1.一种半导体器件，包括：
半导体主体，所述半导体主体包括表面；
第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域形成在所述半导体主体中，其中沟道区位于所述第一区域和所述第二区域之间，并且其中所述第二区域包括包含毯覆掺杂物的子区域；
第一导电接触部，所述第一导电接触部在所述半导体主体的位于所述第一区域上方的表面上；
绝缘体上半导体(soi)，所述绝缘体上半导体(soi)位于所述第一区域的底部；
袋状沟道掺杂物(pcd)，所述袋状沟道掺杂物(pcd)形成在沟道中，其中所述pcd的第一部分与所述soi的第一部分相邻；以及
第二导电接触部，所述第二导电接触部在所述子区域的底部部分上，其中所述第二导电接触部的第一部分与所述soi的第二部分相邻，并且其中所述第二导电接触部的第二部分与所述pcd的第二部分相邻。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一区域是源极区，并且所述第二区域是漏极区。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一区域是漏极区，并且所述第二区域是源极区。
4.根据权利要求1、2或3所述的半导体器件，其中所述毯覆掺杂物是磷。
5.根据权利要求1、2或3所述的半导体器件，其中所述毯覆掺杂物是硼。
6.根据权利要求1、2或3所述的半导体器件，其中所述毯覆掺杂物的高度在5纳米(nm)和100nm之间。
7.根据权利要求1、2或3所述的半导体器件，其中所述soi的高度在5nm和115nm之间。
8.根据权利要求1、2或3所述的半导体器件，其中所述pcd是磷。
9.根据权利要求1、2或3所述的半导体器件，其中所述pcd是硼。
10.一种半导体器件，包括：
半导体主体，所述半导体主体包括表面；
第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域形成在所述半导体主体中，其中沟道区位于所述第一区域和所述第二区域之间，并且其中所述第二区域包括包含毯覆掺杂物的子区域；
第一导电接触部，所述第一导电接触部在所述半导体主体的位于所述第一区域上方的表面上；
泄漏阻挡层；以及
第二导电接触部，所述第二导电接触部在所述子区域的底部部分上，其中所述第二导电接触部的至少一部分与所述泄漏阻挡层的至少一部分相邻。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一区域是源极区，并且所述第二区域是漏极区。
12.根据权利要求10或11所述的半导体器件，其中所述毯覆掺杂物是磷或硼。
13.根据权利要求10或11所述的半导体器件，其中所述泄漏阻挡层是绝缘体上半导体(soi)，其中所述soi位于所述第一区域的底部。
14.根据权利要求10或11所述的半导体器件，其中所述泄漏阻挡层是在沟道中形成的袋状沟道掺杂物(pcd)。
15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中所述pcd是磷或硼。
16.根据权利要求10或11所述的半导体器件，其中所述泄漏阻挡层包括：
soi，其中所述soi位于所述第一区域的底部；以及
pcd，所述pcd形成在沟道中，其中所述pcd的第一部分与所述soi的第一部分相邻，所述soi的第二部分与所述第二导电接触部的第一部分相邻，并且所述pcd的第二部分与所述第二导电接触部的第二部分相邻。
17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中所述pcd是磷或硼。
18.一种系统，包括：
存储器；以及
处理器，所述处理器与所述存储器耦合，其中所述处理器包括半导体器件，所述半导体器件包括：
半导体主体，所述半导体主体包括表面；
第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域形成在所述半导体主体中，其中沟道区位于所述第一区域和所述第二区域之间，并且其中所述第二区域包括包含毯覆掺杂物的子区域；
第一导电接触部，所述第一导电接触部在所述半导体主体的位于所述第一区域上方的表面上；
绝缘体上半导体(soi)，所述绝缘体上半导体(soi)位于所述第一区域的底部；
袋状沟道掺杂物(pcd)，所述袋状沟道掺杂物(pcd)形成在沟道中，其中所述pcd的第一部分与所述soi的第一部分相邻；以及
第二导电接触部，所述第二导电接触部在所述子区域的底部部分上，其中所述第二导电接触部的第一部分与所述soi的第二部分相邻，并且
其中所述第二导电接触部的第二部分与所述pcd的第二部分相邻。
19.根据权利要求18所述的系统，其中所述第一区域是源极区，并且所述第二区域是漏极区。
20.根据权利要求18或19所述的系统，其中所述毯覆掺杂物是磷或硼。
21.根据权利要求18或19所述的系统，其中所述pcd是磷或硼。
22.一种方法，包括：
形成包括表面的半导体主体；
在所述半导体主体中形成第一区域和第二区域，其中在所述半导体主体中且在所述第一区域和所述第二区域之间限定沟道区；
在所述第二区域的子区域中设置毯覆掺杂物；
在所述半导体主体的位于所述第一区域上方的表面上形成第一导电接触部；
在所述第一区域的底部形成绝缘体上半导体(soi)；
在沟道中设置袋状沟道掺杂物(pcd)，其中所述pcd的第一部分与所述soi的第一部分相邻；以及
在所述子区域的底部部分上形成第二导电接触部，其中所述第二导电接触部的第一部分与所述soi的第二部分相邻，并且所述第二导电接触部的第二部分与所述pcd的第二部分相邻。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述第一区域是源极区，并且所述第二区域是漏极区。
24.根据权利要求22或23所述的方法，其中所述毯覆掺杂物是磷或硼。
25.根据权利要求22或23所述的方法，其中所述pcd是磷或硼。