本发明实施例是有关于一种半导体构造及制造方法。
背景技术：
：：半导体构造用于许多种电子器件，例如移动电话、膝上型计算机、台式计算机、平板计算机、手表、游戏系统以及各种其他工业电子产品、商业电子产品及消费者电子产品。半导体构造一般来说包括有源组件及无源组件。有源组件包括晶体管、处理器及存储器，而无源组件则是会影响有源组件的操作的组件(例如，电容器)。技术实现要素：本发明实施例提供一种半导体构造包括模塑层以及第一电容器。所述第一电容器包括位于所述模塑层内的第一垂直导电结构、位于所述模塑层内的第二垂直导电结构、以及位于所述第一垂直导电结构与所述第二垂直导电结构之间的第一高介电常数介电材料。附图说明结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并未按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1到图13a示出根据一些实施例的半导体构造在各个制作阶段的示意性剖视图。图13b示出根据一些实施例的半导体构造在制作期间的示意性俯视图。图14到图22示出根据一些实施例的半导体构造在各个制作阶段的示意性剖视图。[符号的说明]100：半导体构造101、103、112、114、115、117、119、954、972、973、974：导电元件102：有源器件104、105、106、107、108、109、111：垂直导电结构110：介电材料116、952、956、962：绝缘层118：模塑层120：管芯贴合膜202：第一电容器204：第二电容器206：第三电容器208：第四电容器221：第一距离/箭头222：第二距离/箭头223：第一开口224：第三距离/箭头225：第二开口226：第四距离/箭头227：第三开口228、230：箭头229：第四开口302：导电接垫602：薄层699：中间支撑介质802、932：光刻胶804：晶种层806、957：开口902、966：导电材料922：模塑化合物958：导电材料层具体实施方式以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的若干不同的实施例或例子。以下阐述组件及构造的具体例子以简化本公开。当然，这些仅为例子而非旨在进行限制。举例来说，在以下说明中，在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成附加特征从而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开在各种例子中可重复使用参考编号或字母。此种重复使用是为了简明及清晰起见，而自身并不表示所论述的各个实施例或配置之间的关系。此外，为易于说明，本文中可能使用例如“在…下方(beneath)”、“在…下方(below)”、“下部的(lower)”、“在…上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所示出的取向外还囊括器件在使用或操作中的不同取向。装置可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。一些实施例涉及一种半导体构造。根据一些实施例，所述半导体构造包括至少两个电容器，其中第一电容器与第二电容器共享垂直导电结构。第一电容器包括第一垂直导电结构及第二垂直导电结构，其中在第一垂直导电结构与第二垂直导电结构之间设置有第一介电材料。第二电容器包括第二垂直导电结构及第三垂直导电结构，其中在第二垂直导电结构与第三垂直导电结构之间设置有第二介电材料。根据一些实施例，第一电容器具有基于第一垂直导电结构与第二垂直导电结构之间的第一距离而定的第一电容。根据一些实施例，第一电容器的第一电容基于第一介电材料的组合物而定。根据一些实施例，第二电容器具有基于第二垂直导电结构与第三垂直导电结构之间的第二距离而定的第二电容。根据一些实施例，第二电容器的第二电容基于第二介电材料的组合物而定。根据一些实施例，第一距离不同于第二距离，以使得第一电容不同于第二电容。根据一些实施例，第一介电材料的组合物不同于第二介电材料的组合物以使得第一电容不同于第二电容。根据一些实施例，第一距离不同于第二距离，且第一介电材料的组合物不同于第二介电材料的组合物，以使得第一电容不同于第二电容。在一些实施例中，第二介电材料相同于第一介电材料或者具有与第一介电材料相同的组合物。在一些实施例中，所述相同的组合物表示相同的化学性质或相同的介电性质中的至少一者。图1到图22示出根据一些实施例的处于各个制作阶段的半导体构造100。参照图1，根据一些实施例，在中间支撑介质(intermediatesupportmedium)699上方形成(例如，沉积)绝缘层116。在一些实施例中，中间支撑介质699包含玻璃。在一些实施例中，中间支撑介质699是对光透明的。在一些实施例中，中间支撑介质699对紫外(ultraviolet，uv)波长的光是透明的。在一些实施例中，中间支撑介质699用作基础(fundation)、基底(base)或台板(table)以在制作阶段期间固持半导体构造。在一些实施例中，绝缘层116包含聚合物材料(在本文中也被称为聚合物)。在一些实施例中，所述聚合物包括聚苯并二恶唑(polybenzobisoxazole，pbo)、聚酰亚胺(polyimide，pi)、或其他适用的材料中的至少一者。在一些实施例中，使用旋转涂布来施加聚合物。在一些实施例中，在绝缘层116与中间支撑介质699之间设置薄层(thinlayer)602。在一些实施例中，薄层602包括薄膜，例如光转移热转换(lighttransferheatconversion，lthc)层。参照图2，根据一些实施例，在绝缘层116的一部分中形成一个或多个导电元件101、导电元件103及导电元件112。在一些实施例中，在绝缘层116中形成(例如，刻蚀)一个或多个开口，并在开口中形成(例如，沉积)晶种层。在一些实施例中，晶种层包括由导电金属形成的层。在一些实施例中，晶种层包含铜(cu)、钛(ti)、或其他适用的材料中的至少一种。在一些实施例中，导电金属是以生长或沉积中的至少一种方式形成在晶种层上方以形成导电元件101、导电元件103及导电元件112。在一些实施例中，利用电化学镀覆(electrochemicalplating，ecp)来形成导电金属。尽管图中未示出，然而在一些实施例中，导电元件101、导电元件103及导电元件112中的一者或多者的最顶面突出于绝缘层116的最顶面的上方。参照图3，在绝缘层116上方形成光刻胶802且将光刻胶802图案化成具有开口806。在一些实施例中，通过旋涂、喷涂、或其他适用的工艺中的至少一者来形成光刻胶802。光刻胶802包含感光材料，其中光刻胶802的性质(例如，可溶性)会受到光的影响。光刻胶802是负型光刻胶或正型光刻胶。对负型光刻胶而言，负型光刻胶的区域在被光源照射时变得不可溶，因而在随后的显影阶段期间对负型光刻胶施加溶剂会将未被照射的负型光刻胶的区域移除。在负型光刻胶中形成的图案因此是由光源与负型光刻胶之间的模板的不透明的区域界定的图案的负型图案。在正型光刻胶中，被照射的正型光刻胶的区域变得可溶且在显影期间通过施加溶剂而被移除。因此，在正型光刻胶中形成的图案是光源与正型光刻胶之间的模板的透明的区域的正型图像。根据一些实施例，经图案化的光刻胶802的第一部分具有与第一距离221对应的第一尺寸、第二部分具有与第二距离222对应的尺寸、第三部分具有与第三距离224对应的尺寸、以及第四部分具有与第四距离226对应的尺寸。根据一些实施例，在光刻胶802上方形成(例如，沉积)晶种层804。晶种层804包括由一种或多种导电金属(例如，铜或钛)形成的层。在一些实施例中，晶种层804与光刻胶802的轮廓一致。参照图4，根据一些实施例，在晶种层804上方形成(例如，沉积)导电材料902。导电材料902包含金属，例如铜。在一些实施例中，利用ecp来沉积导电材料902。参照图5，在一些实施例中，例如通过化学机械抛光(chemical-mechanicalpolishing，cmp)来移除上覆在光刻胶802上方的导电材料902及晶种层804的部分。参照图6，根据一些实施例，例如通过剥除来移除光刻胶802。在移除光刻胶802以及移除上覆在光刻胶802上方的导电材料902及晶种层804的部分之后，在绝缘层116上方余留有一个或多个垂直导电结构104、垂直导电结构105、垂直导电结构106、垂直导电结构107、垂直导电结构108、垂直导电结构109及垂直导电结构111。在一些实施例中，在以下中的至少一者上有残留的晶种层804：垂直导电结构104、垂直导电结构105、垂直导电结构106、垂直导电结构107、垂直导电结构108、垂直导电结构109、或垂直导电结构111中的至少一者的侧壁或底表面。根据一些实施例，垂直导电结构各自的高度会有所不同，使得一个垂直导电结构的高度不同于不同的垂直导电结构的高度，其中高度是在由箭头228表示的方向上测量的。根据一些实施例，通过以下操作中的至少一者来使垂直导电结构各自的高度有所不同：改变光刻胶802的高度或均匀性且因此改变多个开口806中的至少一个开口806的深度；控制被填充到多个开口806中的至少一个开口806中的导电材料902的量；或者控制从多个开口806中的至少一个开口806移除的导电材料902的量。根据一些实施例，垂直导电结构各自的厚度会有所不同，使得一个垂直导电结构的厚度不同于不同的垂直导电结构的厚度，其中厚度是在由表示第一距离221、第二距离222、第三距离224、第四距离226的箭头中的一者或多者表示的方向上测量的。根据一些实施例，通过以下操作中的至少一者来使垂直导电结构各自的厚度有所不同：改变多个开口806中的至少一个开口806的厚度或宽度；控制被填充到多个开口806中的至少一个开口806中的导电材料902的量；或者控制从多个开口806中的至少一个开口806移除的导电材料902的量。参照图7，在绝缘层116上方且在垂直导电结构105与垂直导电结构106之间形成有源器件102。在有源器件102中或有源器件102上形成导电接垫302以电耦合到有源器件102的内部组件(未示出)。在一些实施例中，利用设置在有源器件102的底表面与绝缘层116之间的管芯贴合膜120来将有源器件102贴合到绝缘层116。在一些实施例中，有源器件102包括从半导体晶片切割出的已知良好管芯(knowngooddie，kgd)。在一些实施例中，利用拾取及放置技术从已经过测试且被识别为kgd的一批器件中选择有源器件102。参照图8，在有源器件102、垂直导电结构104、垂直导电结构105、垂直导电结构106、垂直导电结构107、垂直导电结构108、垂直导电结构109及垂直导电结构111、以及被暴露出的绝缘层116的部分上方形成(例如，沉积)模塑化合物922。在一些实施例中，模塑化合物922包含聚合物材料。模塑化合物922使有源器件102与垂直导电结构104、垂直导电结构105、垂直导电结构106、垂直导电结构107、垂直导电结构108、垂直导电结构109及垂直导电结构111彼此电绝缘。在一些实施例中，模塑化合物922以液体状态沉积且接着被固化以使模塑化合物922凝固。参照图9，将过量的模塑化合物922移除以暴露出以下中的至少一者的上表面：有源器件102、导电接垫302或垂直导电结构104、垂直导电结构105、垂直导电结构106、垂直导电结构107、垂直导电结构108、垂直导电结构109、或垂直导电结构111中的至少一者。在一些实施例中，利用cmp、研磨、或其他适用的工艺中的至少一者来移除过量的模塑化合物922。参照图10，形成光刻胶932并将光刻胶932图案化成暴露出位于垂直导电结构104与垂直导电结构106之间、位于垂直导电结构104与垂直导电结构108之间、位于垂直导电结构109与垂直导电结构107之间以及位于垂直导电结构109与垂直导电结构111之间的模塑化合物922的部分。参照图11，移除被暴露出的模塑化合物922的部分以建立垂直导电结构104与垂直导电结构106之间的第一开口223、垂直导电结构104与垂直导电结构108之间的第二开口225、垂直导电结构107与垂直导电结构109之间的第三开口227以及垂直导电结构109与垂直导电结构111之间的第四开口229。接着移除经图案化的光刻胶932。在一些实施例中，使用刻蚀工艺来将被暴露出的模塑化合物922的部分与经图案化的光刻胶932一起移除，同时保护模塑化合物922的其他部分在刻蚀工艺期间不被移除。第一开口223具有与第一距离221对应的尺寸，第二开口225具有与第二距离222对应的尺寸，第三开口227具有与第三距离224对应的尺寸，且第四开口229具有与第四距离226对应的尺寸。根据一些实施例，模塑化合物922的其余部分被视为模塑层118。参照图12，在模塑层118、有源器件102、垂直导电结构104、垂直导电结构105、垂直导电结构106、垂直导电结构107、垂直导电结构108、垂直导电结构109及垂直导电结构111上方以及在被暴露出的绝缘层116的至少一个部分上方形成(例如，沉积)介电材料110。在一些实施例中，施加不同的介电材料以使第一开口223、第二开口225、第三开口227或第四开口229中的至少两个开口不具有相同的介电材料。在一些实施例中，在施加第一介电材料的同时，第一经图案化的光刻胶(未示出)覆盖第一开口223，以使得第一介电材料几乎不会进入第一开口223而是进入其他开口中的至少一者(例如，第二开口225)。第一经图案化的光刻胶可接着被移除，且可施加第二介电材料来填充第一开口223。由于在第一开口223中不存在第一介电材料，因此第二介电材料进入第一开口223。在一些实施例中，额外的光刻胶或额外的介电材料中的至少一者被实施。在一些实施例中，上述多个介电材料中的至少一者包含聚合物。在一些实施例中，上述多个介电材料中的至少一者包含pbo、pi、或其他适用的材料中的至少一者。在一些实施例中，上述多个介电材料中的至少一者包含聚合物，所述聚合物通过近似25摄氏度(近似25℃)的温度沉积及固化。在近似25℃下对聚合物进行沉积及固化可促进介电质松弛地(relaxed)、充分匹配地(wellmatched)、低应力地固化(lowstresscuring)。在一些实施例中，上述多个介电材料中的至少一者包含二氧化硅(sio2)、旋涂玻璃(spin-on-glass，sog)、或其他适用的材料中的至少一者。在一些实施例中，上述多个介电材料中的至少一者通过低于250℃的温度被沉积及固化成硬化状态。在一些实施例中，上述多个介电材料中的至少一者包含硅的氮化物(sinx)、氮氧化硅(sioxny)或其他适用的材料，其中x及y二者均为正整数。在一些实施例中，当介电材料固化时利用从介电材料进行蒸发来移除与介电材料(例如，sinx)相关联的溶剂。在一些实施例中，利用化学气相沉积(chemicalvapordeposition，cvd)或其他适用的工艺来沉积上述多个介电材料中的至少一者。在一些实施例中，上述多个介电材料中的至少一者包含以cvd方式沉积的sio2。在一些实施例中，利用以下中的至少一者来沉积上述多个介电材料中的至少一者：大气压cvd(atmosphericpressurecvd，apcvd)、亚大气压cvd(sub-atmosphericpressurecvd，sacvd)、等离子体增强cvd(plasmaenhancedcvd，pecvd)、金属有机cvd(metal-organiccvd，mocvd)或其他适用的工艺。在一些实施例中，通过近似180℃的温度沉积上述多个介电材料中的至少一者。在一些实施例中，上述多个介电材料中的至少一者包含二氧化锆-氧化铝-二氧化锆(zro2-al2o3-zro2，有时被称为'zaz')。在一些实施例中，上述多个介电材料中的至少一者包括以下中的至少一者：二氧化锆(zro2)、氧化铝(al2o3)、氧化铪(hfox)、氧化铪硅(hfsiox)、钛酸锆(zrtiox)、二氧化钛(tio2)、氧化钽(taox)或其他适用的材料，其中x是正整数。在一些实施例中，上述多个介电材料中的至少一者包含金属、半金属(metalloid)、元素、化合物或物质的氧化物或氮化物中的至少一者。在一些实施例中，通过近似210℃的温度沉积上述多个介电材料中的至少一者。在一些实施例中，上述多个介电材料中的至少一者包括以下中的至少一者：tio2、钛酸锶(srtio3，有时被称为'sto')、钛酸钡(batio3，有时被称为'bto')、钛酸锶钡(basrtio3，有时被称为'bst')、或钛酸铅锆(pbzrtio3，有时被称为'pzt')或其他适用的材料。在一些实施例中，上述多个介电材料中的至少一者包含钛酸盐(titanate)。在一些实施例中，上述多个介电材料中的至少一者包含高介电常数(high-k)介电材料。根据一些实施例，高介电常数介电材料具有大于3.9的介电常数k。根据一些实施例，高介电常数介电材料包含以下中的至少一者：al2o3、hfo2、zro2、la2o3、tio2、srtio3、laalo3、y2o3、al2oxny、hfoxny、zroxny、la2oxny、tioxny、srtioxny、laaloxny、y2oxny、sion或sinx。根据一些实施例，x介于0.5到3之间。根据一些实施例，y介于0到2之间。在一些实施例中，使用电子枪(electrical-gun，e-gun)来沉积上述多个介电材料中的至少一者。在一些实施例中，通过低于200℃的温度沉积上述多个介电材料中的至少一者。在一些实施例中，使用激光cvd(laser-cvd)来通过低于200℃的温度沉积上述多个介电材料中的至少一者。在一些实施例中，利用液态糊剂(paste)沉积上述多个介电材料中的至少一者。在液态糊剂的沉积时，将上述多个介电材料中的至少一者的沉积材料固化及硬化。根据一些实施例，上述多个介电材料中的至少一者包含模塑材料，例如模塑化合物922或其他适用的材料。根据一些实施例，第一开口223、第二开口225、第三开口227、或第四开口229中的一者或多者不被形成，使模塑层118作为介电材料110余留在垂直导电结构104、垂直导电结构106、垂直导电结构108、垂直导电结构107、垂直导电结构109、或垂直导电结构111中的至少一些垂直导电结构之间。根据一些实施例，如果第一开口223、第二开口225、第三开口227或第四开口229均不被形成，使模塑层118作为介电材料110余留在所有的垂直导电结构104、垂直导电结构106、垂直导电结构108、垂直导电结构107、垂直导电结构109及垂直导电结构111之间，则省略针对图10所述的光刻胶932。参照图13a，根据一些实施例，将过量的介电材料移除以暴露出以下中的至少一者的上表面：模塑层118、有源器件102、或者垂直导电结构104、垂直导电结构105、垂直导电结构106、垂直导电结构107、垂直导电结构108、垂直导电结构109、或垂直导电结构111中的至少一者。在一些实施例中，利用cmp、研磨、或其他适用的工艺中的至少一者来移除过量的介电材料。位于两个相邻的垂直导电结构之间的介电材料的厚度对应于这两个相邻的垂直导电结构之间的距离，例如第一距离221、第二距离222、第三距离224、第四距离226。在一些实施例中，第一开口223、第二开口225、第三开口227、或第四开口229中的至少一者未被介电材料完全填满。在一些实施例中，两个相邻的垂直导电结构之间的至少一些介电材料的最上表面低于这两个相邻的垂直导电结构中的至少一者的最上表面。根据一些实施例，两个相邻的垂直导电结构之间的介电材料的高度小于这两个相邻的垂直导电结构中的至少一者的高度，其中高度是在由箭头228表示的方向上测量的。根据一些实施例，两个相邻的垂直导电结构之间的介电材料的相应的高度有所不同，使得介电材料的第一实例的高度不同于介电材料的第二实例的高度。根据一些实施例，通过以下操作中的至少一者来使介电材料的各个实例的相应的高度有所不同：改变第一开口223、第二开口225、第三开口227、或第四开口229中的至少一者的深度；控制被填充到第一开口223、第二开口225、第三开口227、或第四开口229中的至少一者中的介电材料110的量；或者控制从第一开口223、第二开口225、第三开口227、或第四开口229中的至少一者移除的介电材料110的量。在一些实施例中，两个相邻的垂直导电结构之间的空间不被介电材料110完全填满。在一些实施例中，实行钝化工艺以在以下中的至少一者的上表面上方形成(例如，生长)由钝化材料(未示出)(例如，氧化物或氮化物)形成的薄层：介电材料110、模塑层118、有源器件102、或垂直导电结构104、垂直导电结构105、垂直导电结构106、垂直导电结构107、垂直导电结构108、垂直导电结构109、或垂直导电结构111中的至少一者。在一些实施例中，将钝化材料层图案化以使钝化材料层余留在以下中的一者或多者但并非全部上方：介电材料110、模塑层118、有源器件102、或垂直导电结构104、垂直导电结构105、垂直导电结构106、垂直导电结构107、垂直导电结构108、垂直导电结构109、或垂直导电结构111中的至少一者。图13b示出半导体构造在图13a所示制作阶段的俯视图。在图13b中示出元件的长度，其中长度是在由箭头230表示的方向上测量的。长度垂直于图13a所示页面。在一些实施例中，垂直导电结构各自的长度有所不同，使得一个垂直导电结构的长度不同于不同的垂直导电结构的长度。根据一些实施例，通过以下操作中的至少一者来使垂直导电结构各自的长度有所不同：改变多个开口806中的至少一个开口806的长度；控制被填充到多个开口806中的至少一个开口806中的导电材料902的量；或者控制从多个开口806中的至少一个开口806移除的导电材料902的量。根据一些实施例，两个相邻的垂直导电结构之间的介电材料各自的长度有所不同，使得介电材料的第一实例的长度不同于介电材料的第二实例的长度。根据一些实施例，通过以下操作中的至少一者来使介电材料的各实例各自的长度有所不同：改变第一开口223、第二开口225、第三开口227、或第四开口229中的至少一者的长度；控制被填充到第一开口223、第二开口225、第三开口227、或第四开口229中的至少一者中的介电材料110的量；或者控制从第一开口223、第二开口225、第三开口227、或第四开口229中的至少一者移除的介电材料110的量。根据一些实施例，模塑层118接触上述多个垂直导电结构中的至少一者。根据一些实施例，模塑层118接触两个相邻的垂直导电结构之间的至少一些介电材料。根据一些实施例，垂直导电结构是垂直导电板。根据一些实施例，垂直导电板在由箭头230指示的方向上的尺寸大于垂直导电板在由箭头221、箭头222、箭头224、箭头226中的一者或多者指示的方向上的尺寸。根据一些实施例，垂直导电结构处于半导体构造100的通孔层中。根据一些实施例，由模塑层118的一个或多个实例来替换垂直导电结构104、垂直导电结构106、垂直导电结构108、垂直导电结构107、垂直导电结构109及垂直导电结构111之间的介电材料110的一个或多个实例，以使得模塑层118位于垂直导电结构104、垂直导电结构106、垂直导电结构108、垂直导电结构107、垂直导电结构109、或垂直导电结构111中的至少两个垂直导电结构之间。根据一些实施例，两个垂直导电结构之间的模塑层118的实例用作包括这两个垂直导电结构的电容器的介电质。参照图14，在垂直导电结构106、垂直导电结构108、垂直导电结构107及垂直导电结构111上方形成导电元件114、导电元件115、导电元件117及导电元件119。在一些实施例中，形成(例如，沉积)导电材料层并例如利用光刻胶来将导电材料层图案化以形成导电元件114、导电元件115、导电元件117及导电元件119。在一些实施例中，导电材料层包含金属(例如铜)或其他适用的材料。在一些实施例中，利用ecp或其他适用的工艺来沉积导电材料层。在一些实施例中，导电材料层界定重布线层(redistributionlayer，rdl)。参照图15，在介电材料110、模塑层118、有源器件102、导电元件114、导电元件115、导电元件117、或导电元件119中的至少一者以及垂直导电结构104、垂直导电结构105、垂直导电结构106、垂直导电结构107、垂直导电结构108、垂直导电结构109、或垂直导电结构111中的至少一者上方形成(例如，沉积)绝缘层952。在一些实施例中，绝缘层952包含聚合物材料或其他适用的材料。在一些实施例中，绝缘层952包含pbo。在一些实施例中，绝缘层952包含pi。在一些实施例中，例如利用光刻胶来将绝缘层952图案化以形成多个开口，所述多个开口暴露出垂直导电结构105、垂直导电结构109、导电元件114、导电元件115、导电元件117及导电元件119以及导电接垫302。在一些实施例中，在绝缘层952上方形成(例如，沉积)导电材料层。例如利用光刻胶来将导电材料层图案化以形成导电元件954。在一些实施例中，导电材料层包含金属(例如铜)或其他适用的材料。在一些实施例中，利用ecp或其他适用的工艺来沉积导电材料层。在一些实施例中，具有导电元件954的膜层是重布线层的一部分。在一些实施例中，形成导电元件954包括在界定上述多个开口的内表面或侧壁上方形成晶种层(未示出)，所述多个开口暴露出垂直导电结构105及垂直导电结构109、导电元件114、导电元件115、导电元件117及导电元件119以及导电接垫302。在一些实施例中，晶种层包含金属。在一些实施例中，晶种层包含铜、钛、或其他适用的材料中的至少一者。参照图16，在导电元件954上方以及在被暴露出的绝缘层952的部分上方形成(例如，沉积)绝缘层956。在一些实施例中，绝缘层956包含聚合物材料或其他适用的材料。在一些实施例中，绝缘层956包含pi。在一些实施例中，绝缘层956包含pbo。在一些实施例中，例如利用光刻胶来将绝缘层956图案化以形成多个开口957，上述多个开口957对准其中形成有导电元件954的绝缘层952中的上述多个开口中的至少一些开口。在一些实施例中，上述多个开口957暴露出导电接垫302、导电元件114及垂直导电结构109。参照图17，在绝缘层956上方形成(例如，沉积)导电材料层958。在一些实施例中，导电材料层958的一些部分接触上覆在导电接垫302、导电元件114及垂直导电结构109上的导电元件954。在一些实施例中，导电材料层958包含金属(例如铜)或其他适用的材料。在一些实施例中，利用ecp或其他适用的工艺来沉积导电材料层958。在一些实施例中，所沉积的导电材料层958界定重布线层。参照图18，例如利用光刻胶来将导电材料层958图案化。在一些实施例中，利用湿法酸刻蚀或其他适用的工艺来将导电材料层958图案化。在一些实施例中，将导电材料层958图案化成具有电耦合到导电接垫302的第一部分、电耦合到导电元件114的第二部分以及电耦合到垂直导电结构109的第三部分。参照图19，在导电材料层958上方以及在被暴露出的绝缘层956的部分上方形成(例如，沉积)绝缘层962。在一些实施例中，绝缘层962包含聚合物材料或其他适用的材料。在一些实施例中，绝缘层962包含pi、pbo、或其他适用的材料中的至少一种。在一些实施例中，利用旋转涂布或其他适用的工艺来沉积绝缘层962。参照图20，例如利用光刻胶来将绝缘层962图案化以形成暴露出导电材料层958的一些部分的多个开口，且在绝缘层962的一些部分以及被暴露出的导电材料层958的一些部分上方形成(例如，沉积)导电材料966。在一些实施例中，使用湿法酸刻蚀或其他适用的工艺来将绝缘层926图案化。在一些实施例中，导电材料966包含金属(例如铜)或其他适用的材料。在一些实施例中，在绝缘层962上方以及在被暴露出的导电材料层958的部分上方形成导电材料层。将导电材料层图案化以建立图20所示由导电材料966形成的元件。参照图21，在导电材料966上方形成导电元件972至导电元件974。在一些实施例中，利用回焊工艺(reflowprocess)形成导电元件972至导电元件974。在一些实施例中，导电元件972至导电元件974包含导电金属(例如铜)或其他适用的材料。在一些实施例中，导电元件972至导电元件974具有球形构造或类球状构造。在一些实施例中，导电元件972至导电元件974包括球结构。在一些实施例中，导电元件972至导电元件974包括球下金属(underballmetal，ubm)结构的组件。在一些实施例中，ubm结构包括球栅阵列(ballgridarray，bga)的组件。参照图22，从绝缘层116移除中间支撑介质699以形成半导体构造100。根据一些实施例，利用电磁辐射(electromagneticradiation)来照射或辐照薄层602。在一些实施例中，电磁辐射包括光。在一些实施例中，电磁辐射包括紫外光。在一些实施例中，薄层602经由中间支撑介质699而暴露到电磁辐射。辐照或照射薄层602会使薄层602的物理性质、化学性质或材料性质中的至少一者发生改变，从而使中间支撑介质699可从绝缘层116移除。根据一些实施例，半导体构造100具有至少两对电容器，其中第一对电容器具有第一电容器202及第二电容器204且第二对电容器具有第三电容器206及第四电容器208。根据一些实施例，在半导体构造100内包括更多或更少的电容器。根据一些实施例，电容器的垂直导电结构是垂直导电板。根据一些实施例，垂直导电结构处于半导体构造的通孔层中。第一电容器202是由垂直导电结构106、垂直导电结构104、以及垂直导电结构106与垂直导电结构104之间的介电材料110界定的。根据一些实施例，第一电容器202具有基于垂直导电结构106与垂直导电结构104之间的第一距离221而定的第一电容。根据一些实施例，第一电容器202的第一电容基于垂直导电结构106与垂直导电结构104之间的介电材料110的组合物而定。根据一些实施例，第一电容器202的第一电容基于垂直导电结构106或垂直导电结构104中的至少一者的高度、厚度、或长度中的至少一者而定。根据一些实施例，第一电容器202的第一电容基于垂直导电结构106与垂直导电结构104之间的介电材料110的高度、厚度、或长度中的至少一者而定。第二电容器204是由垂直导电结构104、垂直导电结构108、以及垂直导电结构104与垂直导电结构108之间的介电材料110界定的。根据一些实施例，第二电容器204具有基于垂直导电结构104与垂直导电结构108之间的第二距离222而定的第二电容。根据一些实施例，第二电容器204的第二电容基于垂直导电结构104与垂直导电结构108之间的介电材料110的组合物而定。根据一些实施例，第二电容器204的第二电容基于垂直导电结构104或垂直导电结构108中的至少一者的高度、厚度、或长度中的至少一者而定。根据一些实施例，第二电容器204的第二电容基于垂直导电结构104与垂直导电结构108之间的介电材料110的高度、厚度、或长度中的至少一者而定。第三电容器206是由垂直导电结构107、垂直导电结构109、以及垂直导电结构107与垂直导电结构109之间的介电材料110界定的。根据一些实施例，第三电容器206具有基于垂直导电结构107与垂直导电结构109之间的第三距离224而定的第三电容。根据一些实施例，第三电容器206的第三电容基于垂直导电结构107与垂直导电结构109之间的介电材料110的组合物而定。根据一些实施例，第三电容器206的第三电容基于垂直导电结构107或垂直导电结构109中的至少一者的高度、厚度、或长度中的至少一者而定。根据一些实施例，第三电容器206的第三电容基于垂直导电结构107与垂直导电结构109之间的介电材料110的高度、厚度、或长度中的至少一者而定。第四电容器208是由垂直导电结构109、垂直导电结构111、以及垂直导电结构109与垂直导电结构111之间的介电材料110界定的。根据一些实施例，第四电容器208具有基于垂直导电结构109与垂直导电结构111之间的第四距离226而定的第四电容。根据一些实施例，第四电容器208的第四电容基于垂直导电结构109与垂直导电结构111之间的介电材料110的组合物而定。根据一些实施例，第四电容器208的第四电容基于垂直导电结构109或垂直导电结构111中的至少一者的高度、厚度、或长度中的至少一者而定。根据一些实施例，第四电容器208的第四电容基于垂直导电结构109与垂直导电结构111之间的介电材料110的高度、厚度、或长度中的至少一者而定。在一些实施例中，使用图3所示单一光刻胶802以高效地、经济地等方式来制作半导体构造100的至少一些部分。举例而言，单一光刻胶建立第一距离221、第二距离222、第三距离224及第四距离226，其中电容器各自的电容是这些距离的函数。单一光刻胶也建立开口806、第一开口223、第二开口225、第三开口227、第四开口229的尺寸(例如，长度、深度、高度、宽度等)，其中半导体构造的特征、元件等的尺寸是这些开口的尺寸的函数，且半导体构造的电容器的电容是半导体构造的特征、元件等的尺寸的函数。在一些实施例中，在电路中构建具有不同的电容器的半导体构造100，所述不同的电容器具有相应的电容。分别经由导电元件972、导电元件973及导电元件974来分别向有源器件102、垂直导电结构106及垂直导电结构109施加电压。根据一些实施例，例如经由导电元件973被施加到垂直导电结构106的电压还例如经由穿过绝缘层962、绝缘层956及绝缘层952的一个或多个电连接件(未示出)或者例如经由绝缘层116中的一个或多个电连接件(未示出)而被施加到垂直导电结构108、垂直导电结构107或垂直导电结构111中的至少一者，以将垂直导电结构106、垂直导电结构108、垂直导电结构107、或垂直导电结构111中的至少一者连接到垂直导电结构106、垂直导电结构108、垂直导电结构107、或垂直导电结构111中的一个不同的垂直导电结构。根据一些实施例，例如经由导电元件974被施加到垂直导电结构109的电压还例如经由穿过绝缘层962、绝缘层956及绝缘层952的一个或多个电连接件(未示出)或者例如经由绝缘层116中的一个或多个电连接件(未示出)而被施加到垂直导电结构104或垂直导电结构105中的至少一者，以将垂直导电结构104、垂直导电结构105、或垂直导电结构109中的至少一者连接到垂直导电结构104、垂直导电结构105、或垂直导电结构109中的一个不同的垂直导电结构。根据一些实施例，被施加到垂直导电结构104、垂直导电结构105、或垂直导电结构109中的至少一者的电压是经由导电元件101、导电元件103、或导电元件112中的至少一者施加的。根据一些实施例，被施加到以下中的至少一者的电压是电源供应电压(supplyvoltage)：有源器件102或垂直导电结构106、垂直导电结构108、垂直导电结构107、或垂直导电结构111中的至少一者。根据一些实施例，被施加到垂直导电结构104、垂直导电结构105或垂直导电结构109中的至少一者的电压是地电压(ground)或零电压(zerovolt)。根据一些实施例，被施加到以下中的至少一者的电压是地电压或零电压：有源器件102或垂直导电结构106、垂直导电结构108、垂直导电结构107、或垂直导电结构111中的至少一者。根据一些实施例，被施加到垂直导电结构104、垂直导电结构105、或垂直导电结构109中的至少一者的电压是电源供应电压。在一些实施例中，电容器用于减小或抑制与有源器件102的操作相关的电噪声(electricalnoise)。在一些实施例中，电容器用于调节与有源器件102的操作相关的电压的电平(alevelofavoltage)。在一些实施例中，电容器用作与有源器件102相关的解耦合电容器。在一些实施方式中，电容器用作解耦合电容器来与例如以下器件的射频(radiofrequency，rf)收发器(tx/rx)模块一起使用：移动电话及“智能”电话(mobileand“smart”phones)、平板式(padstyle)及其他小形状因数(smallformfactor)、轻量级或电源高效的计算及通信器件(lightweightorpowerefficientcomputingandcommunicationdevice)、便携式数据终端(portabledataterminal，pdt)以及个人数字助理(personaldigitalassistant，pda)器件或者各种商业电子器件、工业电子器件、技术电子器件以及消费者电子器件。在一些实施方式中，电容器用作解耦电容器来与系统芯片(system-on-chip，soc)及阵列处理器(arrayprocessor，ap)电子产品一起使用。在一些实施例中，电容器包括金属-绝缘体-金属的电容器(metal-insulator-metalcapacitor，mimcap)。在一些实施方式中，使用mimcap来提供具有各种用途的解耦合电容器(decouplingcapacitor，decap)功能。在一些实施例中，电容器包括一组可按比例缩放的mimcap以用于各种decap应用。在一些实施例中，包括电容器的单个info(integratedfan-out)或tiv(throughinsulatorvia)配置的mimcap组实现足够的decap来与第一“物联网(internet-of-things，iot)”或射频收发器应用一起使用。在一些实施例中，两(2)个info或tiv配置的mimcap组实现足够的decap来与第二iot及射频收发器应用一起使用。在一些实施例中，五(5)个mimcapinfo/tiv组实现足够的decap来与第三iot及射频收发器应用一起使用。在一些实施例中，半导体构造100符合可按比例缩放的金属对金属(metal-on-metal，mom)结构配置。在一些实施例中，半导体构造100的mom结构符合方型(方的)info-tiv配置。在一些实施例中，半导体构造100符合垂直镀覆的通孔或者以info配置排列的tiv电极。在一些实施例中，方形info-tiv配置的特征是具有显著的纵横比。在一些实施例中，表征方形info-tiv配置的纵横比和电容器的'板(plates)'对应的面积相关，其中电容器的'板'由电容器的所述两个垂直导电结构界定。相对短的互连件表征半导体构造的导电结构且与快的操作速度及低的关联延迟时间相关。根据一些实施例，提供一种半导体构造。所述半导体构造包括模塑层以及第一电容器。所述第一电容器包括位于所述模塑层内的第一垂直导电结构、位于所述模塑层内的第二垂直导电结构、以及位于所述第一垂直导电结构与所述第二垂直导电结构之间的第一高介电常数介电材料。根据一些实施例，所述半导体构造中，所述模塑层接触所述第一高介电常数介电材料。根据一些实施例，所述半导体构造包括第二电容器，所述第二电容器包括：所述第二垂直导电结构；第三垂直导电结构，位于所述模塑层内；以及第二高介电常数介电材料，位于所述第二垂直导电结构与所述第三垂直导电结构之间。根据一些实施例，所述半导体构造中，所述第一高介电常数介电材料不同于所述第二高介电常数介电材料。根据一些实施例，所述半导体构造包括位于所述模塑层中的有源器件，其中所述有源器件通过所述模塑层而与所述第一垂直导电结构间隔开。根据一些实施例，所述半导体构造包括位于所述第二垂直导电结构下方的导电元件。根据一些实施例，所述半导体构造包括位于所述第二垂直导电结构下方的绝缘层，其中所述导电元件嵌置在所述绝缘层中。根据一些实施例，所述半导体构造包括：第三垂直导电结构，位于所述模塑层内，其中所述第三垂直导电结构通过所述模塑层而与所述第二垂直导电结构间隔开。根据一些实施例，所述半导体构造包括：第一绝缘层，位于所述第一垂直导电结构及所述第二垂直导电结构下方且接触所述第一垂直导电结构；以及第二绝缘层，位于所述第一垂直导电结构及所述第二垂直导电结构上方且接触所述第二垂直导电结构。根据一些实施例，提供一种制作半导体构造的方法。所述方法包括将有源器件置于绝缘层上方。在所述绝缘层上方形成第一垂直导电结构。在所述有源器件与所述第一垂直导电结构之间界定有第一开口。在所述绝缘层上方形成第二垂直导电结构。在所述第一垂直导电结构与所述第二垂直导电结构之间界定有第二开口。在所述第一开口中形成模塑化合物。在所述第二开口中形成第一介电材料。电容器包括所述第一垂直导电结构、所述第二垂直导电结构以及位于所述第一垂直导电结构与所述第二垂直导电结构之间的所述第一介电材料。根据一些实施例，所述方法包括：在所述绝缘层上方形成第三垂直导电结构，其中在所述第二垂直导电结构与所述第三垂直导电结构之间界定有第三开口；以及在所述第三开口中形成所述第一介电材料。根据一些实施例，所述方法中，包括：在所述绝缘层上方形成第三垂直导电结构，其中在所述第二垂直导电结构与所述第三垂直导电结构之间界定有第三开口；以及在所述第三开口中形成第二介电材料，所述第二介电材料不同于所述第一介电材料。根据一些实施例，所述方法中，所述第一介电材料是高介电常数介电材料。根据一些实施例，所述方法包括：在所述绝缘层上方形成第三垂直导电结构，其中在所述第二垂直导电结构与所述第三垂直导电结构之间界定有第三开口；在所述绝缘层上方形成第四垂直导电结构，其中在所述第三垂直导电结构与所述第四垂直导电结构之间界定有第四开口，其中：形成所述模塑化合物包括在所述第四开口中形成所述模塑化合物；以及在所述有源器件、所述第一垂直导电结构、所述第二垂直导电结构、所述第三垂直导电结构及所述第四垂直导电结构上方形成第二绝缘层，其中所述第二绝缘层被形成为接触所述第四开口中的所述模塑化合物。根据一些实施例，所述方法包括：在形成所述第二绝缘层之前在所述第一垂直导电结构上方形成导电元件。根据一些实施例，所述方法中，所述绝缘层与所述第二绝缘层包含不同的材料。根据一些实施例，提供一种制作半导体构造的方法。所述方法包括在绝缘层上方形成光刻胶。将所述光刻胶图案化以界定第一开口及第二开口。在所述第一开口中形成第一垂直导电结构。在所述第二开口中形成第二垂直导电结构。移除所述光刻胶。在移除所述光刻胶后，在所述第一垂直导电结构与所述第二垂直导电结构之间界定有第三开口。在所述绝缘层上方放置有源器件。在所述第一垂直导电结构与所述有源器件之间界定有第四开口。在所述第四开口中形成模塑化合物。在所述第三开口中形成介电材料。电容器包括所述第一垂直导电结构、所述第二垂直导电结构及位于所述第一垂直导电结构与所述第二垂直导电结构之间的所述介电材料。根据一些实施例，所述方法包括：在形成所述光刻胶之前在所述绝缘层上方形成导电元件，其中所述图案化包括对所述光刻胶进行刻蚀以在所述导电元件上方界定所述第二开口。根据一些实施例，所述方法中，形成所述第二垂直导电结构包括将所述第二垂直导电结构形成为接触所述导电元件。根据一些实施例，所述方法中，所述第一介电材料是高介电常数介电材料。以上概述了若干实施例的特征，以使所属领域中的技术人员可更好地理解本公开的各个方面。所属领域中的技术人员应知，其可容易地使用本公开作为设计或修改其他工艺及结构的基础来施行与本文中所介绍的实施例相同的目的或实现与本文中所介绍的实施例相同的优点。所属领域中的技术人员还应认识到，这些等效构造并不背离本公开的精神及范围，而且他们可在不背离本公开的精神及范围的条件下对其作出各种改变、代替及更改。尽管已采用结构特征或方法动作专用的语言阐述了本发明主题，然而应理解，随附权利要求的主题未必仅限于上述具体特征或动作。而是，上述具体特征及动作是作为实施权利要求中的至少一些权利要求的示例性形式而公开的。本文中提供实施例的各种操作。阐述一些或所有所述操作时的次序不应被理解为暗示这些操作必须依照次序进行。应理解，替代次序也将具有本说明的有益效果。此外，应理解，并非所有操作均必须存在于本文中提供的每一实施例中。另外，应理解，在一些实施例中，并非所有操作均是必要的。应理解，在一些实施例中，例如出于简洁及便于理解的目的，本文中绘示的层、特征、元件等是以相对于彼此的特定尺寸(例如，结构尺寸或取向)进行例示，且所述层、特征、元件等的实际尺寸实质上不同于本文中所例示的尺寸。另外，举例来说，存在例如以下中的至少一者等各种技术来形成本文中所提及的层、区域、特征、元件等：刻蚀技术、平坦化技术、植入技术、掺杂技术、旋涂技术、溅射技术、生长技术或沉积技术(例如，化学气相沉积(cvd))。此外，本文中使用“示例性”来指充当例子、实例、示例等，而未必指为有利的。本申请中使用的“或”旨在指包含的“或”而不是指排他的“或”。另外，本申请及随附权利要求书中使用的“一(a及an)”通常被视为指“一个或多个”，除非另有指明或从上下文中清楚地表明指单数形式。另外，a及b中的至少一者等表述通常指a或b、或a与b两者。此外，就使用“包括(includes)”、“具有(having、has)”、“带有(with)”或其变型而言，这些用语旨在以类似于用语“包括(comprising)”的方式表示包含。另外，除非另有指明，否则“第一”、“第二”等并不旨在暗示时间方面、空间方面、次序等。确切来说，这些用语仅用作特征、元件、项目等的识别符、名称等。例如，第一元件及第二元件通常对应于元件a及元件b、或两个不同元件、或两个相同元件、或同一元件。另外，尽管已示出并针对一种或多种实施方式阐述了本公开，然而所属领域中的一般技术人员在阅读及理解本说明书及附图后将想到等效更改及修改形式。本公开包括所有此类修改及更改形式，且仅受限于以上权利要求书的范围。特别对于由上述组件(例如，元件、资源等)执行的各种功能而言，用于阐述此类组件的用语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如，功能上等效的)的任意组件(除非另有表明)，即使所述组件在结构上不与所公开的结构等效。另外，尽管可能仅相对于若干实施方式中的一种实施方式公开了本公开的特定特征，然而在针对任意给定或特定应用而言可能为期望的及有利的时，此特征可与其他实施方式的一种或多种其他特征进行组合。当前第1页12当前第1页12