技术特征：
技术总结
一种形成半导体器件的方法包括提供异质结半导体本体。异质结半导体本体包括第一III‑V型半导体层和形成在第一III‑V型半导体层之上的第二III‑V型半导体层。第二III‑V型半导体层具有与第一III‑V型半导体层不同的带隙，使得第一二维电荷载流子气形成在第一与第二III‑V型半导体层之间的界面处。第二III‑V型半导体层具有较厚区段和较薄区段。第一输入‑输出电极形成在较厚区段上。栅极结构和第二输入‑输出形成在较薄区段上。栅极结构与第二III‑V型半导体层的较厚与较薄区段之间的过渡横向间隔开。
技术研发人员：G.库拉托拉;O.赫贝伦
受保护的技术使用者：英飞凌科技奥地利有限公司
技术研发日：2019.03.06
技术公布日：2019.09.13