技术特征：
技术总结
本发明公开了调节金属间化合物的交换偏置场的方法。本发明所提供的调节Mn3Zn1‑xCoxN金属间化合物的交换偏置场的方法，包括如下步骤：在0.5≤x≤0.9的范围内调节Mn3Zn1‑xCoxN金属间化合物的x值的大小，制备具有不同x值的Mn3Zn1‑xCoxN金属间化合物；和/或将制备得到的Mn3Zn1‑xCoxN金属间化合物在室温并且外加5T磁场条件下冷却至5K～65K，Mn3Zn1‑xCoxN金属间化合物即可产生不同大小的交换偏置场。在本发明公开的方法中，当x＝0.9时，在温度为5K～65K范围内，交换偏置场达到了罕见的11.02～13.3kOe，且交换偏置场在该温度区间内随着温度的升高而降低，可以预见该晶体可以被应用到需要通过调节温度而调节交换偏置场的应用中，如信息存储，磁场探测，磁指纹识别等领域。
技术研发人员：褚立华;丁磊;李旭晨;刘卓海;李美成
受保护的技术使用者：华北电力大学
技术研发日：2019.02.28
技术公布日：2019.06.11