1.一种波长可调谐的宽带混沌半导体激光器芯片，其特征在于：包括左DBR激光器（A）、无源光波导（B）和右DBR激光器（C）；所述左DBR激光器（A）右端连接无源光波导（B）左侧，所述无源光波导（B）右侧连接右DBR激光器（C）左侧；
其中，左DBR激光器（A）和右DBR激光器（C）均为三段式结构；所述左DBR激光器（A）从左往右依次为相位区、增益区、光栅区，所述右DBR激光器（C）从左往右依次为光栅区、增益区、相位区；光栅区上生长有光栅区电极，相位区上生长有相位区电极，增益区上生长有增益区电极，光栅区为分布布拉格反射光栅；
所述左DBR激光器（A）与右DBR激光器（C）的中心波长频率差为10GHz~15GHz，二者的输出功率偏差低于70％；
所述左DBR激光器（A）与右DBR激光器（C）通过互注入加光反馈的方式产生混沌光信号。
2.根据权利要求1所述的波长可调谐的宽带混沌半导体激光器芯片，其特征在于：左DBR激光器（A）与右DBR激光器（C）生长在同一衬底上，整体制作。