单光子源器件、制备方法及量子存储器与流程

本发明属于量子存储应用技术领域，涉及单光子源器件、制备方法及量子存储器。

背景技术：

单光子源是一个非典型的具有亚泊松光子统计特征的光源，光子是一个一个发出的，即光子是反聚束的。单光子源的实现目前主要有以下几种方法：激光衰减、金属色心、量子点以及自发参量下转换。量子点相比于其他几种方法的优点是可以很方便的集成在芯片中，而且在单光子发射质量、光源尺寸等方面均有优越性，因此备受关注。

量子通信是指利用量子纠缠效应进行信息传递的一种新型的通讯方式，是量子论和信息论相结合的新的研究领域。由于其绝对安全的信息传递方式，一直受到世界各国的关注，但是量子信息在传递过程中会不可避免出现损耗及退相干，这极大的限制了量子通信的距离，因此需要一种可靠的远距离的量子信息传递方案。

现有技术中，通常采用量子中继器以解决远距离的量子信息传递，其原理是将一段很长的距离分割成段，对每一段来说，纠缠量子态可以通过量子存储器“存储”起来，然后通过纠缠交换来实现量子信息的远距离传输，理论上可以将量子信息的传递拓展到任意距离。其中，量子存储器是一个可以将光子的量子态存储并且再发射的装置，是光量子网络一个必不可少的组成部分，其可以用掺杂稀土元素离子的固体来实现，某些稀土离子掺杂的晶体，可以与特定波长的光子产生强烈的光-物质相互作用而将光子的信息“存储”起来，并通过能级跃迁实现该光子的再发射，该过程具有较长的相干时间，并且在特定波长具有宽的吸收谱，能够为量子存储器提供大的存储带宽，因此在量子存储方面有着重要的应用。

但对于现有的单光子源器件而言，为了改变单光子源器件的发光光谱中心波长，以产生强烈的光-物质相互作用，通常采用对现有的单光子源器件进行激光局部加热调节的方法，然而该方法对于发光光谱中心波长的调节范围较小(只有零点几个纳米)，并且调节方向单一，即只能往长波长方向调节(红移)，并且这种热调节方案不满足紧凑型的片上集成化趋势。

因此，提供一种新型的单光子源器件、制备方法及量子存储器实属必要。

技术实现要素：

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种单光子源器件、制备方法及量子存储器，用于解决现有技术中单光子源器件发光光谱中心波长的调节范围小、调节方向单一、不满足紧凑型的片上集成化趋势的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种单光子源器件，所述单光子源器件包括：

量子点发光层，所述量子点发光层包括阻挡层及位于所述阻挡层中的量子点层；

压电陶瓷基底，通过所述压电陶瓷基底以调节所述量子点发光层的发光光谱中心波长；

键合层，所述键合层位于所述量子点发光层与所述压电陶瓷基底之间，通过所述键合层连接所述量子点发光层及压电陶瓷基底。

可选地，所述量子点发光层的发光光谱中心波长的调节方向包括红移及蓝移。

可选地，所述压电陶瓷基底包括pmn-pt压电陶瓷基底。

可选地，所述量子点发光层的发光光谱中心波长的调节范围包括1nm～5nm。

可选地，所述单光子源器件的二阶相关度函数g(2)(0)的值小于0.25。

可选地，所述键合层包括金属键合层及有机键合层中的一种或组合。

可选地，所述单光子源器件还包括第一载流子传输层及第二载流子传输层。

可选地，上述单光子源器件包括光致发光单光子源器件及电致发光单光子源器件中的一种或组合。

本发明还提供一种单光子源器件的制备方法，包括以下步骤：

提供量子点发光层，所述量子点发光层包括阻挡层及位于所述阻挡层中的量子点层；

提供压电陶瓷基底，通过所述压电陶瓷基底以调节所述量子点发光层的发光光谱中心波长；

将所述量子点发光层通过键合层键合于所述压电陶瓷基底上。

可选地，所述单光子源器件包括上述任一所述单光子源器件。

可选地，所述键合层包括形成于所述量子点发光层上的键合层及形成于所述压电陶瓷基底上的键合层中的一种或组合。

可选地，所述键合层包括形成于所述量子点发光层上的金属键合层。

可选地，制备方法包括以下步骤：

提供量子点薄膜结构，所述量子点薄膜结构包括牺牲层及位于所述牺牲层上的所述量子点发光层；

形成所述金属键合层，并图形化的所述金属键合层。

可选地，还包括对所述量子点薄膜结构进行湿法刻蚀，形成显露所述牺牲层的沟槽，而后去除所述牺牲层，通过所述金属键合层将所述量子点发光层键合于所述压电陶瓷基底上的步骤。

可选地，所述键合的方法包括热压键合法及粘合法中的一种或组合。

本发明还提供一种量子存储器，所述量子存储器包括上述任一所述单光子源器件。

如上所述，本发明的单光子源器件、制备方法及量子存储器，通过压电陶瓷基底，使得单光子源器件具有较大的波长调节范围、波长可进行双向调节、可满足紧凑型的片上集成化趋势及测试装置简单的优点。

附图说明

图8a～图8c显示为实施例一中的单光子源器件的结构示意图。

图9显示为实施例一中图8a的单光子源器件的俯视结构示意图。

图1显示为实施例二中制备单光子源器件的工艺流程图。

图2～图8a显示为实施例二中制备单光子源器件各步骤所呈现的结构示意图。

图10显示为实施例三中的单光子源器件的测试装置结构示意图。

图11显示为实施例三中的pmn-pt的极化曲线示意图。

图12显示为实施例三中的在t＝5k时单光子源器件的量子点光谱图。

图13显示为实施例三中的量子点发光层的发光光谱中心波长随pmn-pt压电陶瓷基底的电压变化的图谱。

图14显示为实施例三中的二阶时间相关性测试图谱。

元件标号说明

100量子点薄膜结构

101衬底

102缓冲层

103牺牲层

104量子点发光层

114阻挡层

124量子点层

105第一载流子传输层

106第二载流子传输层

200光刻胶

300键合层

400压电陶瓷基底

500电极层

具体实施方式

为了解决现有技术中单光子源器件发光光谱中心波长的调节范围小、调节方向单一、不满足紧凑型的片上集成化趋势的问题，经发明人研究发现，自组装半导体量子点光源具备可以确定性发射单光子及纠缠光子对的固态光源、与成熟的半导体技术具备兼容性、允许进行大规模的光电集成等优势，最有希望成为可扩展的量子比特发射器。通过量子点光源和稀土元素掺杂的晶体来实现量子存储器是一个较好的方案。其中，ⅲ-ⅴ族自组装量子点inas/gaas的激发峰分布在大概800～1200nm的范围，而掺钕钒酸钇(nd³⁺：yvo4)晶体中稀土元素离子nd³⁺的⁴i9/2→⁴f3/2跃迁的吸收峰在879.7nm，我们可以通过量子点的选择，配合波长调节手段(应力调节)将量子点的发光光谱中心波长精确的调节到879.7nm，从而与掺钕钒酸钇(nd³⁺：yvo4)晶体产生强烈的光-物质相互作用，实现量子态的存储。

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1～图14。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

实施例一

本实施例提供一种单光子源器件，所述单光子源器件包括：

量子点发光层，所述量子点发光层包括阻挡层及位于所述阻挡层中的量子点层；

压电陶瓷基底，通过所述压电陶瓷基底以调节所述量子点发光层的发光光谱中心波长；

键合层，所述键合层位于所述量子点发光层与所述压电陶瓷基底之间，通过所述键合层连接所述量子点发光层及压电陶瓷基底。

本实施例通过具有压电陶瓷基底的单光子源器件，使得单光子源器件具有较大的波长调节范围、波长可进行双向调节、可满足紧凑型的片上集成化趋势。

具体的，如图8a，本发明提供一种单光子源器件，所述单光子源器件包括：量子点发光层104、键合层300及压电陶瓷基底400。其中，所述量子点发光层104包括阻挡层114及位于所述阻挡层114中的量子点层124。所述量子点发光层104可采用ⅲ-ⅴ族材质，但并不局限于此，其中，所述阻挡层114的材质采用禁带宽度大于所述量子点层124的禁带宽度的材质，以保证所述量子点层124发光的单光子效果。如所述阻挡层114可采用本征gaas，所述量子点层124可采用inas，以使得本征gaas包覆所述inas。

作为本实施例的进一步实施例，所述单光子源器件还可包括第一载流子传输层105及第二载流子传输层106。

具体的，为提高所述单光子源器件的操作便捷性及应用范围，本实施例中，所述单光子源器件包括所述第一载流子传输层105及第二载流子传输层106，其中，所述第一载流子传输层105与所述第二载流子传输层106具有不同的掺杂类型，所述第一载流子传输层105采用n型掺杂，所述第二载流子传输层106采用p型掺杂，以为制备电致发光的单光子源器件，提供电子及空穴的传输，但所述单光子源器件的结构并不局限于此，可根据需要进行选择。如图8b，可提供一种仅包括所述量子点发光层104的单光子源器件，该结构简单，可减少工艺步骤。又如图8c，还可提供一种带有电极层500的单光子源器件，需要说明的是，在该结构中，优选所述键合层300采用金属材料，以便于所述键合层300可作为电极层使用，从而降低工艺复杂度，使得所述单光子源器可满足电致发光单光子源器的需求，另外当所述键合层300采用金属材料时，可提高键合强度，且可使得所述压电陶瓷基底400具有较好的应力传导效果。

作为本实施例的进一步实施例，所述量子点发光层104的厚度小于所述第一载流子传输层105的厚度，且大于所述第二载流子传输层106的厚度。

具体的，所述量子点发光层104的厚度可选为160nm，所述第一载流子传输层105可采用厚度为178nm的n型掺杂gaas，所述第二载流子传输层106可采用厚度为96nm的p型掺杂gaas。

作为该实施例的进一步实施例，所述量子点发光层104的发光光谱中心波长的调节方向包括红移及蓝移。

具体的，所述压电陶瓷基底400具有机械能与电能之间的转换和逆转换的功能，压电效应的原理为：对压电材料施加压力，便会产生电位差(称之为正压电效应)，反之施加电压，则产生机械应力(称为逆压电效应)，所述压电陶瓷基底400可以因机械变形产生电场，也可以因电场作用产生机械变形。因此，当在所述压电陶瓷基底400上加正电压时，可使得所述量子点发光层104的发光光谱中心波长进行蓝移，即将波长往短波长方向调节；当在所述压电陶瓷基底400上加负电压时，可使得所述量子点发光层104的发光光谱中心波长进行红移，即将波长往长波长方向调节，具体可参阅实施例三，暂不做评述。

作为该实施例的进一步实施例，所述压电陶瓷基底400包括pmn-pt压电陶瓷基底。

具体的，pmn-pt压电陶瓷作为一种新型的压电材料，其具有高压电常数、大机电耦合系数、高介电常数、低损耗的特性，尤其压电性能比普通的压电材料要提高10倍左右，因此本实施例中所述压电陶瓷基底400优选为所述pmn-pt压电陶瓷基底，且优选所述pmn-pt压电陶瓷基底的电压调节范围包括-200v～600v，以使得所述量子点发光层104可进行红移及蓝移，具体可参阅实施例三。所述压电陶瓷基底400的具体种类也可根据需要进行选择，并不局限于所述pmn-pt压电陶瓷基底，且所述压电陶瓷基底400的电压调节范围也可根据需要进行选择。

作为该实施例的进一步实施例，所述量子点发光层104的发光光谱中心波长的调节范围包括1nm～5nm。

具体的，通过调节所述压电陶瓷基底400的电压，可对位于所述压电陶瓷基底400上方的所述量子点发光层104进行应力调控，从而可获得具有较大调节范围的发光光谱中心波长。本实施例中，所述量子点发光层104的发光光谱中心波长的调节范围包括如2nm、3nm、4nm等，具体可根据需要进行选择，以获得精准的发光光谱中心波长。

作为该实施例的进一步实施例，所述单光子源器件的二阶相关度函数g⁽²⁾(0)的值小于0.25。

具体的，单光子源是一个非典型的具有亚泊松光子统计特征的光源，光子是一个一个发出的，即光子是反聚束的。二阶相关度函数g⁽²⁾(0)的值是最基本的单光子源的特征参数，当g⁽²⁾(0)的值小于0.5时，可以被认为是单光子范畴。g⁽²⁾(0)的值的大小可以表征在时间间隔为0时，同时发现两个及以上光子的可能性。本实施例中，制备的所述单光子源器件的二阶相关度函数g⁽²⁾(0)的值小于0.25，具体测试可参阅实施例三。

作为该实施例的进一步实施例，所述键合层300包括金属键合层及有机键合层中的一种或组合。

具体的，所述键合层300优选为采用金属键合层，以便于扩大所述单光子源器件的应用范围，提高操作的便捷性，增强键合强度，且可使得所述压电陶瓷基底400具有较好的应力传导效果。如图8c，当所述键合层300采用金属键合层时，所述金属键合层即可作为粘合层，同时还可作为电极层使用。所述键合层300可包括ti金属层及位于所述ti金属层上的au金属层。本实施例中，所述键合层300采用由厚度为3nm的ti金属层及厚度为100nm的au金属层所形成的复合金属键合层，以便于增强键合强度，且可使得所述压电陶瓷基底400具有较好的应力传导效果，扩大所述单光子源器件的应用范围，提高操作的便捷性。所述键合层300还可采用有机键合层或采用金属键合层与有机键合层的组合，此处不作限制。

作为本实施例的进一步实施例，所述单光子源器件包括光致发光单光子源器件及电致发光单光子源器件中的一种或组合。

具体的，如图8a及8b，其结构可直接应用于光致发光单光子源器件，图8c由于具有电极层，因此可应用于电致发光单光子源器件，从而可扩大所述单光子源器件的应用范围。图9显示为一种单光子源器件的俯视结构示意图，所述单光子源器件中包括如图8a中的所述单光子源器件，在另一实施例中，所述单光子源器件还可包括电致发光单光子源器件或光致发光单光子源器件与电致发光单光子源器件的组合，所述单光子源器件所组成的形貌、尺寸及分布，此处不作限制。

作为本实施例的进一步实施例，所述单光子源器件包括应用于量子存储器中的单光子源器件，其中，优选所述量子存储器中包括掺钕晶体。

具体的，由于ⅲ-ⅴ族inas/gaas量子点的大小、形状及组分等的差异，其激发光谱较宽，大约在800～1200nm。稀土元素离子nd³⁺的⁴i9/2→⁴f3/2跃迁的吸收峰在879.7nm，因此，通过调节所述单光子源器件中的所述压电陶瓷基底400的应力的方法，可将量子点发射的光子的波长精确的调节到879.7nm，实现较好的光-物质相互作用，从而可满足量子存储的要求，制备所述量子存储器，其中所述掺钕晶体包括掺钕钒酸钇晶体。

实施例二

如图1，本实施例提供一种单光子源器件的制备方法，该方法可用于制备上述任一所述单光子源器件，但并不局限于此。具体包括以下步骤：

提供量子点发光层，所述量子点发光层包括阻挡层及位于所述阻挡层中的量子点层；

提供压电陶瓷基底，通过所述压电陶瓷基底以调节所述量子点发光层的发光光谱中心波长；

将所述量子点发光层通过键合层键合于所述压电陶瓷基底上。

本实施例提供一种制备具有压电陶瓷基底的单光子源器件的方法，使得位于压电陶瓷基底上的量子点发光层具有较大的波长调节范围、波长可进行双向调节、可满足紧凑型的片上集成化趋势。

作为该实施例的进一步实施例，所述键合层包括形成于所述量子点发光层上的键合层及形成于所述压电陶瓷基底上的键合层中的一种或组合；所述键合层包括形成于所述量子点发光层上的金属键合层；制备方法包括以下步骤：

提供量子点薄膜结构，所述量子点薄膜结构包括牺牲层及位于所述牺牲层上的所述量子点发光层；

形成所述金属键合层，并图形化的所述金属键合层。

作为该实施例的进一步实施例，制备所述单光子源器件还包括对所述量子点薄膜结构进行湿法刻蚀，形成显露所述牺牲层的沟槽，而后去除所述牺牲层，通过所述金属键合层将所述量子点发光薄膜键合于所述压电陶瓷基底上的步骤。

作为该实施例的进一步实施例，所述键合的方法包括热压键合法及粘合法中的一种或组合。

具体的，本实施例以图8a中的所述单光子源器件作为示例，但并不局限于此。如图2～图8a，显示为制备所述单光子源器件各步骤所呈现的结构示意图。

如图2，提供量子点发光层104，所述量子点发光层104包括阻挡层124及位于所述阻挡层124中的量子点层114。

具体的，本实施例中，提供量子点薄膜结构100，所述量子点薄膜结构100包括衬底101、缓冲层102、牺牲层103、所述量子点发光层104、第一载流子传输层105及第二载流子传输层106。所述衬底101包括gaas衬底，所述缓冲层102包括gaas缓冲层，所述牺牲层103包括al0.75ga0.25as牺牲层，所述量子点发光层104、第一载流子传输层105及第二载流子传输层106的结构及材质的选择可同实施例一，此处不再赘述，所述衬底101、缓冲层102及牺牲层103的厚度及材质可根据具体需要进行选择，此处不作限制。

如图3，于所述量子点薄膜结构100上形成光刻胶200，并图形化所述光刻胶200。

具体的，所述光刻胶200可采用az5214，但并不局限于此，在所述量子点薄膜结构100的表面上定义出120×160um²的矩形，其尺寸及形貌并不局限于此。通过光刻显影后，形成图形化的所述光刻胶200。

如图4～图5，形成所述金属键合层，并图形化的所述金属键合层。

具体的，在形成图形化的所述光刻胶200后，可采用热蒸发的方式，沉积厚度为3nm的ti金属层及厚度为100nm的au金属层，然后通过剥离的方式，形成如图5中的图形化的所述金属键合层，此时的所述金属键合层既可充当下一步湿法刻蚀的阻挡层，又可作为之后键合的金属材料，且还可作为制备电致发光单光子源器件的电极材料，从而提高操作便捷性及扩大应用范围，但键合层300的材质、制备方法并不局限于此，如所述金属键合层还可采用直接形成于所述量子点薄膜结构100上，而后采用刻蚀的方法形成图形化的所述金属键合层，所述键合层300还可采用有机键合层或有机键合层与金属键合层的组合，所述金属键合层也可先直接形成于压电陶瓷基底400上，此处不作过分限制。

如图6～图7，进行湿法刻蚀，去除所述牺牲层103。

具体的，首先可使用h2so4:h2o2:h2o的溶液进行刻蚀，约5分钟，刻蚀后如图6所示，形成显露所述牺牲层103的沟槽，然后使用稀释的氢氟酸溶液再刻蚀约3～5分钟，此时，去除所述牺牲层103，获得可悬浮的样品，如图7，以便于进行下一步的转移工作。

如图8a，提供所述压电陶瓷基底400，将获得的可悬浮的样品键合于所述压电陶瓷基底400上。

具体的，可使用亚微米精度贴片机将可悬浮的样品键合到pmn-pt压电陶瓷基底的表面上，键合的方法可采用热压键合法，但并不局限于此，可根据所述键合层300的具体材质进行选择，如粘合法或结合热压键合法与粘合法相结合，此处不作限制。

进一步的，如图8b，也可直接提供所述量子点发光层104，而后通过所述键合层300键合于所述压电陶瓷基底400上，所述键合层300可采用金属键合层或有机键合层中的一种或组合。

作为该实施例的进一步实施例，还可包括形成电极层500的步骤，以便于制备电致发光单光子源器件。

具体的，如图8c，可在图8a中的所述单光子源器件上继续制备所述电极层500，从而扩大所述单光子源器件的应用范围。

实施例三

本实施例提供一种单光子源器件的测试装置，所述测试装置包括532nm的掺钕钒酸钇连续光激光器，通过所述532nm的掺钕钒酸钇连续光激光器以对上述任一所述单光子源器件进行测试。

作为该实施例的进一步实施例，所述测试装置包括对所述单光子源器件的光致发光、应力条件下的波长漂移及单光子特性中的一种或组合进行测试的测试装置。

如图10，显示为本实施例中的一种单光子源器件的测试装置；图11～图14，显示为本实施例中，通过所述单光子源器件的测试装置，对所述单光子源器件进行测试所获得的图谱。

具体的，首先将制作好的如图8a中的所述单光子源器件放在低温恒温器中，如液氦流量恒温器。将所述pmn-pt压电陶瓷基底的上下表面接上电极，进行0v～200v～0v的电压扫描，以将所述pmn-pt压电陶瓷基底进行极化处理，获得极化曲线，如图11。

随后，进行降温，通过液氦制冷的低温恒温器，将所述单光子源器件的温度降到5k，但并不局限于此，温度降到10k或8k以下即可，具体温度此处不作限制。本实施例仅以5k作为示例。对所述单光子源器件进行光致发光(photoluminescence，pl)的测试、应力条件下的波长漂移测试及单光子特性的测试。

具体的，在所述单光子源器件的测试装置中，所述单光子源器件可固定在一个具有x-y两个方向进行位移的位移器上，以便于进行样品的移动；卤素光源(halogenlamp)加上相机(camera)可帮助寻找所述单光子源器件上的满足需求的所述量子点发光层；532nm的掺钕钒酸钇连续光激光器(nd:yvo4cwlaser532nm)发射的激光，经过50/50的分束镜(beamsplitter，bs)及100倍的物镜(na＝0.5)最终聚焦在所述量子点发光层上。所述量子点发光层发射出来的信号光，依次经过50/50的分束镜，反射/透射＝10/90的分束镜，进入到光谱仪中。其中，光谱仪中的长通滤波器(long-passfilter)可以避免532nm的激光对光谱仪ccd造成的损伤，聚焦透镜(focuslens)可将信号光聚焦到光谱仪的ccd上。通过移动位移器，寻找发光波长在880nm附近的所述量子点发光层，然后通过改变所述pmn-pt压电陶瓷基底上的电压以观察波长随应变的变化情况。光谱仪的另一个出射狭缝可进行二阶的时间相关性测试，以检验单光子特性，从光谱仪侧边狭缝出射的信号光经过一个hbt(hanburybrown-twiss)装置，hbt可由偏振分束器(polarizationbeamsplitter，pbs)和两个高速单光子计数雪崩二极管(apd)组成，两个apd分别对应开始和结束接入一个时间相关的单光子计数模块(time-correlationmodule)来进行时间相关性的测试。

测试结果显示，在没有应力时，中心波长在879.4nm附近的量子点，其光谱如图12所示，其中强度最大的峰为激子x，其他的峰来自相邻量子点的干扰。随后我们在所述pmn-pt压电陶瓷基底上加电压，从-200v加到+600v，可以看到光谱发生了明显的蓝移，并且移动范围在2.6nm左右，经过波长879.7nm，如图13，其中，虚线代表波长为879.7nm，从而所述单光子源器件可以满足nd³⁺离子的吸收峰879.7nm，以实现强烈的光-物质相互作用。通过hbt装置，可进行时间相关性测试，得到连续激光激发下，单个激子发射的归一化二阶相关方程g⁽²⁾(τ)，如图14显示二阶相关度函数g⁽²⁾(0)的值＝0.21，说明发射的是单光子。

上述测试表明，基于所述pmn-pt压电陶瓷基底的应变调节，可以将inas/gaas量子点的激发波长调节到nd³⁺离子的吸收峰即879.7nm，且调节范围较大如2.6nm，远远高于激光局部加热的调节范围，并且，可以进行波长的双向调节，即在所述pmn-pt压电陶瓷基底上加正电压(负电压)，可以将波长往短波长(长波长)方向调节。另外，器件集成度较好，测试装置相比激光加热简单。

综上所述，本发明的单光子源器件、制备方法及量子存储器，通过压电陶瓷基底，使得单光子源器件具有较大的波长调节范围、波长可进行双向调节、可满足紧凑型的片上集成化趋势及测试装置简单的优点。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。