1.一种激光器芯片双基座的组装方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供一具备激光输出功能的光学芯片，以及上、下两相同材料制作的基座；
步骤S2、将芯片的底面与上基座用金锡焊料高温焊接在一起，形成一整体组件；
步骤S3、采用翻转焊方式，将芯片与上基座形成的组件焊接于下基座上；
步骤S4、在上基座和/或下基座外侧设置温度控制器，在下基座的表面贴装为温度控制器提供反馈的温度探测器。
2.如权利要求1所述的激光器芯片双基座的组装方法，其特征在于，所述上、下基座为一块陶瓷表面局部镀金而成的电路板，其厚度范围为0.5～2mm，边长范围为1～30mm；该上基座的平面尺寸大小等于或略大于芯片的平面尺寸大小，上基座厚度等于或略小于下基座的厚度。
3.如权利要求1所述的激光器芯片双基座的组装方法，其特征在于，所述步骤2中，采用贴片机吸取芯片，将其底面在300～330摄氏度高温时焊接于上基座上，芯片接近或高于300摄氏度的时间为5～20秒钟。
4.如权利要求1所述的激光器芯片双基座的组装方法，其特征在于，所述步骤S3还包括：步骤S301，安装金球：采用热超声焊线方式在下基座上表面安装金球；步骤S302，翻转焊接：翻转步骤S2中的组件，使芯片上表面朝下，通过超声加热方式，将芯片上表面在300～335摄氏度高温时焊接于下基座的上表面。
5.如权利要求4所述的激光器芯片双基座的组装方法，其特征在于，所述步骤S301中，采用焊线工艺，利用自动焊线机把金线在下基座上打一个球形焊，之后将线尾去除；焊线时的温度为100～150摄氏度，焊线时间每个金球点为5～20毫秒。
6.如权利要求4所述的激光器芯片双基座的组装方法，其特征在于，所述步骤S302中，采用贴片机吸取步骤S2中的组件，将芯片上表面在300～335摄氏度高温时焊接于下基座的上表面，芯片接近或高于300摄氏度的时间为40～80秒钟。
7.如权利要求1所述的激光器芯片双基座的组装方法，其特征在于，所述步骤4中，利用焊接回流炉，采用传导加热方式，在230～250摄氏度温度范围内将温度探测器焊接贴装于下基座的表面。
8.如权利要求7所述的激光器芯片双基座的组装方法，其特征在于，所述回流焊接时间为10～15分钟，接近或高于230摄氏度的时间为1～3分钟。