提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法与流程

本发明属于集成电路制备技术领域，特别是涉及一种提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法。

背景技术：

化学机械抛光技术(chemicalmechanicalpolishing，cmp)是集成电路制造中获得全局平坦化的一种手段。cmp属于化学作用和机械作用相结合的技术，其过程相当复杂，影响因素很多。随着超大规模集成电路的不断发展，化学机械抛光，特别是双面化学机械抛光开始应用于线宽0.09-0.13um工艺的300mm硅片的加工，实现去除其由于前道加工而残留的微缺陷及表面损伤，并使表面可以实现较好平坦度的光亮镜面。

如今，半导体集成电路制造技术日新月异，芯片特征尺寸已向越来越小的方向发展，特征线宽为28nm的技术也已走向市场，14nm也已在发展中。随着芯片需求的微细化和互联多层化，大硅片表面的平坦度(flatness)要求也越来越高，大硅片的平坦度如esfqr(edgesitefrontsurfacereferencedleastsquares/range，边缘部位正面基准最小二乘/范围)、sfqr(sitefrontsurfacereferencedleastsquares/range，部位正面基准最小二乘/范围)、gbir(globalbacksurface-referencedidealplane/range，整体背面-基准理想平面/范围)等参数规格需求促使硅片的抛光加工工艺提高。现有的双面化学机械抛光技术为实现高平坦度，一般会对抛光设备本身的自身改造，slurry(抛光液)的使用，pad(抛光垫)的使用方面进行进一步的优化，设备加工出良好平整度的硅片，一般是通过优化抛光工艺，如优化抛光的速度、加工的压力等，及精确的控制系统，如电气控制、温度控制等，但上述方式其成本较高，控制复杂，难以有效实现晶圆抛光平坦度的提高。

因此，如何提供一种提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法，以解决现有技术中的上述技术问题实属必要。

技术实现要素：

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法，以解决现有技术中难以有效实现晶圆抛光平坦度提高等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种提高晶圆抛光平坦度的方法，所述方法包括如下步骤：

提供若干个来料晶圆；

对所述来料晶圆按照预设参数进行分组，以形成若干个预设抛光组，其中，各所述预设抛光组中的各个所述来料晶圆的所述预设参数的数值的差异在预设波动范围之内；及

分别对每一组所述预设抛光组中的所述来料晶圆进行抛光。

作为本发明的一种可选方案，所述预设参数包括晶圆翘曲度、晶圆弯曲度、晶圆总厚度偏差以及晶圆厚度中的至少一种，其中，当所述预设参数选择所述晶圆厚度时，所述晶圆厚度包括晶圆中心厚度、晶圆最大厚度、晶圆最小厚度以及晶圆平均厚度中的至少一种。

作为本发明的一种可选方案，当所述预设参数包括所述晶圆中心厚度时，所述预设波动范围小于等于1.2微米；当所述预设参数包括所述晶圆弯曲度时，所述预设波动范围包括同负且小于等于5微米；当所述预设参数包括所述晶圆翘曲度时，所述预设波动范围小于等于3微米；当所述预设参数包括所述晶圆总厚度偏差时，所述预设波动范围小于等于1微米。

作为本发明的一种可选方案，对每一组所述预设抛光组中的所述来料晶圆进行抛光的工艺包括双面化学机械抛光以及最终抛光中的至少一种。

作为本发明的一种可选方案，当对所述来料晶圆均进行所述双面化学机械抛光及所述最终抛光时，依次进行所述双面化学机械抛光和所述最终抛光，且在二者之间还包括步骤：对进行所述双面化学机械抛光后的所述预设抛光组中的所述来料晶圆按照所述预设参数进行再分组，以形成若干个再抛光组，各所述预设抛光组中的各个所述来料晶圆的所述预设参数的数值的差异在预定波动范围之内，然后分别对每一组所述再抛光组中的所述来料晶圆进行所述最终抛光。

本发明还提供一种硅片加工方法，所述加工方法包括：

提供若干个待处理硅片，并对所述待处理硅片进行减薄；

对减薄后的待处理硅片进行几何测量，以获得若干个经过所述几何测量的来料晶圆；

对所述来料晶圆按照预设参数进行分组，以形成若干个预设抛光组，其中，各所述预设抛光组中的各个所述来料晶圆的所述预设参数的数值差异在预设波动范围之内，且所述预设参数及其数值基于所述几何测量的结果获得；及

分别对每一组所述预设抛光组中的所述来料晶圆进行抛光，以获得加工硅片。

作为本发明的一种可选方案，所述预设参数包括晶圆翘曲度、晶圆弯曲度、晶圆总厚度偏差以及晶圆厚度中的至少一种，其中，当所述预设参数选择所述晶圆厚度时，所述晶圆厚度包括晶圆中心厚度、晶圆最大厚度、晶圆最小厚度以及晶圆平均厚度中的至少一种。

作为本发明的一种可选方案，对所述待处理硅片进行所述减薄之后且在进行所述几何测量之前还包括步骤：对所述待处理硅片进行去应力蚀刻；所述待处理硅片基于单晶硅原料切割得到。

作为本发明的一种可选方案，对每一组所述预设抛光组中的所述来料晶圆进行抛光的工艺包括双面化学机械抛光以及最终抛光中的至少一种。

作为本发明的一种可选方案，当对所述来料晶圆均进行所述双面化学机械抛光及所述最终抛光时，依次进行所述双面化学机械抛光和所述最终抛光，且在二者之间还包括步骤：对进行所述双面化学机械抛光后的所述预设抛光组中的所述来料晶圆按照所述预设参数进行再分组，以形成若干个再抛光组，各所述预设抛光组中的各个所述来料晶圆的所述预设参数的数值的差异在预定波动范围之内，然后分别对每一组所述再抛光组中的所述来料晶圆进行所述最终抛光。

作为本发明的一种可选方案，对每一组所述预设抛光组中的所述来料晶圆进行抛光的工艺还包括对所述来料晶圆进行边缘抛光。

如上所述，本发明的提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法，在抛光加工前对来料进行一定规则的分选分组分档，控制一起抛光加工的硅片，使得其差异性较低，比较均匀化，使得加工时对硅片影响小，从而可以获得更好的硅片平坦度，实现硅片与抛光加工更好的匹配，另外，分组分档的预设参数可以基于几何测量获得，可以是硅片加工过程中的几何测量步骤，如可以是通过单晶硅片加工过程中的几何测量(geometrymeasurement)获得，获取方式简便，可以简便有效的提高晶圆抛光平坦度，节约成本及工艺周期。

附图说明

图1显示为本发明一示例中提高晶圆抛光平坦度的流程图。

图2显示为采用未分组方式及本发明的分组方式得到的硅片esfqr结果对比图。

图3显示为采用未分组方式及本发明的分组方式得到的硅片gbir结果对比图。

元件标号说明

s1～s3步骤

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图3。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。

如图1-2所示，本发明提供一种提高晶圆抛光平坦度的方法，所述方法包括如下步骤：

提供若干个来料晶圆；

对所述来料晶圆按照预设参数进行分组，以形成若干个预设抛光组，其中，各所述预设抛光组中的各个所述来料晶圆的所述预设参数的数值的差异在预设波动范围之内；及

分别对每一组所述预设抛光组中的所述来料晶圆进行抛光。

具体的，如图1中的s1-s3所示，本发明提供一种提高晶圆的抛光平坦度的方法，具体作法是在进行晶圆抛光之前对所述来料晶圆进行分组，再对分好组之后的每组来料晶圆进行加工，即分好组后的同一组中的所述来料晶圆作为一个批次进行加工，不同组作为不同的批次进行加工，在分组过程中，按照所述预设参数将这些来料晶圆分成若干个预设抛光组，同时使得在每一个分好的所述预设抛光组中，各个来料晶圆的这一预设参数波动的幅度比较小，即每一预设抛光组中的来料晶圆的所述预设参数的数值的差值在一个预设波动范围之内，也就是使得同一预设抛光组中的来料晶圆的这一预设参数的差异比较小，比较均匀化，控制一起抛光加工的硅片使得其差异性较低，其中，所述预设参数以及所述预设波动范围可以依据实际工艺需求进行选择，从而在同一抛光工艺下，加工时对硅片影响即比较均匀化，使得每一组的抛光平坦度得以提高，进而所有的来料晶圆的平坦度都得以提高，其中，在现有抛光工艺中，如在双面化学机械抛光时，一起加工的硅片为一个批次，数量根据设备不同可能有6片、15片或是其他数量，当相同条件下加工，如果硅片间差异性较大时，就会出现硅片的加工不均匀，从而导致平坦度结果不理想，采用本发明的方案可以有效解决上述问题，从而可以获得更好的硅片平坦度，实现硅片与抛光加工更好的匹配。本发明可以涉及的硅片包括各种尺寸，如现有主流12寸，及未来使用的14寸或是更大尺寸硅片。

作为示例，所述预设参数包括晶圆翘曲度、晶圆弯曲度、晶圆总厚度偏差以及晶圆厚度中的至少一种，其中，当所述预设参数选择所述晶圆厚度时，所述晶圆厚度包括晶圆中心厚度、晶圆最大厚度、晶圆最小厚度以及晶圆平均厚度中的至少一种。

作为示例，当所述预设参数包括所述晶圆中心厚度时，所述预设波动范围小于等于1.2微米。

作为示例，当所述预设参数包括所述晶圆弯曲度时，所述预设波动范围包括同负且小于等于5微米。

作为示例，当所述预设参数包括所述晶圆翘曲度时，所述预设波动范围小于等于3微米。

作为示例，当所述预设参数包括所述晶圆总厚度偏差时，所述预设波动范围小于等于1微米。

具体的，依据其进行分组的所述预设参数可以是：晶圆翘曲度(warp)、晶圆弯曲度(bow)、晶圆总厚度偏差(gbir或称ttv)以及晶圆厚度(thickness)中的任意一种，其中，本领域技术人员可以理解的是晶圆翘曲度是指硅片中心面与基准平面之间的最大和最小距离之差，晶圆弯曲度是指定义的中心面凹凸形变的一个参数，晶圆总厚度偏差，也称晶圆总厚度变化，是指量测硅片的厚度最大值与最小值的绝对差值，另外，所述晶圆厚度可以包括晶圆中心厚度(centerthickness)、晶圆最大厚度(maxthickness)、晶圆最小厚度(minthickness)或者晶圆平均厚度(averagethickness)，其中，所述晶圆最大厚度是指晶圆上厚度最大地方的厚度值，依此类推，所述晶圆平均厚度可以是设备量测范围内厚度值的平均值，依据实际设定，这些参数可以由本领域公知的现有测量设备测量输出。

在一示例中，当所述预设参数包括所述晶圆中心厚度时，所述预设波动范围小于等于1.2微米，也就是说，在同一预设抛光组中，各个来料晶圆的中心厚度的差值在小于等于1.2微米的这一范围内波动，在一示例中，所述预设波动范围选择为1微米以内进行波动，即中心厚度最大的晶圆与中心厚度最小的晶圆的中心厚度的差值不超过1微米。同理，当所述预设参数包括所述晶圆弯曲度时，所述预设波动范围包括同负且小于等于5微米，当所述预设参数包括所述晶圆翘曲度时，所述预设波动范围小于等于3微米；当所述预设参数包括所述晶圆总厚度偏差时，所述预设波动范围小于等于1微米，从而基于此控制一起抛光加工的硅片使得其差异性较低，以提高晶圆抛光平坦度。

作为示例，对每一组所述预设抛光组中的所述来料晶圆进行抛光的工艺包括双面化学机械抛光以及最终抛光中的至少一种。

作为示例，当对所述来料晶圆均进行所述双面化学机械抛光及所述最终抛光时，依次进行所述双面化学机械抛光和所述最终抛光，且在二者之间还包括步骤：对进行所述双面化学机械抛光后的所述预设抛光组中的所述来料晶圆按照所述预设参数进行再分组，以形成若干个再抛光组，各所述预设抛光组中的各个所述来料晶圆的所述预设参数的数值的差异在预定波动范围之内，然后分别对每一组所述再抛光组中的所述来料晶圆进行所述最终抛光。

具体的，在一示例中，对分好组的来料晶圆进行抛光的工艺可以是双面化学机械抛光，也可以是最终抛光，也可以是同时进行上述两种抛光，其中，本领域技术人员可以理解的是，这两种抛光方式均为本领域技术人员在半导体工艺中常用的工艺，在一示例中，最终抛光可以是为了达到需要的效果对硅片进行的最后一次整体抛光。在一示例中，可以是先分组，然后对分好组的每组预设抛光组进行双面化学机械抛光，也可以是，先分组，然后对分好组的每组预设抛光组进行最终抛光，在另一示例中，还可以是先分组，然后对分好组的每组预设抛光组依次进行化学机械抛光和最终抛光，当然，在一可选示例中，还可以是对所述来料晶圆均进行所述双面化学机械抛光及所述最终抛光，且具体做法是：先分组，然后对分好组的每组预设抛光组进行双面化学机械抛光，接着，进行完所述双面化学机械抛光之后，对来料晶圆再进行一次分组，即进行再分组，以形成若干个再抛光组，例如，将双面化学机械抛光好的来料晶圆打乱，然后将所有晶圆再重新进行一次，然后分别对每一组所述再抛光组中的所述来料晶圆进行所述最终抛光，其中，进行所述再分组的方式可以参考进行第一次分组的方式，即对进行过所述化学机械抛光的所述来料晶圆按照预设参数进行分组以形成若干个再抛光组，各所述再抛光组中的各个所述来料晶圆的所述预设参数的数值的差异在预定波动范围之内，预设参数及预设波动范围的选择设置均可参考上述所述，从而保证每次抛光前来料晶圆的均匀性，提高最终晶圆的平坦度，进而提高产品的良率，其中，进行第一次分组与进行后续的再分组所选择的所述预设参数可以相同也可以不同，例如，双面化学机械抛光前进行分组选择的是晶圆的中心厚度，则后续在最终抛光前进行的再分组依据的所述预设参数可以是晶圆中心厚度，当然也可以是其他，如晶圆翘曲度；此外，两次分组选择的预设参数相同时，所述预设参数的数值差异的波动范围可以相同也可以不同，所述预设波动范围与所述预定波动范围可以相同也可以不同，例如，当两次分组均选择晶圆中心厚度作为预设参数时，所述预设波动范围可以选择1微米，所述预定波动范围可以选择为0.5微米，并不具体限制。

另外，如图2及图3所示，为了进一步说明本发明的有益效果，将某按照晶圆厚度(该示例中选择为晶圆中心厚度)分组加工后与未分组的硅片对比结果，可以看出，针对分组后加工硅片的esfqr和gbir都有较好的结果，其中，图2中的箱线图中，未分组来料晶圆的esfqr上下波动较大，且中位数在66.45，而分组加工后，来料晶圆的esfqr上下波动明显变小，且中位数在47.78，可以看出，晶圆的平坦度得到了有效的改善，图3中，未分组加工的晶圆的gbir的上下波动远远大于分组后的晶圆的gbir，这一参数在分组加工后得到明显的改善，且其中位数也由214.34改善为146.18，从而可以看出，本发明分组加工的方式对晶圆平坦度得到有效提升。另外，采用本发明的方案提高平坦度(flatness)的参数不仅可以包括esfqr和gbir，还可以是sfqr以及评估曲率变化的zdd(z-heightdoubledifferentiation，z高度双重微分)等评价平坦度的参数，其中，上述参数的结果获取方式包括本领域熟知的不同site大小(如25*25mm，26*8mm等)，即参数结果获取时定义的区域，以及不同的去边大小(如去边1mm，2mm，3mm等)等，均可以采用本发明的方案得到良好的平坦度的改善。

另外，本发明还提供一种硅片加工方法，所述加工方法包括：

提供若干个待处理硅片，并对所述待处理硅片进行减薄；

对减薄后的待处理硅片进行几何测量，以获得若干个经过所述几何测量的来料晶圆；

对所述来料晶圆按照预设参数进行分组，以形成若干个预设抛光组，其中，各所述预设抛光组中的各个所述来料晶圆的所述预设参数的数值差异在预设波动范围之内，且所述预设参数及其数值基于所述几何测量的结果获得；及

分别对每一组所述预设抛光组中的所述来料晶圆进行抛光，以获得加工硅片。

具体的，本发明还提供一种硅片的加工方式，如可以是单晶硅片的加工方式，在该加工方式中，采用本发明所提供的提高晶圆抛光平坦度的方法进行硅片加工过程中的抛光，提高晶圆平坦度的方法及步骤参数等可以参考本实施例上述所述。其中，在所述硅片加工的过程中，包括对硅片进行几何测量(geometrymeasurement)步骤，如获取硅片厚度形貌的几何测量步骤，本发明通过所述几何测量的数据对所述待处理硅片进行分组，即定义出经过所述几何测量的晶圆为后续抛光工艺的来料晶圆，基于所述几何测量的结果进行分组，所述几何测量的参数可以包括上述所述预设参数，从而可以在不增加额外工艺的情况下实现硅片平坦度的提高，工艺简便有效，节约成本及工艺周期，提高产品的良率。

硅片加工中，在进行晶圆抛光之前对所述来料晶圆进行分组，再对分好组之后的每组来料晶圆进行加工，即分好组后的同一组中的所述来料晶圆作为一个批次进行加工，不同组作为不同的批次进行加工，在分组过程中，按照所述预设参数将这些来料晶圆分成若干个预设抛光组，同时使得在每一个分好的所述预设抛光组中，各个来料晶圆的这一预设参数波动的幅度比较小，即每一预设抛光组中的来料晶圆的所述预设参数的数值的差值在一个预设波动范围之内，也就是使得同一预设抛光组中的来料晶圆的这一预设参数的差异比较小，比较均匀化，控制一起抛光加工的硅片使得其差异性较低，其中，所述预设参数以及所述预设波动范围可以依据实际工艺需求进行选择，从而在同一抛光工艺下，加工时对硅片影响即比较均匀化，使得每一组的抛光平坦度得以提高，进而所有的来料晶圆的平坦度都得以提高，其中，在现有抛光工艺中，如在双面化学机械抛光时，一起加工的硅片为一个批次，数量根据设备不同可能有6片、15片或是其他数量，当相同条件下加工，如果硅片间差异性较大时，就会出现硅片的加工不均匀，从而导致平坦度结果不理想，采用本发明的方案可以有效解决上述问题，从而可以获得更好的硅片平坦度，实现硅片与抛光加工更好的匹配。本发明可以涉及的硅片包括各种尺寸，如现有主流12寸，及未来使用的14寸或是更大尺寸硅片。

作为示例，所述预设参数包括晶圆翘曲度、晶圆弯曲度、晶圆总厚度偏差以及晶圆厚度中的至少一种，其中，当所述预设参数选择所述晶圆厚度时，所述晶圆厚度包括晶圆中心厚度、晶圆最大厚度、晶圆最小厚度以及晶圆平均厚度中的至少一种。

作为示例，当所述预设参数包括所述晶圆中心厚度时，所述预设波动范围小于等于1.2微米。

作为示例，当所述预设参数包括所述晶圆弯曲度时，所述预设波动范围包括同负且小于等于5微米。

具体的，在一示例中，所述几何测量所得到的结果包括所述预设参数，所述预设参数包括晶圆翘曲度、晶圆弯曲度、晶圆总厚度偏差以及晶圆厚度中的至少一种，其中，各所述预设参数以及所述预设参数所定义的所述预设波动范围的示例可以参数本实施例的上述描述。

作为示例，对所述待处理硅片进行所述减薄之后且在进行所述几何测量之前还包括步骤：对所述待处理硅片进行去应力蚀刻。

作为示例，所述待处理硅片基于单晶硅原料切割得到。

具体的，在一示例中，所述待处理硅片可以是拉好单晶硅之后，对拉好的所述单晶硅原料进行切割(slicing)得到的，进而，在此基础上进行本发明的所述减薄(grindingorlapping)过程，再对减薄之后的待处理硅片进行后续的几何测量及加工等工艺。在另一可选示例中，还包括在进行所述几何测量之前对待处理硅片进行所述蚀刻(etching)工艺的步骤，如进行本领域技术人员所熟知的去应力蚀刻，再进行所述几何测量的工艺。

作为示例，对每一组所述预设抛光组中的所述来料晶圆进行抛光的工艺包括双面化学机械抛光以及最终抛光中的至少一种。

作为示例，当对所述来料晶圆均进行所述双面化学机械抛光及所述最终抛光时，依次进行所述双面化学机械抛光和所述最终抛光，且在二者之间还包括步骤：对进行所述双面化学机械抛光后的所述预设抛光组中的所述来料晶圆按照所述预设参数进行再分组，以形成若干个再抛光组，各所述预设抛光组中的各个所述来料晶圆的所述预设参数的数值的差异在预定波动范围之内，然后分别对每一组所述再抛光组中的所述来料晶圆进行所述最终抛光。

具体的，在一示例中，对分好组的来料晶圆进行抛光的工艺可以是双面化学机械抛光，也可以是最终抛光，也可以是同时进行上述两种抛光，其中，本领域技术人员可以理解的是，这两种抛光方式均为本领域技术人员在半导体工艺中常用的工艺，在一示例中，最终抛光可以是为了达到需要的效果对硅片进行的最后一次整体抛光。在一示例中，可以是先分组，然后对分好组的每组预设抛光组进行双面化学机械抛光，也可以是，先分组，然后对分好组的每组预设抛光组进行最终抛光，在另一示例中，还可以是先分组，然后对分好组的每组预设抛光组依次进行化学机械抛光和最终抛光，当然，在一可选示例中，还可以是对所述来料晶圆均进行所述双面化学机械抛光及所述最终抛光，且具体做法是：先分组，然后对分好组的每组预设抛光组进行双面化学机械抛光，接着，进行完所述双面化学机械抛光之后，对来料晶圆再进行一次分组，即进行再分组，以形成若干个再抛光组，例如，将双面化学机械抛光好的来料晶圆打乱，然后将所有晶圆再重新进行一次，然后分别对每一组所述再抛光组中的所述来料晶圆进行所述最终抛光，其中，进行所述再分组的方式可以参考进行第一次分组的方式，即对进行过所述化学机械抛光的所述来料晶圆按照预设参数进行分组以形成若干个再抛光组，各所述再抛光组中的各个所述来料晶圆的所述预设参数的数值的差异在预定波动范围之内，预设参数及预设波动范围的选择设置均可参考上述所述，从而保证每次抛光前来料晶圆的均匀性，提高最终晶圆的平坦度，进而提高产品的良率，其中，进行第一次分组与进行后续的再分组所选择的所述预设参数可以相同也可以不同，例如，双面化学机械抛光前进行分组选择的是晶圆的中心厚度，则后续在最终抛光前进行的再分组依据的所述预设参数可以是晶圆中心厚度，当然也可以是其他，如晶圆翘曲度；此外，两次分组选择的预设参数相同时，所述预设参数的数值差异的波动范围可以相同也可以不同，所述预设波动范围与所述预定波动范围可以相同也可以不同，例如，当两次分组均选择晶圆中心厚度作为预设参数时，所述预设波动范围可以选择1微米，所述预定波动范围可以选择为0.5微米，并不具体限制。

作为示例，对每一组所述预设抛光组中的所述来料晶圆进行抛光的工艺还包括对所述来料晶圆进行边缘抛光。

具体的，在一可选示例中，还包括对待处理硅片进行边缘抛光的工艺，其中，所述边缘抛光的工艺是本领域技术人员可以理解的在需要的情况下对晶圆边缘位置进行的抛光处理，以使得晶圆边缘及晶圆达到需要的要求，在一示例中，当存在所述双面化学机械抛光时，如单独存在所述双面化学机械抛光时，所述边缘抛光在所述双面化学机械抛光之后进行，当存在所述最终抛光时，如当单独存在所述最终抛光时，所述边缘抛光工艺在所述最终抛光工艺之前进行，当对所述来料晶圆均进行所述双面化学机械抛光及所述最终抛光时，所述边缘抛光的工艺在二者之间进行，在另一可选示例中，当存在所述再分组的步骤时，所述边缘抛光工艺在所述再分组之前进行，即进行再分组的晶圆是经过所述边缘抛光工艺的晶圆，以有利于进一步提高晶圆的抛光平坦度。

综上所述，本发明提供一种提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法，提高晶圆抛光平坦度的方法包括：提供若干个来料晶圆；对所述来料晶圆按照预设参数进行分组，以形成若干个预设抛光组，其中，各所述预设抛光组中的各个所述来料晶圆的所述预设参数的数值的差异在预设波动范围之内；及分别对每一组所述预设抛光组中的所述来料晶圆进行抛光。通过上述方案，本发明的提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法，在抛光加工前对来料进行一定规则的分选分组分档，控制一起抛光加工的硅片，使得其差异性较低，比较均匀化，使得加工时对硅片影响小，从而可以获得更好的硅片平坦度，实现硅片与抛光加工更好的匹配，另外，分组分档的预设参数可以基于几何测量获得，可以是硅片加工过程中的几何测量步骤，如可以是通过单晶硅片加工过程中的几何测量(geometrymeasurement)获得，获取方式简便，可以简便有效的提高晶圆抛光平坦度，节约成本及工艺周期。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。