掩膜版本体及其制备方法、掩膜版与流程

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种掩膜版本体及其制备方法、掩膜版。

背景技术：

有机发光二极管显示装置(organiclightemittingdiode，oled)是未来显示产品的发展趋势，具有视角宽、响应速度快、亮度高、对比度高、色彩鲜艳、重量轻、厚度薄、功耗低等一系列优点。成为了继lcd(liquidcrystaldisplay，液晶显示器)之后的下一代主流显示技术。

目前，真空热蒸镀是制备oled器件的一种行之有效的方法，它将加热蒸发的材料分子穿过高精度金属掩膜版(finemetalmask，fmm)的开口沉积到背板的相应位置处，以获得所需分辨率的显示面板，随着分辨率的不断提高，fmm的厚度也会越来越薄，在将fmm激光焊接在框架上时，会出现激光能量过大导致fmm焊穿，或者出现激光能量过小导致fmm与框架虚焊的问题，从而影响焊接效率及张网精度。

技术实现要素：

本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种掩膜版本体及其制备方法、掩膜版，以解决现有掩膜版本体与框架焊接过程中，出现掩膜版本体被焊穿或者掩膜版本体与框架虚焊的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种掩膜版本体，包括掩膜区和环绕在所述掩膜区四周的非掩膜区，所述非掩膜区包括用于与框架焊接的焊接区，所述焊接区之上设有单向导热层，所述单向导热层在焊接过程中使焊接区的焊接热量传递至所述框架。

可选地，所述单向导热层位于所述焊接区靠近所述框架的一侧。

可选地，所述单向导热层包括叠加设置的多层导热膜层。

可选地，所述导热膜层的导热率由靠近所述焊接区向远离所述焊接区的方向逐渐增大。

可选地，所述单向导热层包括形成于所述焊接区之上的第一导热膜层、形成于所述第一导热膜层之上的第二导热膜层和形成于所述第二导热膜层之上的第三导热膜层。

可选地，所述第一导热膜层的导热系数为50-100瓦/米·度，所述第二导热膜层的导热系数为100-200瓦/米·度，第三导热膜层的导热系数为200-500瓦/米·度。

可选地，所述导热膜层的厚度为500-1000nm。

可选地，所述单向导热层的材料为纳米金属钎料。

为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种掩膜版，包括前述的掩膜版本体。

为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种掩膜版本体的制备方法，包括：

形成掩膜版本体；

采用真空蒸镀工艺或者气相沉积工艺在掩膜版本体的焊接区之上形成单向导热层。

本发明通过在掩膜版本体的焊接区上设置单向导热层，在掩膜版本体与框架焊接过程中，单向导热层能够将焊接区的焊接热量传递至框架，并减少框架的热量传递至掩膜版本体，使框架熔融的同时，又能使框架分散掩膜版本体上的焊接热量，使得掩膜版本体在不焊穿的同时能够有效地焊接在框架上，提高了焊接效率，解决了现有掩膜版本体与框架焊接过程中，出现掩膜版本体被焊穿或者掩膜版本体与框架虚焊的问题。

当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

图1为本发明实施例掩膜版本体的结构示意图；

图2为本发明实施例掩膜版本体的剖视图；

图3为本发明第一实施例掩膜版本体的剖视图；

图4为本发明实施例掩膜版的剖视图。

附图标记说明:

1-掩膜区；2-非掩膜区；3-焊接区；

4-单向导热层；10-掩膜版本体；11-框架；

401-第一导热膜层；402-第二导热膜层；403-第三导热膜层。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

目前，使用真空热蒸镀的方法进行oled各个功能膜层的制备过程中，通过掩膜版本体进行掩膜以获得所需分辨率的显示面板，随着显示面板分辨率的不断提高，要求掩膜版本体的厚度也会越来越薄。由于掩膜版本体的厚度过薄，会在焊接过程中，出现焊接热量过大导致掩膜版本体焊穿，或者焊接热量过小导致掩膜版本体与框架虚焊的问题。

图1为本发明实施例掩膜版本体的结构示意图；图2为本发明实施例掩膜版本体的剖视图。如图1和图2所示，为了解决现有掩膜版本体与框架焊接过程中，出现掩膜版本体被焊穿或者掩膜版本体与框架虚焊的问题。本发明提供一种掩膜版本体，包括掩膜区1和环绕在掩膜区1四周的非掩膜区2，非掩膜区2包括用于与框架焊接的焊接区3，焊接区3之上设有单向导热层4，在焊接过程中，单向导热层4使焊接区3的焊接热量传递至框架，并减少框架的热量传递至焊接区3。从而在焊接过程中使框架熔融的同时，又能使框架分散掩膜版本体上的焊接热量，使得掩膜版本体在不焊穿的同时能够有效地焊接在框架上，提高了焊接效率，解决了现有掩膜版本体与框架焊接过程中，出现掩膜版本体被焊穿或者掩膜版本体与框架虚焊的问题。

下面通过具体实施例，详细说明本发明的技术方案。

第一实施例

图3为本发明第一实施例掩膜版本体的剖视图。如图3所示，本发明实施例掩膜版本体包括掩膜区1和环绕在掩膜区1四周的非掩膜区2，掩膜区1位于掩膜版本体的中部。非掩膜区2包括焊接区3，焊接区3位于掩膜版本体的两端，用于与框架进行焊接。焊接区3上设有单向导热层4，单向导热层4用于在焊接过程中将焊接区3的焊接热量传递至框架，并减少框架的热量传递至焊接区3。从而在焊接过程中使框架熔融的同时，又能使框架分散掩膜版本体上的焊接热量，使得掩膜版本体在不焊穿的同时能够有效地焊接在框架上，提高了焊接效率。

如图3所示，单向导热层4位于焊接区3靠近框架的一侧，即在焊接过程中，单向导热层4与框架接触，掩膜版本体通过单向导热层4与框架焊接。

如图3所示，单向导热层4包括形成于焊接区3之上的多层导热膜层，多层导热膜层叠加设置，并覆盖焊接区3。其中，导热膜层的导热率由靠近焊接区3向远离焊接区3的方向逐渐增大。具体地，单向导热层4包括形成于焊接区3之上的第一导热膜层401、形成于第一导热膜层401之上的第二导热膜层402和形成于第二导热膜层402之上的第三导热膜层403。第一导热膜层401的导热率<第二导热膜层402的导热率<第三导热膜层403的导热率。从而使掩膜版本体与框架焊接过程中，掩膜版本体的焊接热量能够更加快速有效的传递至框架，并能够有效减少框架的焊接热量传递至掩膜版本体，从而避免掩膜版本体的焊接热量过大，导致掩膜版本体被焊穿的情况发生。

如图3所示，单向导热层4的材料采用纳米金属钎料。具体地，第一导热膜层401的材料选取镁/锡(mg/sn)合金材料，第一导热膜层401的导热系数为70瓦/米·度，第一导热膜层401的厚度为500nm。第二导热膜层402的材料选取铝/铁(al/fe)合金材料，第二导热膜层402的导热系数为160瓦/米·度，第二导热膜层402的厚度为800nm。第三导热膜层403的材料选取金属铜(cu)材料，第三导热膜层403的导热系数为400瓦/米·度，第三导热膜层403的厚度为850nm。

掩膜版本体与框架焊接过程中，先将框架放置在掩膜版本体的单向导热层上，通过激光对掩膜版本体和框架进行焊接，焊接热量将单向导热层以及框架熔融，从而将掩膜版本体与框架焊接在一起。在掩膜版本体与框架焊接过程中，单向导热层能够将掩膜版本体的焊接热量传递至框架，并减少框架的热量传递至掩膜版本体，以解决现有掩膜版本体与框架焊接过程中，出现掩膜版本体被焊穿或者掩膜版本体与框架虚焊的问题；另外，单向导热层还具有支撑框架的作用。

第二实施例

本实施例的掩膜版本体与前述第一实施例掩膜版本体基本相同，所不同的是，本实施例的单向导热层包括形成于焊接区之上的第一导热膜层、形成于第一导热膜层之上的第二导热膜层和形成于第二导热膜层之上的第三导热膜层。第一导热膜层的材料选取钼/铜(mo/cu)合金材料，第一导热膜层的导热系数为60瓦/米·度，第一导热膜层的厚度为550nm。第二导热膜层的材料选取铝/硅/钨(al/si/w)合金材料，第二导热膜层的导热系数为130瓦/米·度，第二导热膜层的厚度为750nm。第三导热膜层的材料选取金属银(ag)材料，第三导热膜层的导热系数为320瓦/米·度，第三导热膜层的厚度为800nm。

本发明通过在掩膜版本体的焊接区上设置单向导热层，在掩膜版本体与框架焊接过程中，单向导热层能够将焊接区的焊接热量传递至框架，并减少框架的热量传递至掩膜版本体，以解决现有掩膜版本体与框架焊接过程中，出现掩膜版本体被焊穿或者掩膜版本体与框架虚焊的问题。

第三实施例

本实施例的掩膜版本体与前述第一实施例掩膜版本体基本相同，所不同的是，本实施例的单向导热层包括形成于焊接区之上的第一导热膜层、形成于第一导热膜层之上的第二导热膜层和形成于第二导热膜层之上的第三导热膜层。第一导热膜层的材料选取铝/锂(al/li)合金材料，第一导热膜层的导热系数为80瓦/米·度，第一导热膜层的厚度为600nm。第二导热膜层的材料选取铝/硅/钨(al/si/w)合金材料，第二导热膜层的导热系数为150瓦/米·度，第二导热膜层的厚度为850nm。第三导热膜层的材料选取金属金(au)材料，第三导热膜层的导热系数为300瓦/米·度，第三导热膜层的厚度为1000nm。

本发明通过在掩膜版本体的焊接区上设置单向导热层，在掩膜版本体与框架焊接过程中，单向导热层能够将焊接区的焊接热量传递至框架，并减少框架的热量传递至掩膜版本体，以解决现有掩膜版本体与框架焊接过程中，出现掩膜版本体被焊穿或者掩膜版本体与框架虚焊的问题。

第四实施例

图4为本发明实施例掩膜版的剖视图。如图4所示，基于前述实施例的技术构思，本发明还提供了一种掩膜版，包括前述第一实施例的掩膜版本体10以及框架11，掩膜版本体10包括掩膜区和环绕在掩膜区四周的非掩膜区，非掩膜区包括焊接区，焊接区上设有单向导热层4，单向导热层4位于焊接区靠近框架11的一侧，掩膜版本体10通过单向导热层4与框架11焊接，掩膜版本体10与框架11焊接之后，单向导热层4位于掩膜版本体10与框架11之间。

本实施例在掩膜版本体与框架焊接过程中，单向导热层能够将焊接区的焊接热量传递至框架，并减少框架的热量传递至掩膜版本体，使框架熔融的同时，又能使框架分散掩膜版本体上的焊接热量，使得掩膜版本体在不焊穿的同时能够有效地焊接在框架上，提高了焊接效率。

第五实施例

基于前述实施例的技术构思，本发明还提供了一种显示基板的制备方法，包括：

形成掩膜版本体；

采用真空蒸镀工艺或者气相沉积工艺在掩膜版本体的焊接区之上形成单向导热层。

本实施例的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，因此具有制作成本低、易于工艺实现、生产效率高和良品率高等优，具有良好的应用前景。

在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。