1.一种晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供一待处理晶圆级芯片封装结构，所述待处理晶圆级芯片封装结构包括：基底、重新布线层、封装层，所述重新布线层形成于所述基底上，所述封装层形成于所述重新布线层上，所述待处理晶圆级芯片封装结构具有划片槽区域，所述待处理晶圆级芯片封装结构具有翘曲；
于所述封装层上形成凹槽，所述凹槽位于所述划片槽区域上，所述凹槽降低所述待处理晶圆级芯片封装结构内部的应力，以获得平坦化的晶圆级芯片封装结构。
2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于：所述凹槽位于所述划片槽区域内。
3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于：所述凹槽贯穿所述封装层。
4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于：所述凹槽未贯穿所述封装层，且所述凹槽的深度占所述封装层厚度的比例介于1/2～4/5之间。
5.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于：形成所述凹槽的方法包括机械方法、激光开槽方法及化学刻蚀方法中的一种。
6.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于：形成所述凹槽后还包括退火处理。
7.根据权利要求6所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于：所述退火处理的加热温度不超过200℃。
8.根据权利要求6所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于：所述退火处理包括冷却的步骤，所述冷却的方法包括自然冷却。
9.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于：还包括于所述凹槽内及所述封装层的上表面形成保护层，所述保护层还覆盖所述凹槽的边角区域。
10.根据权利要求9所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于：所述保护层的材料包括环氧树脂。
11.一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，包括：
基底；
重新布线层，形成于所述基底上，所述重新布线层具有划片槽区域；
封装层，形成于所述重新布线层上；
凹槽，形成于所述封装层中，所述凹槽位于所述划片槽区域上。
12.根据权利要求11所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述凹槽位于所述划片槽区域内。
13.根据权利要求11所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述凹槽贯穿所述封装层。
14.根据权利要求11所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述凹槽未贯穿所述封装层，且所述凹槽的深度占所述封装层厚度的比例介于1/2～4/5之间。
15.根据权利要求11所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：还包括保护层，所述保护层形成于所述凹槽内及所述封装层的上表面，所述保护层覆盖所述凹槽的边角区域。
16.根据权利要求15所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述保护层的材料包括环氧树脂。