技术特征：
1.一种半导体装置，具备：第1绝缘膜；多条布线，设置在所述第1绝缘膜内；第2绝缘膜，设置在所述第1绝缘膜及所述多条布线上；导电体，设置在所述多条布线中的第1布线上，且具有在所述第2绝缘膜内相对于所述第1布线朝上方突出的形状；插塞，在所述第1布线上介隔所述导电体而设置；第1垫，设置在所述插塞的上方，且与所述插塞电连接；以及第2垫，设置在所述第1垫上，且与第1垫电连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电体与所述插塞的接触面的下端设置在较所述第1布线的上表面更高的位置。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述导电体与所述插塞的接触面的下端设置在较所述导电体的上端更低的位置。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述插塞的上表面的面积较所述导电体的下表面的面积更宽广。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述多条布线具备具有第1宽度的部分、以及具有较第1宽度更宽的第2宽度的部分，所述导电体设置在具有所述第2宽度的部分上。6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述多条布线分别具备：第1及第2部分，具有第1宽度；以及第3部分，设置在所述第1部分与所述第2部分之间，具有较所述第1宽度更宽的第2宽度；所述导电体设置在所述第1布线的所述第3部分上。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述第1部分在第1方向上延伸，且在第1部位与所述第3部分连接，所述第2部分在所述第1方向上延伸，且在第2部位与所述第3部分连接，所述第1部位的位置与所述第2部位的位置在垂直于所述第1方向的第2方向上相互偏移。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述多条布线包含与所述第1布线相邻的第2布线，所述第2布线的所述第3部分的位置相对于所述第1布线的所述第3部分的位置在所述第1方向上偏移。9.一种半导体装置的制造方法，包含：在第1绝缘膜内形成多条布线；在所述第1绝缘膜及所述多条布线上形成第2绝缘膜；在所述第2绝缘膜形成开口部；在所述第2绝缘膜的所述开口部内且所述多条布线中的第1布线上，形成具有相对于所述第1布线朝上方突出的形状的导电体；在所述第1布线上介隔着所述导电体形成插塞；在所述插塞的上方，形成与所述插塞电连接的第1垫；
将包含第2垫的第2晶片贴合在包含所述第1垫的第1晶片，而将所述第2垫与所述第1垫接合。10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中所述导电体通过镀覆而形成在所述第1布线上。11.根据权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法，其中所述多条布线具备：具有第1宽度的部分、以及具有较第1宽度更宽的第2宽度的部分，所述导电体形成在具有所述第2宽度的部分上。12.根据权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法，其中所述多条布线分别具备：第1及第2部分，具有第1宽度；以及第3部分，设置在所述第1部分与所述第2部分之间，具有较所述第1宽度更宽的第2宽度；所述导电体形成在所述第1布线的所述第3部分上。