一种阵列基板及其制备方法、显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术：

有机发光显示装置(英文全称：organiclight-emittingdiode,简称oled)又称为有机电激光显示装置、有机发光半导体。oled的工作原理是：当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子(电子-空穴对)，而此激发态在通常的环境中是不稳定的，激发态的激子复合并将能量传递给发光材料，使其从基态能级跃迁为激发态，激发态能量通过辐射驰豫过程产生光子，释放出光能，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝rgb三基色，构成基本色彩。

oled具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，已经成为当今最重要的显示技术之一。

oled显示装置主流驱动方式为电流驱动，工作电流在显示装置下边框处通过源漏极(sd：source/drain)进行输入，因源漏极自身存在一定电阻，信号传输存在电压下降(irdrop)，即靠近上边框处电压偏小。而显示装置发光亮度与源漏极上驱动电压相关，最终导致显示装置出现发光亮度不均异常。目前解决oled显示装置发光亮度不均的方法为双层源漏极结构，即采用两道平坦层分别实现第一源漏极层和第二源漏极层、第二源漏极层与像素电极层的连接；当进行第二源漏极层刻蚀时，会对下层平坦层存在大面积刻蚀，后续再覆盖上层平坦层后容易发生膜脱落(peeling)异常。因此，需要寻求一种新型的显示装置以解决上述问题。

技术实现要素：

本发明的一个目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，其能够节省一道平坦层制程光罩，并改善下层平坦层被大面积蚀刻后导致再覆盖上层平坦层时产生膜脱落现象，提升显示装置的可靠性。

为了解决上述问题，本发明的一个实施方式提供了一种阵列基板，其定义有显示区和弯折区，其中包括：基板、缓冲层、有源层以及第一源漏极层。其中所述缓冲层设置于所述基板上；所述有源层设置于所述显示区的缓冲层上，所述有源层包括主体部和两个侧部；所述第一源漏极层包括第一源极和第一漏极，所述第一源极和第一漏极分别搭接于所述有源层的两个侧部上。

进一步地，其中所述阵列基板还包括：绝缘层、栅极层、层间绝缘层以及第二源漏极层。其中所述绝缘层设置于所述第一源漏极层上；所述栅极层设置于所述绝缘层上；所述层间绝缘层设置于所述栅极层上；所述第二源漏极层设置于所述层间绝缘层上，所述第二源漏极层通过第一接触孔连接于所述第一源漏极层上。

进一步地，其中所述弯折区的基板上还设置有一有机光阻层，所述第二源漏极层还设置于所述有机光阻层上。

进一步地，其中所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层；所述栅极层包括第一栅极层和第二栅极层；所述第一绝缘层设置于所述有源层上；所述第一栅极层设置于所述第一绝缘层上；所述第二绝缘层设置于所述第一栅极层上；所述第二栅极层设置于所述第二绝缘层上；所述层间绝缘层设置于所述第二栅极层上。

进一步地，其中所述第二源漏极层设置为网状结构。

本发明的另一个实施方式还提供了一种制备本发明涉及的阵列基板的制备方法，其中包括以下步骤：s1，将待制备的阵列基板定义出显示区和弯折区，提供一基板，在所述基板上形成缓冲层；s2，在所述缓冲层上沉积有源层；s3，利用准分子激光晶化技术实现有源层的多晶硅化，并使用pr光罩对有源层进行图案化，通过一道pr光罩，对有源层进行离子植入，形成主体部和两个侧部；s4，在所述有源层上沉积第一源漏极层，并通过pr光罩实现图案化，将所述弯折区的第一源漏极层全部刻蚀掉，得到第一源极和第二漏极，使所述第一源极和第二漏极分别搭接于所述有源层的两个侧部上。

进一步地，还包括以下步骤：s5，在所述第一源漏极层上沉积绝缘层，在所述绝缘层上沉积栅极层；s6，在所述栅极层上沉积制备层间绝缘层；s7，在所述层间绝缘层上沉积制备第二源漏极层，所述第二源漏极层通过第一接触孔连接于所述第一源漏极层上。

进一步地，其中所述s7中还包括：通过pr光罩技术对所述弯折区的层间绝缘层远离所述基板的表面直至所述基板朝向所述层间绝缘层的表面进行蚀刻形成凹槽，在所述凹槽内填充有机光阻材料形成有机光阻层；在所述有机光阻层上沉积第二源漏极层。

本发明的另一个实施方式还提供了一种显示装置，所述显示装置包括显示面板，所述显示面板包括本发明所涉及的阵列基板。

进一步地，其中所述显示面板还包括平坦层、像素电极层以及像素定义层。其中所述平坦层设置于所述层间绝缘层和所述有机光阻层上；所述像素电极层设置于所述显示区的平坦层上，所述像素电极层通过所述第二接触孔连接于所述第二源漏极层上；所述像素定义层设置于所述像素电极层两侧的平坦层上。

本发明的优点是：本发明涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。一方面，本发明有利于改善电压下降、发光亮度不均等异常现象；另一方面，本发明通过节省一道平坦层制程光罩，避免下层平坦层被大面积蚀刻后导致再覆盖上层平坦层时产生膜脱落异常现象，提升显示装置的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明显示装置的显示面板的结构示意图。

图2是本发明显示装置的显示面板的第一制备示意图。

图3是本发明显示装置的显示面板的第二制备示意图。

图4是本发明显示装置的显示面板的第三制备示意图。

图5是本发明显示装置的显示面板的第四制备示意图。

图6是本发明显示装置的显示面板的第五制备示意图。

图7是本发明显示装置的显示面板的第六制备示意图。

图8是本发明显示装置的显示面板的第七制备示意图。

图9是本发明显示装置的显示面板的第八制备示意图。

图10是本发明显示装置的显示面板的第九制备示意图。

图11是本发明显示装置的显示面板的第十制备示意图。

图12是本发明显示装置的显示面板的第十一制备示意图。

图中部件标识如下：

100、显示面板101、显示区

102、弯折区1、基板

2、第一缓冲层3、第二缓冲层

4、有源层5、第一源漏极层

6、第一绝缘层7、第一栅极层

8、第二绝缘层9、第二栅极层

10、层间绝缘层12、有机光阻层

13、第二源漏极层14、平坦层

15、像素电极层16、像素定义层

41、主体部42、侧部

具体实施方式

以下结合说明书附图详细说明本发明的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，以举例证明本发明可以实施，使得本发明公开的技术内容更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本发明。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本发明的范围。

本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，本文所使用的方向用语是用来解释和说明本发明，而不是用来限定本发明的保护范围。

在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外，为了便于理解和描述，附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。

当某些组件，被描述为“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接置于所述另一组件上；也可以存在一中间组件，所述组件置于所述中间组件上，且所述中间组件置于另一组件上。当一个组件被描述为“安装至”或“连接至”另一组件时，二者可以理解为直接“安装”或“连接”，或者一个组件通过一中间组件“安装至”或“连接至”另一个组件。

实施例1

本实施方式提供一种显示装置，所述显示装置包括显示面板100。

如图1所示，一种显示面板100，其定义有显示区101和弯折区102，其中包括：基板1、第一缓冲层2、第二缓冲层3、有源层4、第一源漏极层5、绝缘层、栅极层、层间绝缘层10以及第二源漏极层11。

如图1所示，其中所述基板1包括第一衬底、中间层以及第二衬底。其中所述第一衬底与所述第二衬底的组成材料可以选择聚酰亚胺，由此制成的所述第一衬底与所述第二衬底柔韧性好。其中所述中间层的组成材料可以是sio2也可以是sinx，还可以是sio2与sinx的叠层结构，由此制备的所述中间层阻水氧性能好，还可以提高第一衬底与第二衬底之间的信耐性。

如图1所示，其中所述第一缓冲层2和第二缓冲层3设置于所述基板1上；主要是充当缓冲及保护作用。

如图1所示，其中所述有源层4设置于所述显示区101的第二缓冲层3上。所述有源层4包括主体部41和两个侧部42。具体的，本实施例中主要是利用准分子激光晶化技术实现有源层4的多晶硅化，然后通过pr光罩对有源层4进行图案化处理，形成主体部41和两个侧部42，最后通过一道pr光罩多有源层4的两个侧部42进行离子掺杂处理形成p型半导体。

如图1所示，所述第一漏极层5与所述有源层4同层设置，所述第一源漏极层5包括第一源极和第一漏极，所述第一源极和第一漏极分别搭接于所述有源层4的两个侧部42上。具体的，所述第一源极和第一漏极均有部分设置在所述第二缓冲层3上，所述第一源极和第一漏极均还有部分搭接在所述有源层4的侧部42上。由此有利于改善电压下降、发光亮度不均等异常现象；另一方面，本实施方式通过节省一道平坦层制程光罩，还可以避免下层平坦层被大面积蚀刻后导致再覆盖上层平坦层时产生膜脱落异常现象，大大的提升了显示面板100的可靠性。

如图1所示，其中所述绝缘层设置于所述第一源漏极层5上；所述栅极层设置于所述绝缘层上。具体的，所述绝缘层包括第一绝缘层6和第二绝缘层8；所述栅极层包括第一栅极层7和第二栅极层9；所述第一绝缘层6设置于所述有源层4上；所述第一栅极层7设置于所述第一绝缘层6上；所述第二绝缘层8设置于所述第一栅极层7上；所述第二栅极层9设置于所述第二绝缘层8上。

如图1所示，其中所述层间绝缘层10设置于所述栅极层上，具体的，所述层间绝缘层10设置于所述第二栅极层9上。

如图1所示，其中所述显示面板100还包括第二源漏极层13。所述第二源漏极层13设置于所述层间绝缘层10上。所述显示区101的第二源漏极层13通过第一接触孔连接于所述第一源漏极层5上。其中所述第二源漏极层13设置为网状结构。

如图1所示，其中所述弯折区102的基板1上还设置有一有机光阻层12，所述第二源漏极层13还设置于所述有机光阻层12上。其中所述有机光阻层12是通过pr光罩技术对所述弯折区102的层间绝缘层10远离所述基板1的表面直至所述基板1朝向所述层间绝缘层10的表面进行蚀刻形成凹槽，在所述凹槽内填充有机光阻材料制备形成的。

如图1所示，其中所述显示面板100还包括平坦层14，所述平坦层设置于所述层间绝缘层10和所述有机光阻层12上。

如图1所示，其中所述显示面板100还包括像素电极层15以及像素定义层16。其中所述像素电极层15设置于所述显示区101的平坦层14上；所述像素电极层15通过所述第二接触孔连接于所述第二源漏极层13上；所述像素定义层16设置于所述像素电极层15两侧的所述平坦层14上。

综上所述，一方面，本实施方式提供的所述显示面板100有利于改善电压下降、发光亮度不均等异常现象；另一方面，本实施方式通过节省一道平坦层制程光罩，还可以避免大面积下层平坦层蚀刻后再覆盖上层平坦层而发的膜脱落异常现象，大大的提升了显示面板100的可靠性。

实施例2

本实施方式提供了一种制备实施例1所涉及的显示面板100的制备方法。

如图2所示，步骤s1,将待制备的显示面板100定义出显示区101和弯折区102，提供一基板1，在所述基板1上形成第一缓冲层2和第二缓冲层3；步骤s2，在所述第二缓冲层3上沉积有源层4。

如图3所示，步骤s3，利用准分子激光晶化技术实现有源层4的多晶硅化，并使用pr光罩对有源层4进行图案化，通过一道pr光罩，对有源层4进行离子植入，形成主体部41和两个侧部42。

如图4所示，步骤s4，在所述有源层4上沉积第一源漏极层5，并通过pr光罩实现图案化，将所述弯折区102的第一源漏极层5全部刻蚀掉，得到第一源极和第二漏极，使所述第一源极和第二漏极分别搭接于所述有源层4的两个侧部42上。

如图5所示，步骤s5，在所述第一源漏极层5上沉积第一绝缘层6；在所述第一绝缘层6上沉积第一栅极层7。

如图6所示，步骤s5中还包括在所述第一栅极层7、第一绝缘层6上沉积制备第二绝缘层8；在所述第二绝缘层8上沉积制备第二栅极层9。

如图7所示，步骤s6，在所述第二栅极层9、第二绝缘层8上沉积制备层间绝缘层10。

如图7所示，步骤s7，通过pr光罩技术对所述弯折区102的层间绝缘层10远离所述基板1的表面直至所述基板1朝向所述层间绝缘层10的表面进行蚀刻形成凹槽。

如图8所示，步骤s7中还包括使用有机光阻材料填充凹槽形成有机光阻层12。

如图9所示，步骤s7中还包括：通过单次pr光罩，在所述显示区101的显示面板100上形成连接第一源漏极层5和第二源漏极层13的第一接触孔。

如图10所示，步骤s7中还包括：在所述层间绝缘层10、有机光阻层12上沉积第二源漏极层13，所述第二源漏极层13通过第一接触孔连接于所述第一源漏极层5上；通过单次pr光罩实现图案化，将所述第二源漏极层13图案化为网格结构。

如图11所示，步骤s8，在所述第二源漏极层13、层间绝缘层10、有机光阻层12上沉积平坦层14，并在所述平坦层14上形成连接第二源漏极13与像素电极层15的第二接触孔。

如图12所示，步骤s9，在所述平坦层14上沉积像素电极层15。

其中所述步骤s9中还包括在所述像素电极层15两侧的所述平坦层14上制备像素定义层16，形成如图1所示的oled显示面板100。

综上，通过本实施方式制备出的显示面板有利于改善电压下降、发光亮度不均等异常现象；另一方面，通过节省一道平坦层制程光罩，还可以避免大面积下层平坦层蚀刻后再覆盖上层平坦层而发的膜脱落异常现象，大大的提升了oled显示面板100的可靠性。

以上对本发明所提供的阵列基板及其制备方法、显示装置进行了详细介绍。应理解，本文所述的示例性实施方式应仅被认为是描述性的，用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，而并不用于限制本发明。在每个示例性实施方式中对特征或方面的描述通常应被视作适用于其他示例性实施例中的类似特征或方面。尽管参考示例性实施例描述了本发明，但可建议所属领域的技术人员进行各种变化和更改。本发明意图涵盖所附权利要求书的范围内的这些变化和更改，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。