技术特征：
技术总结
本发明提供一种闪存器件及其制造方法，先形成浮栅，浮栅之间以及浮栅之间的衬底中的隔离沟槽中都填充有隔离材料，而后，去除浮栅之间的隔离材料，以形成待填充区，该待填充区的底部呈凹陷形貌，之后，对该待填充区进行包裹浮栅的控制栅。由于待填充区的底部呈凹陷形貌，填充控制栅之后，使得控制栅的底部形貌呈凸出状，这样，改善控制栅与有源区的电场分布，尤其可以避免可靠性电性测试时，控制栅与有源区的击穿，提高器件性能。
技术研发人员：胡华;薛广杰;李赟
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
技术研发日：2019.05.23
技术公布日：2019.08.06