调阻机及其调阻方法与流程

本申请涉及调阻技术领域，特别是涉及一种调阻机及其调阻方法。

背景技术：

陶瓷片式电阻的生产工艺流程包括：cad制版-丝网印刷-烘干-烧结-调阻(调阻)-印刷保护层-烧结-印刷阻值偏差率码-烧结-折条-折粒-电镀-测试与筛选-编带包装。

目前对于阻值偏差率较高(≥1mω或≤10ω)的厚膜片式电阻由于在丝网印刷时其不均匀性将会导致阻值偏差率整体分布不均，例如预生产一批阻值偏差率为2mω的电阻，在烧结工序后其中部分电阻的阻值偏差率小于2mω。需要对小于2mω的电阻进行调阻处理。现有技术中，一批电阻通常采用一个调阻比例进行调阻，调阻精度低。

技术实现要素：

基于此，有必要针对现有技术中，一批电阻通常采用一个调阻比例进行调阻，调阻精度低的问题，提供一种调阻机及其调阻方法。

一种电阻的调阻方法，所述调阻方法包括：

获取待修复电阻的阻值偏差率。查询与所述待修复电阻的阻值偏差率匹配的偏差率区间。获取与查询到的所述偏差率区间相对应的调阻比例。按照所述调阻比例将所述待修复电阻切割至目标阻值。

在一个实施例中，在获取待修复电阻的阻值偏差率的步骤之前，所述调阻方法还包括获取所述待修复电阻的阻值偏差率修复范围。将所述修复范围划分为多个所述偏差率区间。设置多个与所述多个偏差率区间一一对应的所述调阻比例。

在一个实施例中，设置多个与所述多个偏差率区间一一对应的所述调阻比例的步骤包括设置多个与所述多个偏差率区间一一对应的第一刀调阻比例。设置多个与所述多个偏差率区间一一对应的第二刀调阻比例。

在一个实施例中，在设置多个与所述多个偏差率区间一一对应的第二刀调阻比例的步骤中所述第二刀调阻比例为100％。

在一个实施例中，获取与查询到的所述偏差率区间相对应的调阻比例的步骤包括获取与查询到的所述偏差率区间相对应的所述第一刀调阻比例。获取与查询到的所述偏差率区间相对应的所述第二刀调阻比例。

在一个实施例中，按照所述调阻比例将所述待修复电阻切割至目标阻值的步骤包括按照所述第一刀调阻比例对所述待修复电阻进行第一刀调阻。按照所述第二刀调阻比例对所述待修复电阻进行第二刀调阻，使所述待修复电阻修整至所述目标阻值。

在一个实施例中，按照所述第一刀调阻比例对所述待修复电阻进行第一刀调阻的步骤包括对所述待修复电阻进行第一刀切割。检测所述待修复电阻的阻值，并判断所述待修复电阻的阻值是否等于所述第一刀调阻比例对应的阻值。如果所述待修复电阻的阻值未到所述第一刀调阻比例的阻值，则继续切割。

在一个实施例中，按照所述第一刀调阻比例对所述待修复电阻进行第一刀调阻的步骤还包括如果所述待修复电阻的阻值等于所述第一刀调阻比例的阻值，则进行第二刀切割。

在一个实施例中，在将所述修复范围划分为多个所述偏差率区间步骤中，将所述修复范围等差划分为多个所述偏差率区间。

一种调阻机，包括第一获取装置、查询装置、第二获取装置和操作装置。所述第一获取装置用于获取待修复电阻的阻值偏差率。所述查询装置与所述第一获取装置电连接，用于接收所述待修复电阻的阻值偏差率，并查询与所述待修复电阻的阻值偏差率匹配的偏差率区间。所述第二获取装置与所述查询装置电连接，用于获取与查询到的所述偏差率区间相对应的调阻比例。所述操作装置与所述第二获取装置电连接，用于获取所述调阻比例，并按照所述调阻比例对所述待修复电阻进行切割至目标阻值。

本申请提供的所述调阻机及其调阻方法，所述调阻方法包括获取待修复电阻的阻值偏差率。查询与所述待修复电阻的阻值偏差率匹配的偏差率区间。获取与查询到的所述偏差率区间相对应的调阻比例。按照所述调阻比例将所述待修复电阻切割至目标阻值。所述偏差率区间与所述待修复电阻的阻值偏差率对应设置，所述调阻比例与所述偏差率区间对应设置，所述调阻方法根据所述待修复电阻的阻值偏差率的不同，对所述待修复电阻进行差别化调阻，提高了调阻精度。

附图说明

图1为本申请一个实施例中提供的所述调阻方法的流程示意图；

图2为本申请另一个实施例中提供的所述调阻方法的流程示意图；

图3为本申请另一个实施例中提供的所述调阻方法的流程示意图；

图4为本申请另一个实施例中提供的所述调阻方法的流程示意图；

图5为本申请另一个实施例中提供的所述调阻方法的流程示意图；

图6为本申请另一个实施例中提供的所述调阻机的结构示意图。

附图标号：

调阻机10

第一获取装置20

查询装置30

第二获取装置40

操作装置50

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。

本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

请参见图1，本申请实施例提供一种调阻机10及其调阻方法，所述调阻方法包括：

s100，获取待修复电阻的阻值偏差率。

s200，查询与所述待修复电阻的阻值偏差率匹配的偏差率区间。

s300，获取与查询到的所述偏差率区间相对应的调阻比例。

s400，按照所述调阻比例将所述待修复电阻切割至目标阻值。

本申请提供的所述调阻方法包括获取待修复电阻的阻值偏差率。查询与所述待修复电阻的阻值偏差率匹配的偏差率区间。获取与查询到的所述偏差率区间相对应的调阻比例。按照所述调阻比例将所述待修复电阻切割至目标阻值。所述偏差率区间与所述待修复电阻的阻值偏差率对应设置，所述调阻比例与所述偏差率区间对应设置，所述调阻方法根据所述待修复电阻的阻值偏差率的不同，对所述待修复电阻进行差别化调阻，提高了调阻精度。本申请采用所述偏差率区间的方式调节所述待修复电阻的阻值，将处于相同的所述待修复电阻进行相同调阻比例的调阻处理，提高了工作效率。

厚膜电阻常出现正负误差。为了提高厚膜电路的精度，在烧结工艺后必须对厚膜电阻进行阻值调整。如果阻值超过标称值将无法修正，但是，一般情况下印刷烧成后阻值低于目标值，所以要通过激光调整达到目标阻值。

在一个实施例中，所述电阻为陶瓷片式电阻。所述阻值偏差率为(真实阻值-目标阻值)/目标阻值×100％。例如一个陶瓷片式电阻在烧结后的真实阻值为1.5mω，目标阻值为2mω，所述陶瓷片式电阻为待修复电阻，则所述陶瓷片式电阻的阻值偏差率为-25％。

在一个实施例中，所述偏差率区间包含多个所述阻值偏差率值。在上一个实施例中，所述偏差率区间为多个，查询与所述待修复电阻的阻值偏差率匹配的偏差率区间，即为判断所述待修复电阻的阻值偏差率值在哪个所述偏差率区间内。

请一并参见图2，在一个实施例中，在所述步骤s100之前，还包括：

s010，获取所述待修复电阻的阻值偏差率修复范围。

s020，将所述修复范围划分为多个所述偏差率区间。

s030，设置多个与所述多个偏差率区间一一对应的所述调阻比例。上述所述步骤s010中，所述待修复电阻的阻值偏差率修复范围可以不同，所述待修复电阻的阻值偏差率修复范围可以为(-45％)～0、(-30％)～0或其他范围。

根据所述待修复电阻的阻值偏差率修复范围和所述待修复电阻的结构特点可以设置多刀修阻，例如两刀修阻、三刀修阻或四刀修阻等。修阻方式可以是激光修阻也可以是其他切割方式。

在一个实施例中，所述待修复电阻的修复过程为两刀修阻，其中修阻的类型包括“ii”、“l”、“il”、“li”或“u”。修阻可以是激光修阻也可以是其他切割方式。所述调阻方法通过多刀修阻，扩大了电阻的修复范围，减小了损失，减少成本。

在所述s020步骤中，将所述修复范围划分为多个所述偏差率区间，所述偏差率区间可以是等差划分、等比划分、不规则数值划分或其他划分方式。

请一并参见图3，在一个实施例中，所述步骤s030包括：

s031，设置多个与所述多个偏差率区间一一对应的第一刀调阻比例。

s032，设置多个与所述多个偏差率区间一一对应的第二刀调阻比例。

所述修阻方法采用两刀修阻，且设置多个与所述多个偏差率区间一一对应的第一刀调阻比例，可以减小所述待修复电阻的横断风险，提高修阻的精度。

在一个实施例中，所述步骤s032中所述第二刀调阻比例为100％，即在所述第二刀修阻后，所述待修复电阻的阻值为所述目标阻值。

请一并参见图3，在一个实施例中，所述步骤s300包括：

s301，获取与查询到的所述偏差率区间相对应的所述第一刀调阻比例。

s302，获取与查询到的所述偏差率区间相对应的所述第二刀调阻比例。

请一并参见图4，在一个实施例中，所述步骤s400包括：

s410，按照所述第一刀调阻比例对所述待修复电阻进行第一刀调阻。

s420，按照所述第二刀调阻比例对所述待修复电阻进行第二刀调阻，使所述待修复电阻修整至所述目标阻值。

当调阻的刀数不同时，主要分别获取每一刀的调阻比例。分别按照不同的调阻比例进行修阻。

请一并参见图5，在一个实施例中，所述步骤s410包括：

s411，对所述待修复电阻进行第一刀切割。

s412，检测所述待修复电阻的阻值，并判断所述待修复电阻的阻值是否等于所述第一刀调阻比例对应的阻值。

s413，如果所述待修复电阻的阻值未到所述第一刀调阻比例的阻值，则继续切割。

在一个实施例中，所述步骤s410还包括：

s414，如果所述待修复电阻的阻值等于所述第一刀调阻比例的阻值，则进行第二刀切割。

在一个实施例中，所述步骤s020中，将所述修复范围等差划分为多个所述偏差率区间。

在一个实施例中，获取所述待修复电阻的阻值偏差率修复范围为(-45％)～0。将所述修复范围等差划分为5个所述偏差率区间。设置5个与所述5个偏差率区间一一对应的第一刀调阻比例。设置5个与所述5个偏差率区间一一对应的第二刀调阻比例。如下表所示：

从上表可知，所述偏差率区间的值越大，所述第一刀修阻比例越小，提高修阻的精确度。表中的所述第一刀修阻比例使修阻长度控制在整个电阻宽度的1/3，避免电阻断裂。

在一个实施例中，分段节点的所述待修复电阻采用较小所述偏差率区间的修阻比例。例如，所述待修复电阻的阻值偏差率为-36％，采用第一段修阻比例。

在上述实施例中，例如一个所述待修复电阻的阻值偏差率为-40％，查询与所述待修复电阻的阻值偏差率-40％匹配的偏差率区间为第一段区间：-45％～-36％。获取与查询到的所述偏差率区间相对应的调阻比例为所述第一刀修阻比例为75％，所述第二刀修阻比例为100％。即所述第一刀修阻后的阻值偏差率为-10％。所述第一刀修阻后的阻值为0.9r0(r0为目标阻值)，所述第二刀修阻后所述待修复电阻的阻值为目标阻值。所述待修复电阻的修阻过程为：对所述待修复电阻进行第一刀切割。检测所述待修复电阻的阻值，并判断所述待修复电阻的阻值是否等于所述第一刀调阻比例对应的阻值0.9r0。如果所述待修复电阻的阻值未到所述第一刀调阻比例的阻值0.9r0，则继续切割。如果所述待修复电阻的阻值等于所述第一刀调阻比例的阻值0.9r0，则进行第二刀切割。所述第二刀切割后的阻值为目标阻值r0。

请参见图6，本申请实施例还提供一种调阻机10，包括第一获取装置20、查询装置30、第二获取装置40和操作装置50。所述第一获取装置20用于获取待修复电阻的阻值偏差率。所述查询装置30与所述第一获取装置20电连接，用于接收所述待修复电阻的阻值偏差率，并查询与所述待修复电阻的阻值偏差率匹配的偏差率区间。所述第二获取装置40与所述查询装置30电连接，用于获取与查询到的所述偏差率区间相对应的调阻比例。所述操作装置50与所述第二获取装置40电连接，用于获取所述调阻比例，并按照所述调阻比例对所述待修复电阻进行切割至目标阻值。

本申请提供的所述调阻机10根据所述待修复电阻的阻值偏差率，进行差别化调阻，提高了调阻精度。本申请采用偏差率区间的方式调节所述待修复电阻的阻值，同时提高了工作效率，降低了生产成本。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。