1.基于集成电路工艺的太赫兹多频探测器，其特征在于，该探测器包括多频表面等离子体共振天线和晶体管；所述多频表面等离子体共振天线由两个对称设置的天线单元构成，天线单元包括扇形环嵌套接收面和水平振子，扇形环嵌套接收面包括同心设置的内半圆和外扇形环，水平振子与内半圆在圆心处垂直连接；所述晶体管设置在两个天线单元的水平振子之间且垂直于天线单元所在的平面；所述晶体管的栅极与多频表面等离子体共振天线位于同一多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的基于集成电路工艺的太赫兹多频探测器，其特征在于，两个天线单元的水平振子到所述晶体管的栅极的距离相等。
3.根据权利要求1所述的基于集成电路工艺的太赫兹多频探测器，其特征在于，所述多频表面等离子体共振天线周围以及内半圆与外扇形环之间填充有二氧化硅材料。
4.根据权利要求1所述的基于集成电路工艺的太赫兹多频探测器，其特征在于，所述外扇形环采用一个或多个。
5.根据权利要求4所述的基于集成电路工艺的太赫兹多频探测器，其特征在于，多个外扇形环之间填充有二氧化硅材料。
6.根据权利要求1所述的基于集成电路工艺的太赫兹多频探测器，其特征在于，所述晶体管的栅极的栅长为0.18μm，栅宽为0.5μm，阈值电压为0.5v。
7.如权利要求1所述基于集成电路工艺的太赫兹多频探测器的探测方法，其特征在于，具体为：探测时在所述晶体管的栅极上加合适的偏置直流电压，同时所述多频表面等离子体共振天线将收集的太赫兹波增强并聚集在天线中心；所述晶体管的源端接地，晶体管处于太赫兹聚焦电场中并通过自混频的过程将交流信号整流为直流信号，并通过所述晶体管的漏端读出，从而实现对太赫兹波的检测。
8.根据权利要求7所述的探测方法，其特征在于，在所述晶体管的栅极上加0.5v的偏置直流电压。