技术总结
在实施例中，一种方法包括：在管芯上方形成第一介电层，第一介电层包括光敏材料；固化第一介电层以降低第一介电层的光敏性；通过蚀刻图案化第一介电层以形成第一开口；在第一介电层的第一开口中形成第一金属化图案；在第一金属化图案和第一介电层上方形成第二介电层，第二介电层包括光敏材料；通过曝光和显影来图案化第二介电层以形成第二开口；以及在第二介电层的第二开口中形成第二金属化图案，第二金属化图案电连接至第一金属化图案。本发明实施例涉及半导体封装件和方法。
技术研发人员：郭宏瑞;谢昀蓁;蔡惠榕
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2019.05.29
技术公布日：2020.02.14