半导体装置及半导体装置的制造方法与流程

[相关申请案]

本申请案享有将日本专利申请案2018-184646号(申请日：2018年9月28日)作为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

本发明的实施方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术：

近年，随着通信技术及信息处理技术的发达，业界要求半导体装置的小型、薄型化。例如，在nand(notand，与非)型闪存等半导体装置中，就小型、薄型化的观点而言有在同一个配线衬底上积层控制器芯片与存储芯片的三维安装结构。作为三维结构，例如已知利用芯片粘结膜(dieattachfilm：daf)等粘着性树脂覆盖控制器芯片并在粘着性树脂上积层存储芯片的结构(filmondie：fod)或使用硅间隔物积层存储芯片的结构等。

技术实现要素：

本说明书中记载的实施方式提供一种能够实现小型、薄型化的半导体装置及半导体装置的制造方法。

实施方式的半导体装置具备：衬底，在第1面具有第1端子；以及第1半导体芯片，设置在第1面，且具有第2端子。第1半导体芯片在平行于第1面的方向上离开粘着性树脂而设置。此外，该半导体装置具备将第1端子与第2端子电连接的第1连接材。第1连接材的一部分埋入粘着性树脂中。进而，该半导体装置具备设置在衬底的第1面的第2半导体芯片以及设置在第2半导体芯片与第1面之间的粘着性树脂。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体装置的概略性俯视图。

图2是该半导体装置的概略性侧视图。

图3是表示该半导体装置的制造方法的流程图。

图4是表示该半导体装置的制造方法的概略性俯视图。

图5是表示该半导体装置的制造方法的概略性俯视图。

图6是表示该半导体装置的制造方法的概略性俯视图。

图7是表示该半导体装置的制造方法的概略性俯视图。

图8是表示该半导体装置的制造方法的概略性俯视图。

图9是表示该半导体装置的制造方法的概略性俯视图。

图10是表示该半导体装置的晶圆加工的过程的流程图。

图11是第2实施方式的半导体装置的概略性俯视图。

图12是该半导体装置的概略性侧视图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式的半导体装置进行说明。此外，附图是示意图，存在例如厚度与平面尺寸的关系、各层厚度的比率等与实物不同的情况。此外，在实施方式中，对实质上相同的构成要素附上相同的符号，并省略说明。

(第1实施方式)

参照图1及图2，对第1实施方式的半导体装置100的构成进行说明。图1是半导体装置100的概略性俯视图，图2所示的侧视图是从图1所示的箭头a的方向观察半导体装置100时的侧视图。将大致垂直于箭头a的方向设为箭头b。此外，将箭头a的方向设为第1方向，将箭头b的方向设为第2方向。

第1实施方式的半导体装置100具备：衬底102、第1半导体芯片110、第1连接材114、粘着性树脂118、120、及第2半导体芯片124、126、128、130、132、134、136、138。此外，这些构成由模具树脂192掩埋。另外，在图1中，为了进行说明，省略模具树脂192进行图示。

在衬底102的内部形成未图示的配线层，该配线层将第1面104与第2面106之间电连接。在衬底102的第2面106，形成未图示的作为外部连接端子的凸块，能够将半导体装置100与外部电连接。

将从第2面106朝向第1面104的方向设为上方向，将其相反方向设为下方向。

衬底102为大致四边形的板状。

在衬底102的第1面104，设置与下述的第1半导体芯片110电连接的第1端子108。

第1端子108以沿着第1半导体芯片110的外形的方式设置。

第1端子108具有沿着第1方向排列的第1端子108a与第1端子108b。

第1端子108a位于沿着第2方向为衬底102的近前侧，第1端子108b位于沿着第2方向为衬底102的里侧。

第1端子108是使用铜、金等金属并利用印刷、蒸镀、溅镀、镀覆等方法形成。

在衬底102的第1面104，设置了与下述的第2半导体芯片124、126、128、130电连接的第3端子156、以及与下述的第2半导体芯片132、134、136、138电连接的第3端子158。

第3端子156沿着第1方向排列。

第3端子156位于沿着第2方向比第1端子108a更靠近衬底102的近前侧。

第3端子156是使用铜、金等金属并利用印刷、蒸镀、溅镀、镀覆等方法形成。

第3端子158沿着第1方向排列。

第3端子158位于沿着第2方向比第1端子108b更靠近衬底102的里侧。

第3端子158是使用铜、金等金属并利用印刷、蒸镀、溅镀、镀覆等方法形成。

第1端子108、第3端子156及第3端子158从衬底102的第1面104通过内部的配线层电连接至设置在第2面106的焊垫。

第1半导体芯片110例如是半导体存储装置的控制器芯片、接口芯片等。

第1半导体芯片110为大致四边形的板状，且以被衬底102的第1面104的第1端子108包围的方式设置。

未图示的粘着性树脂设置在第1半导体芯片110与衬底102之间。

第1半导体芯片110利用该粘着性树脂固定于衬底102。

在第1半导体芯片110的表面的外周部，第2端子112设置在对应于第1端子108的位置上。

第2端子112是使用铝、铜、铝及铜的合金、金等金属并利用印刷、蒸镀、溅镀、镀覆等方法形成。

第1连接材114是电导电性的弧状接合线，将第2端子112与对应的第1端子108电连接。

第1连接材114的弧状的最高顶部116、117从上方观察时，位于比第1半导体芯片110的外周更向内侧。

作为第1连接材114，使用线径为25μm左右的金属线(例如，金线(au)或铜线(cu))。

粘着性树脂118、120以下表面与衬底102的第1面104直接接触的方式设置。

粘着性树脂118、120具有：粘着性树脂118，设置在沿着第2方向比第1半导体芯片110更为近前侧的第1位置上；以及粘着性树脂120，设置在比第1半导体芯片110更为里侧的第2位置上。

粘着性树脂118为四边形的板状，以最靠近第1半导体芯片110的一边118a与第1半导体芯片110的一边110a大致平行的方式设置。

粘着性树脂120为四边形的板状，以最靠近第1半导体芯片110的一边120a与第1半导体芯片110的一边110b大致平行的方式设置。

粘着性树脂118、120以与第1半导体芯片110之间形成间隙122、123的方式设置。只要能够由模具树脂192掩埋，间隙122、123的大小优选为较小。由于存在未能由模具树脂192掩埋的可能性，因此间隙122、123的大小优选为20μm以上。

粘着性树脂118、120例如是厚度60μm左右的daf，与第1半导体芯片110大致相同或厚10～20μm左右，或者也可比第1半导体芯片110薄。

在第1实施方式中，表示了粘着性树脂118、120的厚度与到顶部116、117的高度相比较薄的情况。此外，粘着性树脂118、120的厚度与到顶部116、117的高度相比可较厚也可较薄。

粘着性树脂118覆盖整个第1端子108a，并掩埋第1连接材114的一部分。粘着性树脂118以与一边118a对向的边118b位于与第3端子156相比沿着第2方向更为里侧的方式设置。

粘着性树脂120覆盖整个第1端子108b，并掩埋第1连接材114的一部分。粘着性树脂120以与一边120a对向的边120b位于与第3端子158相比沿着第2方向更为近前侧的方式设置。

在第1实施方式中，表示了顶部116、117未由粘着性树脂118、120掩埋的情况。此外，顶部116、117可由粘着性树脂118、120掩埋，也可不由粘着性树脂118、120掩埋。

第2半导体芯片124是具有例如nand型闪存等存储元件的存储芯片等。

第2半导体芯片124为大致四边形的板状。

第2半导体芯片124以从上方观察时的外形与粘着性树脂118大致相同的方式，且以接触粘着性树脂118的上表面的方式设置。

第2半导体芯片124在一边124a侧的外周部设置沿着第1方向排列的第4端子160。

第4端子160是使用铝、铜、铝与铜的合金、金等金属并利用印刷、蒸镀、溅镀、镀覆等方法形成。

第2半导体芯片126是具有例如nand型闪存等存储元件的存储芯片等。

第2半导体芯片126为大致四边形的板状。

第2半导体芯片126设置在第2半导体芯片124之上。

在第2半导体芯片126与第2半导体芯片124之间设置未图示的粘着性树脂，第2半导体芯片126利用该粘着性树脂固定于第2半导体芯片124。

第2半导体芯片126以不覆盖第4端子160的方式，相对于第2半导体芯片124向第2方向侧错开设置。

也就是说，第2半导体芯片124与第2半导体芯片126呈阶梯状。

第2半导体芯片126在一边126a侧的外周部设置沿着第1方向排列的第4端子162。

第4端子162是使用铝、铜、铝与铜的合金、金等金属并利用印刷、蒸镀、溅镀、镀覆等方法形成。

第2半导体芯片128例如是具有nand型闪存等存储元件的存储芯片等。

第2半导体芯片128为大致四边形的板状。

第2半导体芯片128设置在第2半导体芯片126之上。

在第2半导体芯片128与第2半导体芯片126之间设置未图示的粘着性树脂，第2半导体芯片128利用该粘着性树脂固定于第2半导体芯片126。

第2半导体芯片128以不覆盖第4端子162的方式，相对于第2半导体芯片126向第2方向侧错开设置。

也就是说，第2半导体芯片126与第2半导体芯片128呈阶梯状。

第2半导体芯片128在一边128a侧的外周部设置沿着第1方向排列的第4端子164。

第4端子164是使用铝、铜、铝与铜的合金、金等金属并利用印刷、蒸镀、溅镀、镀覆等方法形成。

第2半导体芯片130例如是具有nand型闪存等存储元件的存储芯片等。

第2半导体芯片130为大致四边形的板状。

第2半导体芯片130设置在第2半导体芯片128之上。

在第2半导体芯片130与第2半导体芯片128之间设置未图示的粘着性树脂，第2半导体芯片130利用该粘着性树脂固定于第2半导体芯片128。

第2半导体芯片130以不覆盖第4端子164的方式，相对于第2半导体芯片128向第2方向侧错开设置。此时，第2半导体芯片130以从上方观察时与第2端子112重叠的方式设置。

也就是说，第2半导体芯片128与第2半导体芯片130呈阶梯状。

第2半导体芯片130在一边130a侧的外周部设置沿着第1方向排列的第4端子166。

第4端子166是使用铝、铜、铝与铜的合金、金等金属并利用印刷、蒸镀、溅镀、镀覆等方法形成。

第2半导体芯片132例如是具有nand型闪存等存储元件的存储芯片等。

第2半导体芯片132为大致四边形的板状。

第2半导体芯片132以从上方观察时的外形与粘着性树脂120大致相同的方式，且以接触粘着性树脂120的上表面的方式设置。

第2半导体芯片132在一边132a侧的外周部设置沿着第1方向排列的第4端子168。

第4端子168是使用铝、铜、铝与铜的合金、金等金属并利用印刷、蒸镀、溅镀、镀覆等方法形成。

第2半导体芯片134例如是具有nand型闪存等存储元件的存储芯片等。

第2半导体芯片134为大致四边形的板状。

第2半导体芯片134设置在第2半导体芯片132之上。

在第2半导体芯片134与第2半导体芯片132之间设置未图示的粘着性树脂，第2半导体芯片134利用该粘着性树脂固定于第2半导体芯片132。

第2半导体芯片134以不覆盖第4端子168的方式，相对于第2半导体芯片132向第2方向的相反侧错开设置。

也就是说，第2半导体芯片132与第2半导体芯片134呈阶梯状。

第2半导体芯片134在一边134a侧的外周部设置沿着第1方向排列的第4端子170。

第4端子170是使用铝、铜、铝与铜的合金、金等金属并利用印刷、蒸镀、溅镀、镀覆等方法形成。

第2半导体芯片136例如是具有nand型闪存等存储元件的存储芯片等。

第2半导体芯片136为大致四边形的板状。

第2半导体芯片136设置在第2半导体芯片134之上。

在第2半导体芯片136与第2半导体芯片134之间设置未图示的粘着性树脂，第2半导体芯片136利用该粘着性树脂固定于第2半导体芯片134。

第2半导体芯片136以不覆盖第4端子170的方式，相对于第2半导体芯片134向第2方向的相反侧错开设置。

也就是说，第2半导体芯片134与第2半导体芯片136呈阶梯状。

第2半导体芯片136在一边136a侧的外周部设置沿着第1方向排列的第4端子172。

第4端子172是使用铝、铜、铝与铜的合金、金等金属并利用印刷、蒸镀、溅镀、镀覆等方法形成。

第2半导体芯片138例如是具有nand型闪存等存储元件的存储芯片等。

第2半导体芯片138为大致四边形的板状。

第2半导体芯片138设置在第2半导体芯片136之上。

在第2半导体芯片138与第2半导体芯片136之间设置未图示的粘着性树脂，第2半导体芯片138利用该粘着性树脂固定于第2半导体芯片136。

第2半导体芯片138以不覆盖第4端子172的方式，相对于第2半导体芯片136向第2方向的相反侧错开设置。此时，第2半导体芯片138以从上方观察时与第2端子112重叠的方式设置。

也就是说，第2半导体芯片136与第2半导体芯片138呈阶梯状。

第2半导体芯片138在一边138a侧的外周部设置沿着第1方向排列的第4端子174。

第4端子174是使用铝、铜、铝与铜的合金、金等金属并利用印刷、蒸镀、溅镀、镀覆等方法形成。

第2半导体芯片124、126、128、130、132、134、136、138可具备存储单元及解码器等。在使用存储芯片作为第2半导体芯片124、126、128、130、132、134、136、138的情况下，可将控制器用于第1半导体芯片110以控制针对存储芯片的数据的写入及读出。

第2连接材176、178、180、182、184、186、188、190是电导电性的弧状接合线，将第3端子156与第4端子160、162、164、166、以及第3端子158与第4端子168、170、172、174电连接。作为第2连接材176、178、180、182、184、186、188、190，使用线径为25μm左右的金属线(例如，金线(au)或铜线(cu))。

第2连接材176将第3端子156与第4端子160电连接。

第2连接材178将第4端子160与第4端子162电连接。

第2连接材180将第4端子162与第4端子164电连接。

第2连接材182将第4端子164与第4端子166电连接。

第2连接材184将第3端子158与第4端子168电连接。

第2连接材186将第4端子168与第4端子170电连接。

第2连接材188将第4端子170与第4端子172电连接。

第2连接材190将第4端子172与第4端子174电连接。

模具树脂192以密封衬底102、第1半导体芯片110、粘着性树脂118、120、第2半导体芯片124、126、128、130、132、134、136、138的周围的方式设置。

(第1实施方式的半导体装置的效果)

作为第1比较例，对例如粘着性树脂的一部分以覆盖第1半导体芯片110的方式设置的情况进行说明。在这种情况下，粘着性树脂膨胀出第1半导体芯片110的厚度。在该粘着性树脂的上方积层第2半导体芯片124、132等的情况下，如果是较薄的粘着性树脂，就会因膨胀过厚而无法顺利地积层。因此，需要使用120～135μm左右且相比第1半导体芯片110足够厚的粘着性树脂，还要在粘着性树脂的上表面设置使用了硅(si)等的间隔物以使其平坦化。在这种情况下，无法将半导体装置薄型化，且间隔物的成本也成为负担。

作为第2比较例，对例如粘着性树脂以未覆盖第1连接材114的一部分的方式设置在沿着第2方向更远离第1端子108的位置上的情况进行说明。在这种情况下，虽能够在厚度方向上小型化，但在沿着第2方向的方向上无法小型化。

在本实施方式中，粘着性树脂118、120的厚度可与第1半导体芯片110大致相同或厚10～20μm左右，或者比第1半导体芯片110薄，以在与第1半导体芯片110之间形成间隙122、123，且覆盖第1连接材114的一部分的方式设置。

因此，根据本实施方式的半导体装置100，相比第1比较例，能够将半导体装置100薄型化相当于间隔物的厚度与因使用厚度薄的粘着性树脂所相差的厚度的程度。进而，能够抑制间隔物的相应费用。

因此，根据本实施方式的半导体装置100，相比第2比较例，使粘着性树脂118、120接近第1半导体芯片110，能够在沿着第2方向的方向上小型化。

此外，如果粘着性树脂118、120不断变厚，那么就能够在第2半导体芯片124、132的下表面依旧不接触第1连接材114的情况下，而使第2半导体芯片124、132接近第1半导体芯片110。粘着性树脂118、120的厚度较合适为与第1半导体芯片110的厚度大致相同或厚10～20μm左右，但并不限定于此，也可比第1半导体芯片110薄。在这种情况下，更适合于薄型化。

[第1实施方式的半导体装置的制造方法]

接着，参照图3至图10，对第1实施方式的半导体装置100的制造方法进行说明。图3是用来表示半导体装置100的制造方法的流程图。图4至图9是用来表示本实施方式的半导体装置100的制造方法的概略性俯视图。图10是表示半导体装置100的晶圆加工过程的流程图。

(步骤s101：准备衬底的步骤)

如图3及图4所示，准备在内部形成配线且具有第1端子108与第3端子156、158的衬底102。

(步骤s102：将第1半导体芯片配置于衬底的步骤)

如图3及图5所示，在衬底102的第1面104配置第1半导体芯片110并利用未图示的粘着性树脂贴附。此时，该粘着性树脂在因加热而粘度降低的状态下贴附于衬底102的第1面104。之后，该粘着性树脂因冷却而恢复原来的粘度，因此第1半导体芯片110固定于衬底102的第1面104。

(步骤s103：将衬底与第1半导体芯片电连接的步骤)

如图3及图6所示，利用第1连接材114将第1半导体芯片110的第2端子112与衬底102的第1端子108之间电连接。此时，以第1连接材114的弧状的最高顶部116、117从上方观察时位于比第1半导体芯片110的外周更为内侧的方式连接。

(步骤s104：准备第2半导体芯片的步骤)

如图3及图10所示，贴附有粘着性树脂118、120的第2半导体芯片124、132利用以下的步骤来制作。首先，在晶圆正面贴附用来保护元件面的保护胶带(s201)。接着，利用磨石研磨晶圆背面，使晶圆变薄(s202)。在这之后，将经薄化的晶圆贴附于带有粘着性树脂118、120的切割胶带(s203)。随后，剥离保护胶带(s204)。进而，利用刀片切割带有粘着性树脂118、120的晶圆(s205)。经过这种步骤，能够准备多个从上方观察时的外形与粘着性树脂大致相同的第2半导体芯片(s206)。

(步骤s105：将粘着性树脂设置于衬底的步骤)

如图3及图7所示，将设置有第2半导体芯片124的粘着性树脂118与设置有第2半导体芯片132的粘着性树脂120以掩埋第1连接材114的一部分的方式贴附在衬底102的第1面104。此时，第2半导体芯片124、132与第1连接材114以不相互接触的方式配置。在第1实施方式中，表示了顶部116、117未由粘着性树脂118、120掩埋的情况。

(步骤s106：积层第2半导体芯片的步骤)

如图3及图8所示，在贴附有粘着性树脂118的第2半导体芯片124的上表面介隔未图示的粘着性树脂积层第2半导体芯片126、128、130。此外，在贴附有粘着性树脂120的第2半导体芯片132的上表面介隔未图示的粘着性树脂积层第2半导体芯片134、136、138。

(步骤s106：积层第2半导体芯片126的步骤)

第2半导体芯片126设置在第2半导体芯片124之上。

如图3及图8所示，第2半导体芯片126以不覆盖第4端子160的方式，相对于第2半导体芯片124向第2方向侧错开设置。

在第2半导体芯片126与第2半导体芯片124之间设置未图示的粘着性树脂。此时，该粘着性树脂在因加热而粘度降低的状态下贴附于第2半导体芯片124。之后，该粘着性树脂因冷却而恢复原来的粘度，因此第2半导体芯片126利用该粘着性树脂固定于第2半导体芯片124。

也就是说，第2半导体芯片124与第2半导体芯片126呈阶梯状。

(步骤s106：积层第2半导体芯片128的步骤)

第2半导体芯片128设置在第2半导体芯片126之上。

第2半导体芯片128以不覆盖第4端子162的方式，相对于第2半导体芯片126向第2方向侧错开设置。

在第2半导体芯片128与第2半导体芯片126之间设置未图示的粘着性树脂。此时，该粘着性树脂在因加热而粘度降低的状态下贴附于第2半导体芯片126。之后，该粘着性树脂因冷却而恢复原来的粘度，因此第2半导体芯片128利用该粘着性树脂固定于第2半导体芯片126。

也就是说，第2半导体芯片126与第2半导体芯片128呈阶梯状。

(步骤s106：积层第2半导体芯片130的步骤)

第2半导体芯片130设置在第2半导体芯片128之上。

第2半导体芯片130以不覆盖第4端子164的方式，相对于第2半导体芯片128向第2方向侧错开设置。此时，第2半导体芯片130以从上方观察时与第2端子112重叠的方式设置。

在第2半导体芯片130与第2半导体芯片128之间设置未图示的粘着性树脂。此时，该粘着性树脂在因加热而粘度降低的状态下贴附于第2半导体芯片128。之后，该粘着性树脂因冷却而恢复原来的粘度，因此第2半导体芯片130利用该粘着性树脂固定于第2半导体芯片128。

也就是说，第2半导体芯片128与第2半导体芯片130呈阶梯状。

(步骤s106：积层第2半导体芯片134的步骤)

第2半导体芯片134设置在第2半导体芯片132之上。

第2半导体芯片134以不覆盖第4端子168的方式，相对于第2半导体芯片132向第2方向的相反侧错开设置。

在第2半导体芯片134与第2半导体芯片132之间设置未图示的粘着性树脂。此时，该粘着性树脂在因加热而粘度降低的状态下贴附于第2半导体芯片132。之后，该粘着性树脂因冷却而恢复原来的粘度，因此第2半导体芯片134利用该粘着性树脂固定于第2半导体芯片132。

也就是说，第2半导体芯片132与第2半导体芯片134呈阶梯状。

(步骤s106：积层第2半导体芯片136的步骤)

第2半导体芯片136设置在第2半导体芯片134之上。

第2半导体芯片136以不覆盖第4端子170的方式，相对于第2半导体芯片134向第2方向的相反侧错开设置。

在第2半导体芯片136与第2半导体芯片134之间设置未图示的粘着性树脂。此时，该粘着性树脂在因加热而粘度降低的状态下贴附于第2半导体芯片134。之后，该粘着性树脂因冷却而恢复原来的粘度，因此第2半导体芯片136利用该粘着性树脂固定于第2半导体芯片134。

也就是说，第2半导体芯片134与第2半导体芯片136呈阶梯状。

(步骤s106：积层第2半导体芯片138的步骤)

第2半导体芯片138设置在第2半导体芯片136之上。

第2半导体芯片138以不覆盖第4端子172的方式，相对于第2半导体芯片136向第2方向的相反侧错开设置。此时，第2半导体芯片138以从上观察时与第2端子112重叠的方式设置。

在第2半导体芯片138与第2半导体芯片136之间设置未图示的粘着性树脂。此时，该粘着性树脂在因加热而粘度降低的状态下贴附于第2半导体芯片136。之后，该粘着性树脂因冷却而恢复原来的粘度，因此第2半导体芯片138利用该粘着性树脂固定于第2半导体芯片136。

也就是说，第2半导体芯片136与第2半导体芯片138呈阶梯状。

(步骤s107：将衬底与第2半导体芯片电连接的步骤)

如图3及图9所示，使用第2连接材176、178、180、182、184、186、188、190将衬底102与第2半导体芯片124、126、128、130、132、134、136、138电连接。

第2连接材176将第3端子156与第4端子160电连接。

第2连接材178将第4端子160与第4端子162电连接。

第2连接材180将第4端子162与第4端子164电连接。

第2连接材182将第4端子164与第4端子166电连接。

第2连接材184将第3端子158与第4端子168电连接。

第2连接材186将第4端子168与第4端子170电连接。

第2连接材188将第4端子170与第4端子172电连接。

第2连接材190将第4端子172与第4端子174电连接。

(步骤s108：利用模具树脂密封整个构成的步骤)

接着，使用因加热而粘度降低的模具树脂192掩埋整个该构成。进而，通过冷却整个该构成，使被埋入的模具树脂192固化。模具树脂192是利用环氧树脂等绝缘树脂以传递模塑法、压缩模塑法、注射模塑法等模塑法形成。利用以上的步骤，如图1及图2所示，制造本实施方式的半导体装置100。

(第1实施方式的半导体装置的制造方法的效果)

在本实施方式的制造方法中，因为没有贴附间隔物的步骤，所以与第1实施方式的半导体装置的效果中的第1比较例相比能够抑制费用。

此外，因为能够将粘着性树脂与半导体芯片加工为相同大小，所以操作较为容易。

进而，一边提高温度，一边设为低粘度地，用粘着性树脂及模具树脂来掩埋连接材，所以在制造过程中，能够避免连接材脱落、弯曲等破损的情况。

(第2实施方式)

第2实施方式的半导体装置200基本上与第1实施方式的半导体装置100大致同样地构成，但第1连接材214的弧状的最高顶部216、217从上方观察时位于比第1半导体芯片110的外周更为外侧，且由粘着性树脂218、220掩埋，在这点上不同。

参照图11及图12，对第2实施方式的半导体装置200的构成进行说明。图11是第2实施方式的半导体装置200的概略性俯视图，图12所示的侧视图是从图11所示的箭头a的方向观察半导体装置200时的侧视图。

第1连接材214的弧状的最高顶部216、217从上方观察时位于比第1半导体芯片110的外周更为外侧，且由粘着性树脂218、220掩埋。

第1连接材214以不与第2半导体芯片124、132相互接触的方式配置。

粘着性树脂218、220例如是厚度60μm左右的daf，且比第1半导体芯片110厚10～20μm左右。

在第2实施方式中，表示了粘着性树脂218、220的厚度与到顶部216、217的高度相比较厚的情况。

粘着性树脂218、220以在与第1半导体芯片110之间形成间隙222、223的方式设置。只要能够由模具树脂192掩埋，间隙222、223的大小优选为较小。由于存在未能由模具树脂192掩埋的可能性，因此间隙222、223的大小优选为20μm以上。

第2实施方式的半导体装置的制造方法与第1实施方式实质上相同。

(第2实施方式的半导体装置的效果)

在本实施方式中，顶部216、217从上方观察时位于比第1半导体芯片110的外周更为外侧，且由粘着性树脂218、220掩埋。

因此，在将粘着性树脂218、220沿着第2方向更靠近第1半导体芯片110配置时，不用担心第1连接材214与第2半导体芯片124、132接触。也就是说，能够将间隙222、223的大小减小至极限。

此外，与第1实施方式的半导体装置的效果中的第2比较例相比，能够沿着第2方向将第1连接材214埋入粘着性树脂218、220，相应地将半导体装置200小型、薄型化。

此外，粘着性树脂218、220的厚度较适合为与包含到顶部216、217的厚度大致相同，或厚10～20μm左右。此外，粘着性树脂218、220的厚度比第1半导体芯片110的厚度更厚。

(其它实施方式)

在第1实施方式及第2实施方式的图1至图12中，图示了积层4个第2半导体芯片的示例，但第2半导体芯片的积层数并不限定于此。

此外，在第1实施方式及第2实施方式的图1至图12中，图示了仅积层第2半导体芯片的示例，但积层结构并不限定于此。例如，也可在积层的第2半导体芯片间介隔粘着性树脂或间隔物而积层。

进而，虽图示了在沿着第2方向比第1半导体芯片更为近前侧与里侧设置两个粘着性树脂的示例，但也可仅设置于一侧。

粘着性树脂的厚度与到第1连接材顶部的高度相比可较厚也可较薄。此外，顶部可由粘着性树脂掩埋，也可不由粘着性树脂掩埋。

在第1实施方式及第2实施方式的图1至图12中，图示了所有第2连接材连接在下一层的第2半导体芯片或衬底的示例，但第2连接材的连接方法并不限定于此，例如第2连接材从各层直接连接至衬底，或跳过一层连接等。

虽然说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式是作为示例而提出的，并未意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其它各种方式实施，且能够在不脱离发明主旨的范围内进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变化包含在发明的范围及主旨内，并且包含在权利要求中记载的发明及其均等的范围内。

[符号说明]

100半导体装置

102衬底

104第1面

106第2面

108a、108b第1端子

110第1半导体芯片

112第2端子

114第1连接材

116、117顶部

118、120粘着性树脂

122、123间隙

124、126、128、130、132、134、136、138第2半导体芯片

156、158第3端子

160、162、164、166、168、170、172、174第4端子

176、178、180、182、184、186、188、190第2连接材

192模具树脂