发光组件基板的制作方法

本发明是有关于一种基板，且特别是有关于一种发光组件基板。

背景技术：

随着科技的进步，发光二极管已成为常见且广泛应用于各种领域的组件。以作为光源而言，发光二极管具有许多优点，包含能量消耗低、使用寿命长以及切换速度快等。因此，传统光源已经逐渐被发光二极管所替代。

除了作为光源外，发光二极管也已经应用于显示领域。举例而言，利用微型发光二极管作为显示组件的微型发光二极管显示器。然而，目前的微型发光二极管显示器由于制程公差及二极管的出光指向性的问题而有色彩及亮度不均的问题。此外，在为了提升分辨率而增加信号走线的同时，亦可能出现光学绕射的现象或亮度周期性分布而产生的纹路，而导致亮度及色纯度不均的问题。

技术实现要素：

本发明提供一种发光组件基板，能改善亮度及色纯度不均、提升显示质量。

本发明的发光组件基板，包括基板、多条第一信号线以及多条第二信号线，彼此交错设置于基板上，第一信号线以及第二信号线定义出多个子像素区、以及多个微型发光组件分别设置于子像素区中，且各子像素区中具有微型发光组件。第一信号线平行于第一方向，第二信号线平行于第二方向。第一方向与第二方向相互垂直。微型发光组件包括第一发光二极管与第二发光二极管。每一第一发光二极管与第二发光二极管包括第一电极以及第二电极。其中第一发光二极管具有第一长轴延伸方向，第二发光二极管具有第二长轴延伸方向。第一长轴延伸方向与第二长轴延伸方向皆偏离第一方向或第二方向，且第一长轴延伸方向与第二长轴延伸方向之间夹有第一角度θa。

基于上述，本发明一实施例的发光组件基板，由于第一发光二极管的第一长轴延伸方向与第二发光二极管的第二长轴延伸方向皆偏离第一方向或第二方向，且第一长轴延伸方向与第二长轴延伸方向之间夹有第一角度。因此，第一发光二极管及第二发光二极管是以不平行于信号线或彼此不平行的方式设置。藉此，这些微型发光组件(包括第一发光二极管以及第二发光二极管)的设置方向不具有一致性，且以斜向的方式配置可增加这些微型发光组件于基板上相对于这些信号线间排列的乱度或稍稍改变其结构对于这些微型发光组件之光线的规律性反射程度，故可减少因转置公差的位移或旋转，所产生的色彩或/及亮度不均，以进一步提升发光组件基板的显示质量。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为本发明一实施例的发光组件基板的局部上视示意图。

图2为本发明另一实施例的发光组件基板的局部上视示意图。

图3为本发明又一实施例的发光组件基板的局部上视示意图。

图4为本发明又一实施例的发光组件基板的局部上视示意图。

图5为本发明另一实施例的发光组件基板的局部上视示意图。

其中，附图标记：

10a、10b、10c、10d、10e：发光组件基板

100：基板

200：微型发光组件

200a、200e：第一发光二极管

200b、200d：第二发光二极管

200c：第三发光二极管

210：第一电极

220：第二电极

300：遮光层

310：主体部

320、320a：弯折部

321、321a：第一分支

322、322a：第二分支

d1：第一方向

d2：第二方向

d3：第三方向

d4：第四方向

sl1：第一信号线

sl2：第二信号线

l1、l1”：第一长轴延伸方向

l2、l2”：第二长轴延伸方向

l3：第三长轴延伸方向

px：子像素区

px1：第一子像素区

px2：第二子像素区

w1：第一距离

w2：第二距离

θ1、θ1”：第一夹角

θ2、θ2”：第二夹角

θ3：第三夹角

θ4：第四夹角

θ5：第五夹角

θa、θa”：第一角度

具体实施方式

下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：

在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的组件被称为在另一组件“上”或“连接到”另一组件时，其可以直接在另一组件上或与另一组件连接，或者中间组件可以也存在。相反，当组件被称为“直接在另一组件上”或“直接连接到”另一组件时，不存在中间组件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，“电性连接”或“耦合”系可为二组件间存在其它组件。

应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种组件、部件、区域、层及/或部分，但是这些组件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件、部件、区域、层或部分与另一个组件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一组件”、“部件”、“区域”、“层”或“部分”可以被称为第二组件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。

除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。

图1为本发明第一实施例的发光组件基板的局部上视示意图，为了方便说明及观察，图1仅示意性地示出部分构件。请参考图1，在本实施例中，发光组件基板10a包括基板100、多条第一信号线sl1以及多条第二信号线sl2彼此交错设置于基板100上，这些第一信号线sl1以及这些第二信号线sl2定义出多个子像素区px、以及多个微型发光组件200分别设置于这些子像素区px中。

在本实施例中，基板100例如为数组基板。基板100的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是其他可适用的材料。在一些实施例中，基板100上可覆盖一层绝缘层(未示出)，但本发明不以此为限。在本实施例中，可选择性地在基板100上设置多条第一信号线sl1及第二信号线sl2。第一信号线sl1与第二信号线sl2可位于不同膜层并彼此交错，但本发明不以此为限。举例而言，第一信号线sl1及第二信号线sl2可分别为数据线或扫描线。在其他实施例中，第一信号线sl1或第二信号线sl2还可以选择性为参考电压线(未示出)或电源线；亦或者选择性地使第一信号线sl1及第二信号线sl2分别为数据线或扫描线外，另外设置多条参考电压线(未示出)或电源线(未示出)，但本发明不以此为限。在本实施例中，例如第一信号线sl1平行于第一方向d1为数据线，第二信号线sl2平行于第二方向d2为扫描线，且第一方向d1与第二方向d2相互垂直。换句话说，第一信号线sl1的延伸方向实质上垂直于第二信号线sl2。基于导电性的考虑，第一信号线sl1及第二信号线sl2一般是使用金属材料，但本发明不限于此。在其他实施例中第一信号线sl1及第二信号线sl2也可以使用其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其他导电材料的堆栈层。

在本实施例中，多条第一信号线sl1及多条第二信号线sl2可以定义出多个子像素区px。具体而言，每两条相邻的第一信号线sl1以及每两条相邻的第二信号线dl2可定义出一个子像素区px。子像素区px例如是将基板100上的区域以第一信号线sl1及第二信号线sl2作为分割线，分割成许多小区域，这些重复单元的小区域就是子像素区px。

在本实施例中，微型发光组件200设置于子像素区px中，且各子像素区px中具有多个微型发光组件200，但本发明不限于此。在本实施例中，微型发光组件200包括第一发光二极管200a与第二发光二极管200b，但本发明不以此为限。第一发光二极管200a与第二发光二极管200b各自包括第一电极210以及第二电极220。

详细而言，在本实施例中，微型发光组件200例如为微型发光二极管(microled)或毫米型发光二极管(泛指发光二极管边长未满1毫米长的发光二极管)。微型发光组件200包括发光层以及位于发光层两侧的n型掺杂的半导体层与p型掺杂的半导体层(未示出)。在一些实施例中，n型掺杂的半导体层或p型掺杂的半导体层的材料例如包括氮化镓(gan)、氮化铟镓(ingan)、砷化镓(gaas)或其他iiia族和va族元素组成的材料或其他合适的材料，但本发明不以此为限。发光层例如具有量子阱(quantumwell，qw)，例如：单量子阱(sqw)、多量子阱(mqw)或其它的量子阱，p型掺杂的半导体层提供的空穴与n型掺杂的半导体层提供的电子可以在发光层结合，并以光的模式释放出能量。在一些实施例中，发光层的材料例如包括氮化镓(gan)、氮化铟镓(ingan)、砷化镓(gaas)、磷化铝镓铟(algainp)、砷化铟铝镓(inalgaas)或其他iiia族和va族元素组成的材料或其他合适的材料。

在本实施例中，第一电极210电性连接p型掺杂的半导体层，且第二电极220电性连接n型掺杂的半导体层，但本发明不以此为限。本实施例是以第一电极210例如是正电极，第二电极220例如是负电极进行说明，但本发明不限于此。基于导电性的考虑，第一电极210及第二电极220一般是使用金属材料，但本发明不限于此。在其他实施例中第一电极210及第二电极220也可以使用其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其他导电材料的堆栈层。

在本实施例中，更可选择性地包括多个驱动组件(未示出)设置于基板100上，且各驱动组件分别电性连接第一信号线sl1或第二信号线sl2以及微型发光组件200，以提供驱动信号至微型发光组件200。驱动组件例如是底部栅极型薄膜晶体管(bottomgate-tft)、顶部栅极型薄膜晶体管(topgate-tft)或以微小型芯片控制电路直接控制，但本发明不以此为限。

值得注意的是，位于子像素区px中的第一发光二极管200a具有第一长轴延伸方向l1，第二发光二极管200b具有第二长轴延伸方向l2，且第一长轴延伸方向l1与第二长轴延伸方向l2皆偏离第一方向d1或第二方向d2。举例而言，长轴方向指的是第一发光二极管200a及第二发光二极管200b于基板垂直投影方向的形状中边长相对较长一边延伸的方向，或第一发光二极管200a及第二发光二极管200b各自的第一电极210与第二电极220间的轴线延伸方向。第一长轴延伸方向l1与第二长轴延伸方向l2方向之间夹有第一角度θa。在上述的设计下，各子像素区px中的多个微型发光组件200(包括第一发光二极管200a以及第二发光二极管200b)可以不平行于信号线sl1、sl2的方式设置，且第一发光二极管200a以及第二发光二极管200b彼此也不平行。藉此，在转置制程中，微型发光组件200转置到基板100上所产生的位移或方向上的公差可因此设置而使变异量的累积及加成减小。具体而言，由于这些微型发光组件200的长轴延伸方向l1、l2是以不平行第一信号线sl1或第二信号线sl2的方式设置，因此部分微型发光组件200在转置制程中所产生的位移或方向上的旋转不会显得突兀。换句话说，本实施例的子像素区px中的这些微型发光组件200的设置方向并不一致。藉此，以斜向的方式配置可增加这些微型发光组件200于基板100上相对于这些信号线sl1、sl2间排列的乱度或稍稍改变其结构对于这些微型发光组件200之光线的规律性反射程度，使整体的亮度均匀性不容易受到转置公差的影响。在上述的设计下，本实施例的发光组件基板10a可以减少习知的因转置公差而使少数微型发光组件200排列方向不一致所产生的色彩及亮度不均，进而提升发光组件基板10a的显示质量。

请参考图1，在本实施例中，这些第一发光二极管200a分别排列成多列，这些第二发光二极管200b分别排列成多列。举例而言，如图1所示，这些第一发光二极管200a沿着第二方向d2排列成多列的第一发光二极管200a，且这些第二发光二极管200b沿着第二方向d2排列成多列的第二发光二极管200b。这些第二发光二极管200b与这些第一发光二极管200a的多列间隔配置。举例而言，如图1所示，上下相邻的两列第一发光二极管200a之间夹设有一列第二发光二极管200b，但本发明不以此为限。

在本实施例中，第一发光二极管200a的第一长轴延伸方向l1与第一方向d1之间具有第一夹角θ1，第一夹角θ1的角度为15°≤θ1≤75°。第二发光二极管200b的第二长轴延伸方向l2与第一方向d1之间具有第二夹角θ2，第二夹角θ2的角度为15°≤θ2≤75°。在上述的设计下，第一发光二极管200a及第二发光二极管200b可以偏离第一方向d1或第二方向d2，具体而言，第一发光二极管200a及第二发光二极管200b可以偏离第一信号线sl1或第二信号线sl2的延伸方向。如此，当第一夹角θ1及第二夹角θ2的角度在上述范围中时，微型发光组件200(包括第一发光二极管200a及第二发光二极管200b)不容易因转置公差所产生的位移或旋转，而影响到整体微型发光组件200以偏离信号线sl1、sl2的延伸方向设置。因此，发光组件基板10a可以更显著地减少因转置公差的位移或旋转所产生的色彩及亮度不均，使发光组件基板10a具有更佳的显示质量。

在本实施例中，第一长轴延伸方向l1与第二长轴延伸方向l2之间夹有第一角度θa，且第一角度θa的角度为30°≤θa≤150°。在上述的设计下，第一发光二极管200a及第二发光二极管200b的长轴延伸方向l1、l2彼此不平行，具体而言，第一发光二极管200a及第二发光二极管200b是以彼此不平行的方式设置于子像素区px中。如此，当第一角度θa的角度在上述的范围时，第一发光二极管200a及第二发光二极管200b的设置方向可不一致，不容易受到转置公差的影响。因此，发光组件基板10a可以更显著地减少色彩及亮度不均的产生，使发光组件基板10a具有更佳的显示质量。

在本实施例中，第一夹角θ1及第二夹角θ2的角度可为相同，但本发明不以此为限。在一些实施例中，相同子像素区px中的这些微型发光组件200的第一夹角θ1及第二夹角θ2的角度可以不同，或者是相同子像素区px中的这些微型发光组件200的第一夹角θ1及第二夹角θ2的角度可以相同，但相较于不同的子像素区px，这些微型发光组件200的第一夹角θ1及第二夹角θ2的角度可以分别为不同(如图3所示)，但本发明不以此为限。

请参考图1，各微型发光组件200分别电性连接(未示出)至对应的第一信号线sl1或第二信号线sl2。在本实施例中，相同子像素区px中的第一发光二极管200a的第一电极210相邻第二发光二极管200b的第一电极210。在本实施例中，当第一夹角θ1及第二夹角θ2的角度为相同时，相同子像素区px中的第一发光二极管200a与第二发光二极管200b之间相互镜射配置或对称配置。在上述的设计下，相同子像素区px中的相邻的两个第一电极210可以共享相同的走线(例如共享电极线或电源线)，且相邻子像素区px中的这些微型发光组件200(例如相邻子像素区px中的两个第一发光二极管200a)也可以分别共享相同的走线或信号线sl1、sl2。如此，走线的距离可以更短、设置可以更有裕度，且可以节省布线的空间，进而增加发光组件基板10a的开口率并提升分辨率及显示质量。

简言之，本实施例的发光组件基板10a，由于第一发光二极管200a的第一长轴延伸方向l1与第二发光二极管200b的第二长轴延伸方向l2皆偏离第一方向d1或第二方向d2，且第一长轴延伸方向l1与第二长轴延伸方向l2方向之间夹有第一角度θa。因此，第一发光二极管200a及第二发光二极管200b是以不平行于信号线sl1、sl2或彼此不平行的方式设置。藉此，这些微型发光组件200(包括第一发光二极管200a以及第二发光二极管200b)的设置方向不具有一致性，可减少因转置公差的位移或旋转，所产生的色彩及亮度不均，以进一步提升发光组件基板10a的显示质量。此外，当第一发光二极管200a及第二发光二极管200b是以不平行于信号线sl1、sl2的方式(例如：斜向的方式)设置时，这些微型发光组件200产生的光线较不易与信号线sl1、sl2产生固定的干涉或绕射现象，更可避免亮度因周期性分布而产生的纹路，进而导致亮度及色纯度不均的问题。

在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的组件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的组件，关于省略了相同技术内容的部分说明可参考前述实施例，下述实施例中不再重复赘述。

图2为本发明又一实施例的发光组件基板的局部上视示意图。图2为了方便说明及观察，仅示意性地示出部分构件。本实施例的发光组件基板10b与图1主要的差异在于：各子像素区px中的这些微型发光组件200包括多于两个微型发光组件200。举例而言，各子像素区px中的这些微型发光组件200的数量可依使用者的需求而为三个、四个、五个或更多个，但本发明不以此为限。本实施例的子像素区px是以包括三个微型发光组件200(例如：包括两个第一发光二极管200a以及一个第二发光二极管200b)为例进行说明，但本领域具有通常知识者应能理解，微型发光组件200的总数量或第一发光二极管200a以及一个第二发光二极管200b分别的数量不以此为限。如此便可进一步增加发光组件基板10b的亮度并提升分辨率及显示质量。

图3为本发明又一实施例的发光组件基板的局部上视示意图。图3为了方便说明及观察，仅示意性地示出部分构件。请参考图2及图3，本实施例的发光组件基板10c与图2的发光组件基板10b相似，主要的差异在于：该些子像素区px更包括第一子像素区px1及第二子像素区px2。举例而言，如图3所示，第一子像素区px1与第二子像素区px2为左右相邻的两个子像素区，但本发明不以此为限。在一些实施例中，第一子像素区px1与第二子像素区也可以是多个子像素区px中不相邻的任二者。第二子像素区px2包括第三发光二极管200c，第三发光二极管200c具有第三长轴延伸方向l3。第三长轴延伸方向l3偏离第一方向d1且与第一方向d1之间具有第三夹角θ3。在本实施例中，位于同一列的第一发光二极管200a的第一夹角θ1的角度不同于第三发光二极管200c的第三夹角θ3的角度。换句话说，第一子像素区px1中第一发光二极管200a的第一长轴延伸方向l1不平行于第二子像素区px2中第三发光二极管200c的第三长轴延伸方向l3。在本实施例中，第一夹角θ1的角度例如大于第三夹角θ3的角度，但本发明不以此为限。第三夹角θ3的角度也不同于第二夹角θ2的角度。此外，第二子像素区px2中的第一发光二极管200a的第一夹角θ1的角度也可以不同于第三发光二极管200c的第三夹角θ3。换句话说，子像素区中的多个发光二极管的夹角的角度可以一致或不一致。相邻子像素区px1、px2中的发光二极管200a、200b、200c的夹角θ1、θ2、θ3也可以一致或不一致，本发明不以此为限。第一夹角θ1、第二夹角θ2及第三夹角θ3的选择若倾向角度不一致时，主要原因是可以更加提升因转置公差的位移或旋转，所产生的色彩及亮度不均的乱度，如此，可更进一步提升发光组件基板10c的光学对称性及均匀性，减少色彩及亮度不均的产生，提升发光组件基板10c的显示质量。

图4为本发明另一实施例的发光组件基板的局部上视示意图。图4为了方便说明及观察，仅示意性地示出部分构件。请参考图1及图4，本实施例的发光组件基板10d与图1的发光组件基板10a相似，主要的差异在于：发光组件基板10d更包括遮光层300。举例而言，遮光层300包括多个主体部310以及多个弯折部320。弯折部320连接相邻的主体部310，且各弯折部320包括彼此相连的第一分支321与第二分支322。第一分支321沿第三方向d3延伸，第二分支322沿第四方向d4延伸。在本实施例中，这些弯折部320均朝着相同方向弯折(例如往图4的第二方向d2的右侧)，但本发明不以此为限。第一分支321与第二分支322之间具有第四夹角θ4。

值得注意的是，在本实施例中，各主体部310对位重叠对应的各第一信号线sl1或各第二信号线sl2的其中一者。各弯折部320部分重叠对应的各第一信号线sl1或各第二信号线sl2的其中另一者。举例而言，本实施例的各主体部310对位重叠各第二信号线sl2，且各主体部310在俯视上的正投影面积完全覆盖各第二信号线sl2在俯视上的正投影面积。各弯折部320的第一分支321及第二分支322在俯视上的正投影面积部分覆盖对应的各第一信号线sl1在俯视上的正投影面积，但本发明不以此为限。第四夹角θ4的角度为30°≤θ4≤150°。各弯折部320与重叠的各第一信号线sl1或第二信号线sl2形成第五夹角θ5，第五夹角θ5的角度为15°≤θ5≤75°。在上述的设计下，第一发光二极管200a与第二发光二极管200b沿第二方向d2上位于弯折部320之间。藉此，遮光层300可以改善以高密度设置的信号线sl1、sl2或其他一致性且重复性高的走线所产生的光学狭缝现象，并降低微型发光组件200因出光指向性所造成的色彩及亮度不均。因此，遮光层300可同时具有良好的遮光效果，并减少亮度不均及混色所造成的色纯度不均，以提升微型发光组件200的出光效率及发光组件基板10d的显示质量。

在本实施例中，第五夹角θ5包括多个夹角，例如第一分支321与重叠的第一信号线sl1之间的夹角或第二分支322与重叠的第一信号线sl1之间的夹角。在本实施例中，第一分支321与重叠的第一信号线sl1之间的第五夹角θ5与第二分支322与重叠的第一信号线sl1之间的第五夹角θ5的角度可以相同，但本发明不以此为限。在一些实施例中，第一分支321与重叠的第一信号线sl1所形成的第五夹角θ5的角度也可以与第二分支322与重叠的第一信号线sl1所形成的第五夹角θ5的角度不同。换句话说，在一些实施例中，第一分支321或第二分支322彼此的斜率可以不相同，但本发明不以此为限。在其他实施例中，相邻的第一分支321或第二分支322的第五夹角θ5彼此也可以相同或不相同，本发明不以此为限。

请继续参考图4，在本实施例中，第四夹角θ4与第一角度θa的角度为相同，且第一角度θa与第四夹角θ4朝向相反的方向。举例而言，第一角度θa与第四夹角θ4是分别沿着第二方向d2上的相对两侧弯折。在上述第四夹角θ4与第五夹角θ5的范围下，微型发光组件200可以在相邻的弯折部320之间以倾斜于信号线sl1、sl2的方式设置。

在本实施例中，第三方向d3平行第二长轴延伸方向l2，且第四方向d4平行第一长轴延伸方向l2。第一发光二极管200a的第一长轴延伸方向l1交错对应的相邻第一分支321的延伸方向(例如第三方向d3)。第二发光二极管200b的第二长轴延伸方向l2交错对应的相邻第二分支322的延伸方向(例如第四方向d4)。在上述的设计下，微型发光组件200不与对应的相邻分支平行，而会与对应的第一分支321或第二分支322以一倾斜的角度设置于相邻的弯折部320之间。如此，除了微型发光组件200可减少色彩及亮度不均的产生，遮光层300还可以具有良好的遮光效果，并提升微型发光组件200的出光效率及发光组件基板10d的显示质量。

在本实施例中，每两相邻的弯折部320之间的距离为相同或不同。在本实施例中，是以距离不同为例进行说明，但本发明不限于此。如图4所示，相邻的弯折部320之间的距离例如包括第一距离w1或第二距离w2。第一距离w1的长度大于第二距离w2的长度。在上述的设计下，每两个弯折部320之间的开口面积(未标示)可以不同。换句话说，相邻的子像素区px的开口率可以不同。如此，遮光层300可以进一步改善光学狭缝现象。因此，遮光层300可具有良好的遮光效果，并减少亮度及色纯度不均的产生，以提升微型发光组件200的出光效率及发光组件基板10d的显示质量。

图5为本发明再一实施例的发光组件基板的局部上视示意图。图5为了方便说明及观察，仅示意性地示出部分构件。请参考图4及图5，本实施例的发光组件基板10e与图4的发光组件基板10d相似，主要的差异在于：弯折部包括多个弯折部320、320a，相邻的弯折部320、320a分别沿着第二方向d2上的相对两侧弯折，且微型发光组件200(包括第一发光二极管200a、200e以及第二发光二极管200b、200d)的第一长轴延伸方向l1”不平行于第四方向d4，第二长轴延伸方向l2”不平行于第三方向d3。

在本实施例中，第一分支321a对应第一分支321，且第一分支321a沿着第四方向d4延伸，第二分支322a对应第二分支322，且第二分支322a沿着第三方向d3延伸。多个第一发光二极管200a、200e以及多个第二发光二极管200b、200d可以镜射地设置，并以倾斜的角度设置于对应的弯折部320、320a之间。相较于图3的第一夹角θ1与第二夹角θ2，第一夹角θ1与第二夹角θ2的角度不同于本实施例的第一夹角θ1”与第二夹角θ2”的角度。在上述的设计下，第一角度θa”的角度与第四夹角θ4的角度不同(例如：第一角度θa”的角度大于第四夹角θ4的角度)，以进一步提升光学均匀性。如此，发光组件基板10e可获致与上述实施例类似的技术功效。

在一些实施例中，弯折部320也可以对位重叠各第一信号线sl1或各第二信号线sl2。换句话说，遮光层300在俯视上的正投影面积可以完全覆盖各第一信号线sl1及各第二信号线sl2在俯视上的正投影面积，本发明不以此为限。

综上所述，本发明一实施例的发光组件基板，由于第一发光二极管的第一长轴延伸方向与第二发光二极管的第二长轴延伸方向皆偏离第一方向或第二方向，且第一长轴延伸方向与第二长轴延伸方向之间夹有第一角度。因此，第一发光二极管及第二发光二极管是以不平行于信号线或彼此不平行的方式设置。藉此，这些微型发光组件(包括第一发光二极管以及第二发光二极管)的设置方向不具有一致性。藉此，以斜向的方式配置可增加这些微型发光组件于基板上相对于这些信号线间排列的乱度或稍稍改变其结构对于这些微型发光组件之光线的规律性反射程度，故可减少因转置公差的位移或旋转，所产生的色彩及亮度不均，以进一步提升发光组件基板的显示质量。此外，发光组件基板更包括遮光层，且遮光层的弯折部仅部分重叠对应的信号线。藉此，微型发光组件可以在弯折部之间的开口以倾斜于信号线及弯折部的方式设置。因此，遮光层可以改善以高密度设置的信号线或且重复性高的走线所产生的光学狭缝现象，并降低微型发光组件因出光指向性所造成的色彩及亮度不均。另外，遮光层还具有良好的遮光效果，并可减少亮度及色纯度不均，以提升微型发光组件的出光效率及发光组件基板的显示质量。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。