技术特征：
技术总结
本公开涉及校验版图中的图案偏移的方法和装置。本公开提供了一种校验版图中的图案偏移的方法，包括：测量版图中的至少一对相邻金属氧化物半导体场效应管MOSFET中的漏极电流；比较每一对MOSFET中的两个MOSFET中的漏极电流；以及基于比较结果，判定该对MOSFET共用的多晶栅极对应的版图图案相对于该对MOSFET的有源区是否存在偏移。
技术研发人员：汤茂亮;柯天麒;王阳阳;刘少东
受保护的技术使用者：德淮半导体有限公司
技术研发日：2019.04.09
技术公布日：2019.07.05