技术特征：
技术总结
本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，属于GaN基发光二极管领域。所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上顺次沉积缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、缺陷阻挡层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、以及P型接触层，所述P型GaN层包括第一GaN子层和第二GaN子层，所述第一GaN子层位于所述电子阻挡层与所述第二GaN子层之间，在沉积所述第一GaN子层时，采用N2和H2的混合气体作为载气，在沉积所述第二GaN子层时，采用N2作为载气。
技术研发人员：曹阳;乔楠;王群;郭炳磊;吕蒙普;胡加辉;李鹏
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2019.01.24
技术公布日：2019.06.18