AlN模板以及发光二极管外延片的制造方法与流程

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种aln模板以及发光二极管外延片的制造方法。

背景技术：

近年来，发光二极管(lightemittingdiode，简称led)作为新一代绿色光源，正在被广泛应用于照明、背光、显示、指示等领域。

外延片是led中的主要构成部分，现有的gan基led外延片包括蓝宝石衬底以及生长在蓝宝石衬底上的gan外延层。由于蓝宝石和gan材料之间存在晶格失配和热失配问题，而aln材料与gan材料、蓝宝石衬底间仅有较小的晶格不匹配，因此常将aln薄膜作为缓冲层置入到蓝宝石衬底和gan之间。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

现有的aln薄膜通常是在低温恒温条件下生长而成，可能会导致生长出的aln薄膜的厚度不均匀，从而影响在其上生长的gan外延层的晶体质量，降低led的发光效率。同时，由于aln与gan外延层之间存在压应力，会使得aln薄膜发生翘曲，且aln薄膜的沉积温度越高，aln薄膜的翘曲越严重。因此，若采用高温恒温生长aln薄膜，又会导致aln层与后续gan外延层之间的匹配性较差，外延片的波长均匀性就越差，led的发光效率较低。

技术实现要素：

本发明实施例提供了一种aln模板以及发光二极管外延片的制造方法，可以改善形成的aln薄膜的均匀性，减少aln薄膜中的压应力，提高led的发光效率。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种aln模板的制造方法，所述制造方法包括：

在衬底上依次沉积多个aln子层，得到aln模板，在远离所述衬底的方向上，多个所述aln子层的沉积温度逐渐增大；

所述在衬底上依次沉积多个aln子层，包括：

沉积一个aln子层后，中断所述aln子层的沉积；

在沉积一个aln子层后的沉积中断时间内，将所述aln子层的沉积温度升高；

沉积下一个aln子层。

进一步地，每个所述aln子层在沉积过程中的沉积温度保持不变。

进一步地，相邻的两个aln子层的沉积温度的差值为50～100℃。

进一步地，相邻的两个aln子层的沉积温度的差值相等。

进一步地，每个所述aln子层在沉积过程中的沉积温度逐渐增大。

进一步地，每个所述aln子层的沉积温度为500～700℃。

进一步地，每个所述aln子层的厚度相等。

进一步地，每个所述aln子层的厚度为5～8nm。

进一步地，每沉积一个aln子层后的沉积中断时间为t，5≤t≤10s。

第二方面，提供了一种发光二极管外延片的制造方法，所述制造方法包括：

采用第一方面所述的制造方法制造aln模板；

在所述aln模板上生长外延层。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

通过在衬底上沉积多个aln子层，得到aln模板。由于aln薄膜的厚度越厚，al原子的聚集越严重，因此在远离衬底的方向上，多个aln子层的沉积温度逐渐增大，可以逐渐加强各个aln子层中al原子的扩散能力，减少al原子的聚集，从而改善形成的aln薄膜的均匀性，保证在aln薄膜上生长的gan外延层的晶体质量，进而提高led的发光效率。同时，本发明通过在沉积一个aln子层后，中断aln子层的沉积，并在沉积一个aln子层后的沉积中断时间内，将aln子层的沉积温度升高，可以使得沉积好的aln子层在一定温度内保持一段时间，以释放aln子层中累积的应力，然后继续沉积下一aln子层，该中断生长的方式可以减少aln子层中累积的应力，从而减少aln的翘曲，提高aln层与后续gan外延层之间的匹配性，提高外延片的波长均匀性，进而提高led的发光效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是传统的aln薄膜的沉积模式示意图；

图2是本发明实施例提供的一种pvd设备的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的一种aln模板的制造方法流程图；

图4是本发明实施例提供的一种aln模板的结构示意图；

图5是本发明实施例提供的另一种aln模板的制造方法流程图；

图6是本发明实施例提供的一种多个aln子层的沉积模式示意图；

图7是本发明实施例提供的另一种多个aln子层的沉积模式示意图；

图8是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的制造方法流程图；

图9是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

为了更好的理解本发明，以下结合附图简单说明下传统的aln薄膜的沉积模式：

图1是传统的aln薄膜的沉积模式示意图，如图1所示，传统的aln薄膜是采用低温恒温的生长方式生长而成的。示例性地，将衬底放置在pvd(physicalvapordeposition，物理气相沉积)设备内，在衬底上沉积得到aln薄膜。

图2是本发明实施例提供的一种pvd设备的结构示意图，如图2所示，pvd设备包括从上至下依次设置的磁控管210、al靶材220、衬底托盘230、加热灯管240和电源(图中未示出)，al靶材220与电源的阴极连接，衬底托盘230设置在电源的阳极上。磁控管210用于提供磁场，电源用于提供电场，反应气体在磁场的洛伦兹力和电场的库仑力的作用下会形成等离子体沿靶材表面附近做圆周运动。衬底100放置在衬底托盘230上，加热灯管240用于加热衬底托盘230，以改变衬底的温度，从而改变aln薄膜的沉积温度。

pvd设备还包括设置在al靶材220和衬底托盘230之间的挡板250，挡板250可移动到al靶材220和衬底托盘230之间，用于中断aln薄膜的生长。

示例性地，如图2所示，当挡板250设置在al靶材220和衬底托盘230上的衬底100之间时，挡板250可以起到阻挡作用，使得形成的aln薄膜沉积在挡板250上，而不会沉积到衬底100上。当挡板250设置在al靶材320和衬底200之外时，形成的aln薄膜即可沉积在衬底100上。

具体地，aln薄膜的形成过程如下：将蓝宝石衬底放置在pvd设备的衬底托盘上，在电源阴极和阳极之间施加电压，ar气中的ar原子在电压作用下被电离，电离过程使部分ar原子电离成为ar离子和电子。电子在电压作用下加速飞向衬底，并在飞向衬底的过程中ar气中的ar原子发生碰撞，电离出大量的ar离子和新的电子，新的电子继续与ar原子碰撞，产生更多的ar离子和电子。ar离子在电压作用下加速轰击al靶材，al靶材会溅射出al原子，al原子与n2气中的n原子反应，以在衬底上形成aln薄膜。

但是随着aln薄膜的沉积，在al靶材表面的部分区域也会形成aln薄膜，表面未形成aln薄膜的区域比表面形成有aln薄膜的区域的溅射速率更快，因此表面未形成aln薄膜的区域溅射出的部分al原子会直接沉积到衬底上，然后再与n原子结合形成aln薄膜。当溅射出来的al原子直接沉积到衬底上时，可能会在衬底上的某些区域聚集，聚集部分的al原子不能与n原子快速反应形成aln薄膜，因此会造成al原子聚集区域形成的aln薄膜的厚度较薄，使得aln薄膜的均匀性变差。

本发明实施例提供了一种aln模板的制造方法，可以在保证aln薄膜的晶体质量的前提下，改善形成的aln薄膜的均匀性。图3是本发明实施例提供的一种aln模板的制造方法流程图，如图3所示，该制造方法包括：

步骤301、提供一衬底。

在本实施例中，衬底可以为蓝宝石衬底。

在执行步骤301之后，执行步骤302之前，该制造方法还可以包括：

将衬底放入pvd设备的衬底托盘上，将衬底送入pvd设备的反应室中；

将pvd设备的反应室抽真空，抽真空的同时开始对衬底进行加热升温，当衬底真空抽至低于1*10^-7torr时，将加热温度稳定在400～600℃，对衬底进行烘烤，烘烤时间为2～12min。

可选地，靶基距(即al靶材至衬底托盘的距离)可以设置为40～90mm，有利于在衬底上形成均匀的aln薄膜。

可选地，在执行步骤302之前，该制造方法还可以包括：

步骤a、向pvd设备的反应室中通入ar、n2和o2，并使反应室压力维持在1～12mtorr。

其中，通入的ar和n2的流量比为1:2～1:10，ar和n2的流量为20～300sccm，o2的流量为ar与n2流量之和的0％～5％，o2的流量为0～3sccm。

通过向pvd的反应室中通入o2，使多个aln子层中掺o，一部分o原子会替代n原子，另一部分o原子会形成填隙原子，而替位o原子和填隙o原子都会使aln晶格产生一定的畸变，增加aln子层的晶格常数，使aln子层和后续gan外延层的晶格常数更接近，有利于减小gan材料中的压应力，改善gan外延层的翘曲。

步骤b、将加热灯管的温度设置到多个aln子层的沉积温度。

在本实施例中，多个aln子层的沉积温度为500～700℃，此时多个aln子层的沉积温度较低，可以保证沉积得到的多个aln子层的晶体质量。

步骤c、使沉积温度稳定10～60s之后，开通电源，打开挡板，对al靶材进行预溅射10～20s。

在本实施例中，电源采用脉冲电源，脉冲电源的脉冲频率固定不变，在200khz～300khz范围之间，脉冲电源的占空比保持不变，在20％～70％之间。脉冲电源的功率保持不变，在1kw～6kw之间。

步骤302、在衬底上依次沉积多个aln子层，得到aln模板。

其中，在远离衬底的方向上，多个aln子层的沉积温度逐渐增大。

进一步地，步骤302可以包括：

沉积一个aln子层后，中断aln子层的沉积；

在沉积一个aln子层后的沉积中断时间内，将aln子层的沉积温度升高；

沉积下一个aln子层。

一方面，由于多个aln子层(以下统称aln层)与gan外延层之间存在压应力，会使得aln层发生翘曲，aln层的沉积温度越高，aln层的翘曲越凸，aln层与后续gan外延层之间的匹配性就越差，外延片的波长均匀性就越差，从而导致led的发光效率较低。因此将多个aln子层的沉积温度设置为由低温逐渐升高，有利于释放多个aln子层中的应力。另一方面，多个aln子层的沉积温度越高，al原子的扩散能力越好，但是若将多个aln子层的沉积温度始终维持在较高值，aln层的翘曲会一直偏凸，不利于翘曲的控制，且会使得多个aln子层的沉积温度接近al靶材的熔点温度，影响al靶材的使用寿命。因此，将各个aln子层的沉积温度设置为由低逐渐升高，可以防止多个aln子层的沉积温度持续维持在接近al靶材的熔点温度。

图4是本发明实施例提供的一种aln模板的结构示意图，如图4所示，aln模板400包括衬底410以及沉积在衬底410上的多个aln子层420。

可选地，每个aln子层420的厚度均相等。将每个aln子层的厚度设置为定量，则只需改变沉积温度即可改变aln子层中al原子的扩散能力，以及aln子层的翘曲程度，以便得到最优的沉积温度的取值。

在本发明的另一种实现方式中，每个aln子层的厚度也可以不相等。例如，沿着多个aln子层420的层叠方向，各个aln子层的厚度逐渐减小。

可选地，每个aln子层420的厚度为5～8nm。此时可以保证各个aln子层中不会累积较大的应力，产生翘曲。

在本发明的另一种实现方式中，每个aln子层420的厚度也可以小于5nm或大于8nm。

可选地，多个aln子层420的总厚度为10～70nm，此时既可以保证多个aln子层420起到降低衬底与gan外延层之间的晶格失配的作用，又可以保证多个aln子层420中不会累积较大应力，产生翘曲。

在本发明的另一种实现方式中，多个aln子层420的总厚度也可以小于10nm，此时多个aln子层420仍可起到降低衬底与gan外延层之间的晶格失配的作用。

示例性地，衬底上依次沉积有第一aln子层、第二aln子层和第三aln子层，第一aln子层、第二aln子层和第三aln子层的沉积温度均为500～700℃，且第三aln子层的沉积温度大于第二aln子层的沉积温度，第二aln子层的沉积温度大于第一aln子层的沉积温度。

本发明实施例通过在衬底上沉积多个aln子层，得到aln模板。由于aln薄膜的厚度越厚，al原子的聚集越严重，因此在远离衬底的方向上，多个aln子层的沉积温度逐渐增大，可以逐渐加强各个aln子层中al原子的扩散能力，减少al原子的聚集，从而改善形成的aln薄膜的均匀性，保证在aln薄膜上生长的gan外延层的晶体质量，进而提高led的发光效率。同时，本发明通过在沉积一个aln子层后，中断aln子层的沉积，并在沉积一个aln子层后的沉积中断时间内，将aln子层的沉积温度升高，可以使得沉积好的aln子层在一定温度内保持一段时间，以释放aln子层中累积的应力，然后继续沉积下一aln子层，该中断生长的方式可以减少aln子层中累积的应力，从而减少aln的翘曲，提高aln层与后续gan外延层之间的匹配性，提高外延片的波长均匀性，进而提高led的发光效率。

本发明实施例提供了另一种aln模板的制造方法，与上述实施例的不同之处仅在于，多个aln子层的沉积方式有所不同。图5是本发明实施例提供的另一种aln模板的制造方法流程图，如图5所示，该制造方法包括：

步骤501、提供一衬底。

在本实施例中，衬底为蓝宝石衬底。

步骤502、在衬底上沉积一个aln子层。

步骤503、中断aln子层的沉积，并将aln子层的沉积温度升高。

在本实施例中，沉积一个aln子层后的沉积中断时间可以为t，5≤t≤10s。t的具体取值可以根据加热灯管的升温速率以及第一沉积温度和第二沉积温度的差值来确定。例如，当加热灯管的最高升温速率约为10℃/s，第一沉积温度和第二沉积温度的差值为50℃时，t的取值为5s。

在具体实现时，可以通过移动挡板中断aln子层的生长，通过改变加热灯管的温度，升高aln子层的沉积温度。

步骤504、沉积下一个aln子层。

步骤505、重复步骤503至步骤504，直至在衬底上依次沉积多个aln子层，得到aln模板。

其中，在远离衬底的方向上，多个aln子层的沉积温度逐渐增大。

在本实施例的一种实现方式中，每个aln子层在沉积过程中的沉积温度保持不变，则每个aln子层均在设定的沉积温度下沉积，从而可以保证各个aln子层中al原子的扩散能力，减小各个aln子层中al原子的聚集。

可选地，相邻的两个aln子层的沉积温度的差值为50～100℃。此时，可以保证各个aln子层的沉积温度平缓过渡，各个aln子层之间的沉积温度不会相差过大或过小。若aln子层之间的沉积温度相差过大，会导致升温幅度较大，加热灯管所需升温时间较长，从而造成产能浪费。若aln子层之间的沉积温度相差过小，会导致升温幅度较小，各个aln子层的沉积温度还是较低，加强al原子的扩散能力的效果较差，对形成的aln薄膜的均匀性的改善作用较弱。

在本发明的另一实现方式中，相邻的两个aln子层的沉积温度的差值也可以小于50℃或者大于100℃，此时仍可起到加强各个aln子层中al原子的扩散能力的效果。

可选地，相邻的两个aln子层的沉积温度的差值相等，与各个aln子层的厚度相等相配合，可以使得多个aln子层的沉积温度均匀升高，以均匀加强各个aln子层中al原子的扩散能力。

示例性地，相邻的两个aln子层的沉积温度的差值均为50℃。

在本发明的另一种实现方式中，多个aln子层中任意相邻的两个aln子层的沉积温度的差值，也可以随着多个aln子层的生长而逐渐增大，以更好的加强al原子的扩散能力。

图6是本发明实施例提供的一种多个aln子层的沉积模式示意图，如图6所示，采用本发明实施例提供的制造方法沉积多个aln子层时，每个aln子层在沉积过程中的沉积温度保持不变。

示例性地，衬底上依次沉积有第一aln子层、第二aln子层和第三aln子层。其中第一aln子层的沉积温度为550℃，第二aln子层的沉积温度为600℃、第三子层的沉积温度为650℃。

在第一aln子层沉积完后，中断aln子层的生长，中断时间为t1。在中断时间t1内，将沉积温度从550℃升高至600℃，继续沉积第二aln子层，0＜t1。同样地，在第二aln子层沉积完后，中断aln子层的生长，中断时间为t2，在中断时间t2内，将沉积温度从600℃升高至650℃，继续沉积第三aln子层，t1＝t2。

在本发明的另一种实现方式中，每个aln子层在沉积过程中的沉积温度逐渐增大，与每个aln子层在沉积过程中的沉积温度保持不变相比，各个aln子层的沉积温度可以随着其厚度的增长而逐渐变大，对al原子的扩散能力的加强效果更好，可以进一步改善形成的aln薄膜的均匀性。

图7是本发明实施例提供的另一种多个aln子层的沉积模式示意图，如图7所示，采用本发明实施例提供的制造方法沉积多个aln子层时，每个aln子层在沉积过程中的沉积温度逐渐增大。

示例性地，衬底上依次沉积有第一aln子层、第二aln子层和第三aln子层。其中第一aln子层的沉积温度范围为500～530℃，第一aln子层的沉积温度在500～530℃范围内逐渐升高。第二aln子层的沉积温度范围为550～580℃，第二aln子层的沉积温度在550～580℃范围内逐渐升高。第三aln子层的沉积温度为600～630℃，第三aln子层的沉积温度在600～630℃范围内逐渐升高。

在第一aln子层沉积完后，中断aln子层的生长，中断时间为t1，在中断时间t1内，将沉积温度从500～530℃升高至550～580℃，继续沉积第二aln子层，0＜t1。同样地，在第二aln子层沉积完后，中断aln子层的生长，中断时间为t2，在中断时间t2内，将沉积温度从550～580℃升高至600～630℃，继续沉积第三aln子层，t1＝t2。

本发明实施例通过在衬底上沉积多个aln子层，得到aln模板。由于aln薄膜的厚度越厚，al原子的聚集越严重，因此在远离衬底的方向上，多个aln子层的沉积温度逐渐增大，可以逐渐加强各个aln子层中al原子的扩散能力，减少al原子的聚集，从而改善形成的aln薄膜的均匀性，保证在aln薄膜上生长的gan外延层的晶体质量，进而提高led的发光效率。同时，本发明通过在沉积一个aln子层后，中断aln子层的沉积，并在沉积一个aln子层后的沉积中断时间内，将aln子层的沉积温度升高，可以使得沉积好的aln子层在一定温度内保持一段时间，以释放aln子层中累积的应力，然后继续沉积下一aln子层，该中断生长的方式可以减少aln子层中累积的应力，从而减少aln的翘曲，提高aln层与后续gan外延层之间的匹配性，提高外延片的波长均匀性，进而提高led的发光效率。

图8是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的制造方法流程图，如图8所示，该制造方法包括：

步骤801、制造aln模板。

在本实施例中，aln模板的制造方法可以参见如图3所示的步骤301至步骤302，或者如图5所示的步骤501至步骤505，本发明在此不再赘述。

具体地，执行完步骤801后，该制造方法还可以包括：

待aln模板降至室温后，将aln模板从pvd设备中取出，然后放在石墨托盘上送入mocvd(metal-organicchemicalvapordeposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备的反应室中进行外延材料的生长。

在本实施例中，可以采用三甲基镓或三乙基镓作为镓源，高纯氮气作为氮源，三甲基铟作为铟源，三乙基硼作为硼源，n型掺杂剂选用硅烷，p型掺杂剂选用二茂镁。

进一步地，在执行步骤802之前，该制造方法还可以包括：

将aln模板放置在mocvd的反应室中进行原位退火处理，退火温度为1000～1200℃，退火压力为200～500torr，退火时间为5～10min，以去除杂质。

需要说明的是，在本实施例中，外延层可以包括依次层叠在aln模板上的三维成核层、二维恢复层、未掺杂的gan层、n型层、前级多量子阱层、多量子阱层、电子阻挡层、p型层和p型欧姆接触层。外延层中的各层均可以采用mocvd方法生长。因此下述生长过程中控制的温度和压力实际上是指mocvd反应室内的温度和压力。

步骤802、在aln模板上生长三维成核层。

在本实施例中，三维成核层可以为gan层。

示例性地，将反应室温度调节至1000～1080℃，反应室压力控制在250～550torr，生长厚度为400～600nm的三维成核层，生长时间为10～30min。

步骤803、在三维成核层上生长二维恢复层。

在本实施例中，二维恢复层可以为gan层。

示例性地，将反应室温度调节至1050～1150℃，反应室压力控制在100～500torr，生长厚度为500～800nm的二维恢复层，生长时间为20～40min。

步骤804、在二维恢复层上生长未掺杂的gan层。

示例性地，将反应室温度调节至1050～1200℃，反应室压力控制在100～500torr，生长厚度为1～2um的未掺杂的gan层。

步骤805、在未掺杂的gan层上生长n型层。

在本实施例中，n型层可以为掺si的gan层，si掺杂浓度可以为10¹⁸cm^-3～10²⁰cm^-3。

示例性地，将反应室温度调节至1050～1200℃，反应室压力控制在100～500torr，生长厚度为1～3um的n型层。

步骤806、在n型层上生长前级多量子阱层。

其中，前级多量子阱层可以由5～10个周期的inaga1-an/gan超晶格结构组成，0<a<0.5。其中，inaga1-an层的厚度可以为1～2nm，gan层的厚度可以为8～15nm。

具体地，步骤806可以包括：

将反应室温度调节至760℃～840℃，反应室压力控制在100～300torr，生长inaga1-an层。

将反应室温度调节至820℃～920℃，反应室压力控制在100～300torr，生长gan层。

步骤807、在前级多量子阱层上生长多量子阱层。

其中，多量子阱层可以包括6～12个周期的超晶格结构，每个超晶格结构均包括inbga1-bn阱层和gan垒层，0.1<b<1。其中inbga1-bn阱层的厚度可以为3～4nm，gan垒层的厚度可以为9～20nm。

具体地，步骤807可以包括：

将反应室温度调节至750～830℃，反应室压力控制在100～500torr，生长inbga1-bn阱层。

将反应室温度调节至850～900℃，反应室压力控制在100～500torr，生长gan垒层。

需要说明的是，inbga1-bn阱层中的in组分大于前级多量子阱层中inaga1-an层中的in组分。

步骤808、在多量子阱层上生长电子阻挡层。

在本实施例中，电子阻挡层可以为p型alzga1-zn层，厚度可以为15～100nm，0.1<z<0.5。

示例性地，将反应室温度调节至900～1000℃，反应室压力控制在100～500torr，生长电子阻挡层。

步骤809、在电子阻挡层上生长p型层。

在本实施例中，p型层可以为p型gan层，厚度为50～300nm，mg的掺杂浓度可以为1×10¹⁸～1×10²⁰cm^-3。

示例性地，将反应室温度调节至850～950℃，反应室压力控制在100～600torr，生长p型层。

步骤810、在p型层上生长p型欧姆接触层。

其中，p型接触层可以为重掺mg的gan层，p型接触层铺设在p型半导体层上，以与芯片制作工艺中形成的透明导电薄膜或者电极之间形成欧姆接触。

示例性地，将反应室温度调节至850～1000℃，反应室压力控制在100～600torr，生长厚度为5～100nm的p型接触层。

在上述步骤完成之后，将反应室的温度降至650～850℃，在氮气气氛进行退火处理5～15min，而后逐渐降至室温，结束发光二极管的外延生长。

图9是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的结构示意图，如图9所示，图9中的发光二极管外延片采用图8所示的制造方法制造而成，该发光二极管外延片包括aln模板以及依次层叠在aln模板901上的三维成核层902、二维恢复层903、未掺杂的gan层904、n型层905、前级多量子阱层906、多量子阱层907、电子阻挡层908、p型层909和p型欧姆接触层910。

本发明实施例通过在衬底上沉积多个aln子层，得到aln模板。由于aln薄膜的厚度越厚，al原子的聚集越严重，因此在远离衬底的方向上，多个aln子层的沉积温度逐渐增大，可以逐渐加强各个aln子层中al原子的扩散能力，减少al原子的聚集，从而改善形成的aln薄膜的均匀性，保证在aln薄膜上生长的gan外延层的晶体质量，进而提高led的发光效率。同时，本发明通过在沉积一个aln子层后，中断aln子层的沉积，并在沉积一个aln子层后的沉积中断时间内，将aln子层的沉积温度升高，可以使得沉积好的aln子层在一定温度内保持一段时间，以释放aln子层中累积的应力，然后继续沉积下一aln子层，该中断生长的方式可以减少aln子层中累积的应力，从而减少aln的翘曲，提高aln层与后续gan外延层之间的匹配性，提高外延片的波长均匀性，进而提高led的发光效率。

以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。