图像传感器的制作方法

文档序号:20084377发布日期:2020-03-13 06:03阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种图像传感器,所述图像传感器包括:

基底,包括位于其中的光电转换元件;

第一通孔,位于基底中并延伸到基底的第一表面,其中,第一通孔的第一上表面邻近基底的第一表面暴露,第一通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸;

第一绝缘膜、第二绝缘膜和第三绝缘膜,顺序堆叠在基底的第一表面上;以及

接触件,延伸穿过第一绝缘膜、第二绝缘膜和第三绝缘膜并延伸到第一通孔的第二上表面,接触件包括在第一通孔内的第一部分、在第一绝缘膜中的第二部分、在第二绝缘膜中的第三部分和在第三绝缘膜中的第四部分。

2.根据权利要求1所述的图像传感器,所述图像传感器还包括:

滤色器,位于第二绝缘膜中。

3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,滤色器的上表面与接触件的第三部分的上表面共面。

4.根据权利要求1所述的图像传感器,所述图像传感器还包括:

滤色器,位于第三绝缘膜上。

5.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,第一通孔的第一上表面与基底的第一表面共面,并且其中,第一部分的侧壁的第一斜面轮廓不同于第二部分的侧壁的第二斜面轮廓。

6.根据权利要求5所述的图像传感器,其中,第一通孔、第一绝缘膜和第二绝缘膜各自包括不同的材料,并且其中,第三部分的侧壁的第三斜面轮廓不同于第一斜面轮廓和第二斜面轮廓。

7.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,第四部分的下表面的第一宽度大于第三部分的上表面的第二宽度。

8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,第三部分的下表面的第三宽度大于第二部分的上表面的第四宽度。

9.根据权利要求1所述的图像传感器,所述图像传感器还包括:

第二通孔,延伸穿过基底的与第一表面相对的第二表面并与第一通孔电连接。

10.根据权利要求9所述的图像传感器,所述图像传感器还包括:

绝缘结构,位于基底的第二表面上,并且包括在绝缘结构内的布线层,

其中,第二通孔与布线层电连接。

11.一种图像传感器,所述图像传感器包括:

基底,包括位于其中的光电转换元件;

通孔,位于基底中并延伸到基底的第一表面,其中,通孔的第一上表面邻近基底的第一表面暴露,通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸;

第一绝缘膜和第二绝缘膜,顺序堆叠在基底的第一表面上;以及

接触件,延伸穿过第一绝缘膜和第二绝缘膜并延伸到通孔的第二上表面,接触件包括在通孔内的第一部分、在第一绝缘膜中的第二部分和在第二绝缘膜中的第三部分,

其中,第一部分的侧壁的第一斜面轮廓不同于第二部分的侧壁的第二斜面轮廓。

12.根据权利要求11所述的图像传感器,所述图像传感器还包括:

第三绝缘膜,位于第二绝缘膜上,

其中,通孔的第一上表面与基底的第一表面共面,其中,接触件延伸穿过第三绝缘膜并且还包括在第三绝缘膜中的第四部分,并且

其中,第四部分的下表面的第一宽度大于第三部分的上表面的第二宽度。

13.根据权利要求11所述的图像传感器,其中,第三部分的下表面的第三宽度大于第二部分的上表面的第四宽度。

14.根据权利要求11所述的图像传感器,所述图像传感器还包括:

滤色器,位于第二绝缘膜中。

15.根据权利要求11所述的图像传感器,所述图像传感器还包括:

第三绝缘膜,位于第二绝缘膜上;以及

滤色器,位于第三绝缘膜上。

16.根据权利要求11所述的图像传感器,其中,第一绝缘膜和第二绝缘膜包括不同的材料。

17.一种图像传感器,所述图像传感器包括:

基底,包括位于其中的光电转换元件;

通孔,位于基底中并延伸到基底的第一表面,其中,通孔的第一上表面邻近基底的第一表面暴露,通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸;

第一绝缘膜和第二绝缘膜,顺序堆叠在基底的第一表面上;

滤色器,位于第二绝缘膜中;以及

接触件,延伸穿过第一绝缘膜和第二绝缘膜并延伸到通孔的第二上表面,接触件包括在通孔内的第一部分、在第一绝缘膜中的第二部分、在第二绝缘膜中的第三部分和在第二绝缘膜上的第四部分,

其中,第四部分的下表面的一部分与第二绝缘膜接触。

18.根据权利要求17所述的图像传感器,其中,通孔的第一上表面与基底的第一表面共面,并且其中,第一部分的侧壁的第一斜面轮廓不同于第二部分的侧壁的第二斜面轮廓。

19.根据权利要求17所述的图像传感器,其中,第三部分的侧壁的第三斜面轮廓与第二部分的侧壁的第二斜面轮廓相同。

20.根据权利要求17所述的图像传感器,其中,滤色器的上表面与接触件的第三部分的上表面共面。

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