1.一种刻蚀设备，其特征在于，包括：
等离子体发生器，用于产生等离子体以对待刻蚀晶圆进行刻蚀；
匀流盘，设置于所述等离子体发生器下方，所述匀流盘包括本体及多个贯穿所述本体的用于容许等离子体通过的通孔；
遮挡板组件，可开合地设置于所述等离子体发生器与所述匀流盘之间，其中，当所述遮挡板组件闭合时，所述匀流盘完全遮挡于所述遮挡板组件下方，当所述遮挡板组件开启时，形成一窗口以暴露出所述匀流盘的一部分，以容许等离子体通过所述窗口到达所述匀流盘；
晶圆移动组件，设置于所述匀流盘下方，用于承载所述待刻蚀晶圆并带动所述待刻蚀晶圆水平方向移动，以使所述待刻蚀晶圆的待刻蚀区域经过所述匀流盘被所述窗口暴露的部分的下方区域。
2.根据权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于：所述遮挡板组件包括至少两片遮挡板。
3.根据权利要求2所述的刻蚀设备，其特征在于：所述遮挡板组件包括第一遮挡板与第二遮挡板，所述第一遮挡板与所述第二遮挡板通过相向平移形成闭合状态，通过反向平移形成所述窗口。
4.根据权利要求2所述的刻蚀设备，其特征在于：所述遮挡板构成所述窗口的限制边的长度大于待刻蚀晶圆的直径。
5.根据权利要求2所述的刻蚀设备，其特征在于：所述遮挡板的材质包括陶瓷、石英、铝中的至少一种。
6.根据权利要求2所述的刻蚀设备，其特征在于：所述遮挡板的外表面镀有yo3。
7.根据权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于：所述匀流盘被所述窗口所暴露部分的面积小于待刻蚀晶圆的面积。
8.根据权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于：所述匀流盘的面积大于待刻蚀晶圆的面积。
9.根据权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于：所述匀流盘的面积小于待刻蚀晶圆的面积，并大于所述待刻蚀晶圆被所述窗口所暴露部分的面积。
10.根据权利要求9所述的刻蚀设备，其特征在于：所述匀流盘的形状包括矩形，且所述匀流盘的长边尺寸大于待刻蚀晶圆的直径，所述匀流盘的短边尺寸大于所述窗口的宽度并小于待刻蚀晶圆的直径。
11.根据权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于：所述遮挡板组件与所述匀流盘之间的距离小于所述遮挡板组件与所述等离子体发生器之间的距离。
12.一种刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
将遮挡板组件开启，形成一窗口暴露出匀流盘的一部分，使等离子体发生器产生的等离子体经过所述窗口到达所述匀流盘，所述匀流盘包括本体及多个贯穿所述本体的用于容许等离子体通过的通孔；
采用晶圆移动组件承载晶圆，并带动晶圆移动，使晶圆的待刻蚀区域经过所述匀流盘被所述窗口暴露的部分的下方区域，并被通过所述匀流盘的等离子体刻蚀。
13.根据权利要求12所述的刻蚀方法，其特征在于：所述晶圆的中心的初始位置位于所述窗口一侧，所述晶圆移动组件带动晶圆从所述窗口一侧起始，沿同一方向平移经过所述匀流盘被所述窗口暴露的部分的下方区域，并到达所述窗口的另一侧。
14.根据权利要求12所述的刻蚀方法，其特征在于：所述晶圆的中心的初始位置位于所述窗口中心，所述晶圆移动组件带动晶圆从所述窗口中心起始，先沿第一方向经过所述匀流盘被所述窗口暴露的部分的下方区域，然后带动晶圆回到初始位置，再沿与所述第一方向相反的第二方向经过所述匀流盘被所述窗口暴露的部分的下方区域。
15.根据权利要求12所述的刻蚀方法，其特征在于：所述遮挡板组件包括第一遮挡板与第二遮挡板，所述第一遮挡板与所述第二遮挡板通过相向平移形成闭合状态，通过反向平移形成所述窗口。
16.根据权利要求12所述的刻蚀方法，其特征在于：所述匀流盘被所述窗口所暴露部分的面积小于待刻蚀晶圆的面积。
17.根据权利要求12所述的刻蚀方法，其特征在于：所述匀流盘的面积大于待刻蚀晶圆的面积。
18.根据权利要求12所述的刻蚀方法，其特征在于：所述匀流盘的面积小于待刻蚀晶圆的面积，并大于所述待刻蚀晶圆被所述窗口所暴露部分的面积。