域大的带隙，当从所述基板的法线方向观察时，在所述i型半导体层和所述第一区域之间以及所述i型半导体层和所述第二区域之间，所述侧壁与所述沟道区域直接接触。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，从所述基板的法线方向观察时，所述侧壁包围所述i型半导体层。3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述侧壁配置于所述保护绝缘层的所述侧面和所述i型半导体层的侧面。4.如权利要求1-3中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，从所述基板的法线方向观察时，所述沟道区域中与所述i型半导体层接触的部分的合计面积为所述沟道区域整体的面积的50％以上且90％以下。5.如权利要求1-4中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极通过第一接触层与所述半导体层的所述第一区域连接，所述漏电极通过第二接触层与所述半导体层的所述第二区域连接，所述第一接触层和第二接触层分别包含由n
+
型非晶硅构成的n
+
型a-si层。6.如权利要求1-5中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述i型半导体层具有包含离散地配置的多个i型半导体岛的岛状结构。7.如权利要求1-6中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，在从所述基板的法线方向观察时，所述半导体层还包括配置于所述多晶硅区域的外侧的非晶硅区域。8.如权利要求1-7中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述i型半导体层为由本征非晶硅构成的i型a-si层。9.一种显示装置，具备权利要求1-8中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，具备显示区域，所述显示区域具有多个像素，所述薄膜晶体管配置于所述多个像素的每一个中。
10.一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管支承于基板，其特征在于，包含：在所述基板上形成栅电极、覆盖所述栅电极的栅极绝缘层以及包含多晶硅区域的半导体层的工序；在所述半导体层上依次形成由本征半导体构成的i型半导体膜及保护绝缘膜的工序，所述i型半导体膜具有比所述多晶硅区域大的带隙；通过对所述i型半导体膜以及所述保护绝缘膜进行图案化，由所述i型半导体膜形成i型半导体层，且由所述保护绝缘膜形成保护绝缘层的工序，所述i型半导体层以及所述保护绝缘层将位于成为所述半导体层的沟道的部分的一部分上且位于成为所述半导体层的沟道区域的部分的两侧的第一区域以及第二区域露出；形成覆盖所述半导体层、所述i型半导体层及所述保护绝缘层的绝缘膜，进行各向异性蚀刻，从而由所述绝缘膜在所述保护绝缘层的侧面形成侧壁的工序；以覆盖所述半导体层、所述i型半导体层、所述保护绝缘层及所述侧壁的方式依次形成接触层形成用硅膜和导电膜的工序；源极/漏极分离工序，将所述保护绝缘层作为蚀刻阻止层，通过进行所述接触层形成用硅膜和所述导电膜的图案化，从所述接触层形成用硅膜形成与所述第一区域相接的第一接触层和与所述第二区域相接的第二接触层，由所述导电膜形成与所述第一接触层相接的源电极以及与所述第二接触层相接的漏电极。11.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，利用cvd法的成膜的初始生长阶段，形成所述i型半导体膜。12.如权利要求11所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述i型半导体膜具有岛状结构，所述岛状结构包含离散地配置的多个i型半导体岛。13.如权利要求10-12中任一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述i型半导体层为由本征非晶硅构成的i型a-si层。14.一种显示装置的制造方法，所述显示装置具备权利要求1-8中任一项所述的薄膜晶体管，所述显示装置具备显示区域，所述显示区域具有多个像素，所述薄膜晶体管配置于所述显示区域的所述多个像素的每一个中，所述显示装置的制造方法包括：形成所述薄膜晶体管的所述半导体层的半导体层形成工序，所述半导体层形成工序包括结晶化工序，所述结晶化工序是仅对形成在所述栅极绝缘层上的由非晶硅构成的半导体膜的一部分照射激光使其结晶化的结晶化工序，在所述半导体膜的所述一部分形成所述多晶硅区域，将所述半导体膜中未被所述激光照射的部分保持为非晶质。