相位检测自动对焦像素元件及其形成方法，图像传感器及其形成方法与流程

本申请涉及半导体技术领域，具体地涉及一种相位检测自动对焦像素元件及其形成方法，以及包含所述相位检测自动对焦像素元件的图像传感器及其形成方法。

背景技术：

图像传感器是一种将光学图像转换成电信号的器件。随着计算机和通信产业的发展，对高性能图像传感器的需求不断增长，这些高性能图像传感器广泛用于诸如数字照相机、摄像录像机、个人通信系统(pcs)、游戏机、安防摄像机、医用微型照相机之类的各种领域。

图像传感器阵列中可以包括用于成像的像素单元和用于实现镜头自动对焦的像素单元。一种实现自动对焦的方法叫做相位检测自动对焦(phasedetectiveautofocusing，pdaf)。图1为一种现有技术中的pdaf像素单元的结构示意图。所述pdaf像素包括形成有至少两个感光元件120的半导体衬底110，所述半导体衬底110包括至少两个像素区域111，所述至少两个感光元件120分别对应于所述至少两个像素区域111；深沟槽隔离结构130，位于所述两个像素区域111之间，用于减小相邻像素区域之间的光线串扰；增透层140，所述增透层140位于所述半导体衬底110上；滤色层150，所述滤色层150位于所述增透层140上，横跨所述至少两个像素区域111；微透镜160，位于所述滤色层150上，横跨所述至少两个像素区域111。

所述pdaf像素在图像传感器阵列中对称分布，当所述图像传感器获取到物体的图像时，通过检测对称的pdaf像素中的两个像素区域111的光强差别，再通过算法处理可以得到物体的位置信息，从而指导镜头的前后移动实现自动对焦。

然而现有图像传感器中的pdaf像素对光线的响应角度较小，所述检测到的光强差别较小，对焦灵敏度不高，因此有必要开发一种新的能够实现自动对焦的图像传感器。

技术实现要素：

本申请提供一种相位检测自动对焦像素元件及其形成方法，以及包含所述相位检测自动对焦像素元件的图像传感器及其形成方法，以提高所述相位检测自动对焦像素元件的对焦灵敏度。

本申请的一个方面提供一种相位检测自动对焦像素元件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括至少两个像素区域；增透层，所述增透层位于所述半导体衬底上；至少两个掩埋透镜，所述至少两个掩埋透镜位于所述增透层上，位置对应于所述至少两个像素区域；滤色层，所述滤色层位于所述增透层上，并且覆盖所述至少两个掩埋透镜；微透镜，位于所述滤色层上，横跨所述至少两个像素区域。

在本申请的一些实施例中，所述至少两个掩埋透镜的材料为熔点在300摄氏度以上的透明介质材料。

在本申请的一些实施例中，所述至少两个掩埋透镜的材料为氧化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、氮化硅中的任意一种。

在本申请的一些实施例中，所述至少两个掩埋透镜的厚度为100纳米至900纳米。

在本申请的一些实施例中，所述增透层材料为熔点在300摄氏度以上的可以提高光线透过率的透明介质材料。

在本申请的一些实施例中，所述增透层材料为氧化铝、氧化铪、氧化锆、氮化硅中的任意一种或者多种。

在本申请的一些实施例中，所述增透层为一层以上所述透明介质材料形成的堆栈结构。

本申请的一个方面还提供一种相位检测自动对焦像素元件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括至少两个像素区域；在所述半导体衬底上形成增透层；在所述增透层上形成至少两个掩埋透镜，所述至少两个掩埋透镜位置对应于所述至少两个像素区域；在所述增透层以及所述至少两个掩埋透镜上形成滤色层，所述滤色层覆盖所述至少两个掩埋透镜；在所述滤色层上形成微透镜，所述微透镜横跨所述至少两个像素区域。

在本申请的一些实施例中，所述至少两个掩埋透镜的材料为熔点在300摄氏度以上的透明介质材料。

在本申请的一些实施例中，所述至少两个掩埋透镜的材料为氧化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、氮化硅中的任意一种。

在本申请的一些实施例中，所述至少两个掩埋透镜的厚度为100纳米至900纳米。

在本申请的一些实施例中，所述增透层材料为熔点在300摄氏度以上的可以提高光线透过率的透明介质材料。

在本申请的一些实施例中，所述增透层材料为氧化铝、氧化铪、氧化锆和氮化硅中的任意一种或者多种。

在本申请的一些实施例中，所述增透层为一层以上所述透明介质材料形成的堆栈结构。

在本申请的一些实施例中，在所述增透层上形成至少两个掩埋透镜的方法包括：在所述增透层上形成掩埋透镜材料层；在所述掩埋透镜材料层上形成光刻胶层；图案化所述光刻胶层，使所述光刻胶层的图案与所述至少两个掩埋透镜的图形一致；回流所述图案化的光刻胶层；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述掩埋透镜材料层，形成所述掩埋透镜；去除所述图案化的光刻胶层。

在本申请的一些实施例中，回流所述图案化的光刻胶层的温度为50摄氏度至150摄氏度，回流时间为0.5分钟至3分钟。

本申请的另一个方面提供一种图像传感器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括至少一个第一像素区域和至少两个第二像素区域，所述第二像素区域用于形成相位检测自动对焦像素元件；增透层，位于所述半导体衬底上；至少两个掩埋透镜，位于所述增透层上，位置与所述第二像素区域对应；第一滤色层以及第二滤色层，位于所述增透层上，所述第一滤色层的位置与所述至少一个第一像素区域对应，所述第二滤色层的位置与所述至少两个第二像素区域和所述至少两个掩埋透镜对应；隔离栅格，位于所述增透层上，并隔离任意相邻的所述第一滤色层和第二滤色层；第一微透镜以及第二微透镜，所述第一微透镜位于所述第一滤色层上，所述第二微透镜位于所述第二滤色层上，所述第二微透镜横跨所述至少两个第二像素区域。

本申请的另一个方面还提供一种图像传感器的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括至少一个第一像素区域和至少两个第二像素区域，所述第二像素区域用于形成相位检测自动对焦像素元件；在所述半导体衬底上形成增透层；在所述增透层上形成至少两个掩埋透镜，所述至少两个掩埋透镜位置对应于所述第二像素区域；在所述增透层上形成隔离栅格，所述隔离栅格位于所述至少一个第一像素区域之间以及所述至少一个第一像素区域与所述至少两个第二像素区域之间；在所述至少一个第一像素区域对应的所述增透层上形成第一滤色层，在所述至少两个第二像素区域对应的所述增透层和所述至少两个掩埋透镜上形成第二滤色层；在所述第一滤色层上形成第一微透镜，在所述第二滤色层上形成第二微透镜，所述第二微透镜横跨所述至少两个第二像素区域。

在本申请的一些实施例中，所述第二滤色层为绿色或透明。

在本申请的一些实施例中，在所述增透层上形成掩埋透镜的方法包括：在所述增透层上形成掩埋透镜材料层；在所述掩埋透镜材料层上形成光刻胶层；图案化所述光刻胶层，使所述光刻胶层的图案与所述至少两个掩埋透镜的图形一致；回流所述图案化的光刻胶层；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述掩埋透镜材料层，形成所述掩埋透镜；去除所述图案化的光刻胶层。

本申请提供的一种相位检测自动对焦像素元件及其形成方法，以及包含所述相位检测自动对焦像素元件的图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括相位检测自动对焦像素元件，通过在所述相位检测自动对焦像素元件中的增透层上形成掩埋透镜，所述掩埋透镜可以进一步聚集射入到相位检测自动对焦像素中的光线，增加了所述相位检测自动对焦像素的进光量，增大了进行自动对焦时所述相位检测自动对焦像素元件中像素区域之间的光强差别，增大了所述相位检测自动对焦像素元件对光线的响应角度，提高了对焦灵敏度。

附图说明

以下附图详细描述了本申请中披露的示例性实施例。其中相同的附图标记在附图的若干视图中表示类似的结构。本领域的一般技术人员将理解这些实施例是非限制性的、示例性的实施例，附图仅用于说明和描述的目的，并不旨在限制本公开的范围，其他方式的实施例也可能同样的完成本申请中的发明意图。应当理解，附图未按比例绘制。其中：

图1为一种现有技术中的pdaf像素的结构示意图。

图2至图9为本申请实施例中一种pdaf像素元件形成方法各步骤的结构示意图。

图10至图12为本申请实施例中一种图像传感器形成方法各步骤的结构示意图。

图13为本申请实施例中一种图像传感器的像素在半导体衬底中的分布图。

图14为光线从不同角度进入pdaf像素元件的光线路径图。

图15为现有技术中pdaf像素元件中的光线路径图。

图16为本实施例中pdaf像素元件中的光线路径图。

图17为pdaf元件中光入射角度与光信号强度之间的关系图。

具体实施方式

以下描述提供了本申请的特定应用场景和要求，目的是使本领域技术人员能够制造和使用本申请中的内容。对于本领域技术人员来说，对所公开的实施例的各种局部修改是显而易见的，并且在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以将这里定义的一般原理应用于其他实施例和应用。因此，本公开不限于所示的实施例，而是与权利要求一致的最宽范围。

下面结合实施例和附图对本发明技术方案进行详细说明。

本实施例提供一种相位检测自动对焦(以下简称pdaf)像素元件的形成方法，参考图2至图5，包括：提供半导体衬底110，所述半导体衬底110包括至少两个像素区域111；在所述半导体衬底110上形成增透层140；在所述增透层140上形成至少两个掩埋透镜170，所述至少两个掩埋透镜170位置对应于所述至少两个像素区域111；在所述增透层140以及所述至少两个掩埋透镜170上形成滤色层150，所述滤色层150覆盖所述至少两个掩埋透镜170；在所述滤色层150上形成微透镜160，所述微透镜160横跨所述至少两个像素区域111。

图2至图9为本申请实施例中一种pdaf像素元件形成方法各步骤的结构示意图。下面参考图2至图9对本申请实施例所述的pdaf像素元件形成方法进行进一步的详细说明。

参考图2，提供形成有至少两个感光元件120的半导体衬底110，所述半导体衬底110包括至少两个像素区域111，所述至少两个感光元件120分别对应于所述至少两个像素区域111。为了简便，附图2至9中仅画出两个所述感光元件120以及两个像素区域111作为示例。

在本申请的一些实施例中，所述的半导体衬底110可以为硅衬底，或者为绝缘体上的硅衬底，或者是生长有外延层的硅衬底。

在本申请的一些实施例中，所述的半导体衬底110为p型硅，所述p型硅通过在硅衬底中进行p型掺杂来实现，例如使用离子注入或扩散的工艺实现全部掺杂。执行掺杂工艺时，掺杂离子的能量及掺杂浓度可以按照现有技术进行选择。

在本申请的一些实施例中，所述的感光元件120例如为光电二极管，用于将接收到的光信号转换为电信号。为了满足所述半导体衬底110的总厚度薄化的要求，所述至少两个光电二极管在所述半导体衬底110中基本上位于同一深度。

在本申请的一些实施例中，所述光电二极管可以通过在半导体衬底110中通过执行一次以上的离子注入工艺形成。所述光电二极管的掺杂类型与所述半导体衬底110的掺杂类型相反，例如，当所述半导体衬底110为p型掺杂时，所述光电二极管为n型掺杂。

在本申请的一些实施例中，所述半导体衬底110可以包括至少两个像素区域111，以及与所述至少两个像素区域111数量相同的至少两个所述感光元件120，所述至少两个感光元件120分别对应于所述至少两个像素区域111。在本申请的一些实施例中，所述每两个像素区域111形成的相位检测自动对焦像素元件构成一个基本的像素单元。所述多个基本的像素单元可呈阵列排布。

继续参考图2，在所述半导体衬底110内形成深沟槽隔离结构130，所述深沟槽隔离结构130位于所述至少两个像素区域111之间，用于隔离所述至少两个像素区域111，防止入射光线在相邻像素区域111之间串扰。所述深沟槽隔离结构130的形成工艺可以是本领域技术人员了解的任何隔离工艺，在此不做详细描述。

参考图3，在所述半导体衬底110上形成增透层140，所述增透层140可以增加光线的透过率。在本申请的一些实施例中，形成所述增透层140的方法为在所述半导体衬底110上沉积增透材料形成所述增透层140。

在本申请的一些实施例中，所述增透层140为一层以上透明介质材料形成的堆栈结构。

在本申请的一些实施例中，形成所述增透层140的材料为熔点在300摄氏度以上的可以提高光线透过率的透明介质材料。由于在后续工艺中可能需要对所述半导体衬底110进行加热，例如执行加热回流工艺以形成所述掩埋透镜170，因此所述增透层140需要有一定的耐高温能力，所述增透层140材料的熔点要达到300摄氏度以上。

在本申请的一些实施例中，所述增透层140的材料为氧化铝、氧化铪、氧化锆和氮化硅中的任意一种或者多种材料的复合。

参考图4至图7，在所述增透层140上形成至少两个掩埋透镜170，所述至少两个掩埋透镜170位置对应于所述至少两个像素区域111。所述至少两个掩埋透镜170可以将光线进一步向所述感光元件120的方向聚集，增加所述感光元件120中的进光量，增大了进行自动对焦时所述pdaf元件中所述至少两个感光元件120之间的光强差别，增大了所述pdaf元件对光线的响应角度，提高了对焦灵敏度。

在本申请的一些实施例中，所述掩埋透镜170远离所述增透层140的一面为曲面，所述曲面的曲率越大，所述掩埋透镜170对光线的汇聚能力越强。

在本申请的一些实施例中，形成所述掩埋透镜170的材料的折射率大于形成滤色层150的材料的折射率。所述掩埋透镜170与所述滤色层150的折射率差越大，所述掩埋透镜170对光线的汇聚能力越强。

在本申请的一些实施例中，所述掩埋透镜170的宽度为所述至少两个像素区域111的四分之三以上。

在本申请的一些实施例中，所述增透层140上可以形成至少两个所述掩埋透镜170，所述至少两个掩埋透镜170的数量与所述至少两个像素区域111的数量相同，所述至少两个掩埋透镜170位置对应于所述至少两个像素区域111。

在本申请的一些实施例中，所述至少两个掩埋透镜170的材料为熔点在300摄氏度以上的透明介质材料。由于形成所述掩埋透镜170时可能需要对所述半导体衬底110进行加热，因此所述至少两个掩埋透镜170需要有一定的耐高温能力，所述至少两个掩埋透镜170的熔点要达到300摄氏度以上。

在本申请的一些实施例中，所述至少两个掩埋透镜170的材料为氧化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、氮化硅中的任意一种。

在本申请的一些实施例中，所述至少两个掩埋透镜170的厚度为100纳米至900纳米。一方面所述至少两个掩埋透镜170的厚度不能太高，不能对所述pdaf像素元件的整体高度产生影响；另一方面所述至少两个掩埋透镜170的厚度不能太低，否则会影响所述至少两个掩埋透镜170的聚光能力。

参考图4，在所述增透层140上形成掩埋透镜材料层171，所述掩埋透镜层171用于形成所述掩埋透镜170。

继续参考图4，在所述掩埋透镜材料层171上旋涂光刻胶形成光刻胶层172。

参考图5，通过曝光、显影，图案化所述光刻胶层172，使所述光刻胶层172的图案与所述至少两个掩埋透镜170的图形一致。

参考图6，回流所述图案化的光刻胶层172。在本申请的一些实施例中，回流所述图案化的光刻胶层的温度为50摄氏度至150摄氏度，回流时间为0.5分钟至3分钟。

参考图7，以回流后的所述图案化的光刻胶层172为掩膜，刻蚀所述掩埋透镜材料层171，形成所述掩埋透镜170，并去除所述图案化的光刻胶层172。

在本申请的一些实施例中，刻蚀所述掩埋透镜材料层171的方法例如为干法刻蚀。

参考图8，在所述增透层140以及所述至少两个掩埋透镜170上形成滤色层150，所述滤色层150覆盖所述至少两个掩埋透镜170。所述滤色层150用于通过特定波长范围的光，使所述特定波长范围的光进入所述感光元件120。

在本申请的一些实施例中，所述滤色层150是用内部添加有有机颜料的树脂形成的。所述滤色层150例如为绿色或者无色。

参考图9，在所述滤色层150上形成微透镜160，所述微透镜160横跨所述至少两个像素区域111。所述的微透镜160用于聚集光，其材料例如为聚苯乙烯树脂、丙烯酸树脂或这些树脂的共聚物树脂形成的。形成所述微透镜160的工艺可以是现有的任意一种微透镜制作工艺，在此不做详细描述。

本申请实施例所述的一种pdaf像素元件的形成方法，通过在所述增透层140上形成掩埋透镜170，所述掩埋透镜170可以进一步将光线向所述感光元件120的方向聚集，增加所述感光元件120中的进光量，增大了进行自动对焦时所述pdaf元件中所述两个感光元件120之间的光强差别，增大了所述pdaf元件对光线的响应角度，提高了对焦灵敏度。

本申请实施例还提供了一种pdaf像素元件，参考图9，包括：半导体衬底110，所述半导体衬底110包括至少两个像素区域111；增透层140，所述增透层140位于所述半导体衬底110上；至少两个掩埋透镜170，所述至少两个掩埋透镜170位于所述增透层140上，位置对应于所述至少两个像素区域111；滤色层150，所述滤色层150位于所述增透层140上，并且覆盖所述至少两个掩埋透镜170；微透镜160，位于所述滤色层150上，横跨所述至少两个像素区域111。

参考图9，半导体衬底110中形成有至少两个感光元件120，所述半导体衬底110包括至少两个像素区域111，所述至少两个感光元件120分别对应于所述至少两个像素区域111。为了简便，附图9中仅画出两个所述感光元件120以及两个像素区域111作为示例。

在本申请的一些实施例中，所述的半导体衬底110可以为硅衬底，或者为绝缘体上的硅衬底，或者是生长有外延层的硅衬底。

在本申请的一些实施例中，所述的半导体衬底110为p型硅，所述p型硅通过在硅衬底中进行p型掺杂来实现，例如使用离子注入或扩散的工艺实现全部掺杂。执行掺杂工艺时，掺杂离子的能量及掺杂浓度可以按照现有技术进行选择。

在本申请的一些实施例中，所述的感光元件120例如为光电二极管，用于将接收到的光信号转换为电信号。为了满足所述半导体衬底110的总厚度薄化的要求，所述至少两个光电二极管在所述半导体衬底110中基本上位于同一深度。

在本申请的一些实施例中，所述光电二极管可以通过在半导体衬底110中通过执行一次以上的离子注入工艺形成。所述光电二极管的掺杂类型与所述半导体衬底110的掺杂类型相反，例如，当所述半导体衬底110为p型掺杂时，所述光电二极管为n型掺杂。

在本申请的一些实施例中，所述半导体衬底110可以包括至少两个像素区域111，以及与所述至少两个像素区域111数量相同的至少两个所述感光元件120，所述至少两个感光元件120分别对应于所述至少两个像素区域111。在本申请的一些实施例中，所述每两个像素区域111形成的相位检测自动对焦像素元件构成一个基本的像素单元。所述多个基本的像素单元可呈阵列排布。

参考图9所述，在所述半导体衬底110内形成有深沟槽隔离结构130，所述深沟槽隔离结构130位于所述至少两个像素区域111之间，用于隔离所述至少两个像素区域111，防止入射光线在相邻像素区域111之间串扰。所述深沟槽隔离结构130的形成工艺可以是本领域技术人员了解的任何隔离工艺，在此不做详细描述。

参考图9所述，在所述半导体衬底110上形成有增透层140，所述增透层140可以增加光线的透过率。在本申请的一些实施例中，形成所述增透层140的方法为在所述半导体衬底110上沉积增透材料形成所述增透层140。

在本申请的一些实施例中，所述增透层140为一层以上透明介质材料形成的堆栈结构。

在本申请的一些实施例中，形成所述增透层140的材料为熔点在300摄氏度以上的可以提高光线透过率的透明介质材料。由于在形成所述pdaf像素元件的工艺中可能需要对所述半导体衬底110进行加热，例如执行加热回流工艺以形成所述掩埋透镜170，因此所述增透层140需要有一定的耐高温能力，所述增透层140的熔点要达到300摄氏度以上。

在本申请的一些实施例中，所述增透层140材料为氧化铝、氧化铪、氧化锆和氮化硅中的任意一种或者多种材料的复合。

参考图9所述，在所述增透层140上形成有至少两个掩埋透镜170，所述至少两个掩埋透镜170位置对应于所述至少两个像素区域111。所述至少两个掩埋透镜170可以将光线进一步向所述至少两个感光元件120的方向聚集，增加所述至少两个感光元件120中的进光量，增大了进行自动对焦时所述pdaf元件中所述至少两个感光元件120之间的光强差别，增大了所述pdaf元件对光线的响应角度，提高了对焦灵敏度。

在本申请的一些实施例中，所述掩埋透镜170远离所述增透层140的一面为曲面，所述曲面的曲率越大，所述掩埋透镜170对光线的汇聚能力越强。

在本申请的一些实施例中，形成所述掩埋透镜170的材料的折射率大于形成滤色层150的材料的折射率。所述掩埋透镜170与所述滤色层150的折射率差越大，所述掩埋透镜170对光线的汇聚能力越强。

在本申请的一些实施例中，所述掩埋透镜170的宽度为所述至少两个像素区域111的四分之三以上。

在本申请的一些实施例中，所述增透层140上可以形成至少两个所述掩埋透镜170，所述至少两个掩埋透镜170的数量与所述至少两个像素区域111的数量相同，所述至少两个掩埋透镜170位置对应于所述至少两个像素区域111。

在本申请的一些实施例中，所述至少两个掩埋透镜170的材料为熔点在300摄氏度以上的透明介质材料。由于形成所述掩埋透镜170时可能需要对所述半导体衬底110进行加热，因此所述至少两个掩埋透镜170需要有一定的耐高温能力，所述至少两个掩埋透镜170的熔点要达到300摄氏度以上。

在本申请的一些实施例中，所述至少两个掩埋透镜170的材料为氧化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、氮化硅中的任意一种。

在本申请的一些实施例中，所述至少两个掩埋透镜170的厚度为100纳米至900纳米。一方面所述至少两个掩埋透镜170的厚度不能太高，不能对所述pdaf像素元件的整体高度产生影响；另一方面所述至少两个掩埋透镜170的厚度不能太低，否则会影响所述至少两个掩埋透镜170的聚光能力。

参考图9所示，在所述增透层140以及所述至少两个掩埋透镜170上形成有滤色层150，所述滤色层150覆盖所述至少两个掩埋透镜170。所述滤色层150用于通过特定波长范围的光，使所述特定波长范围的光进入所述感光元件120。

在本申请的一些实施例中，所述滤色层150是用内部添加有有机颜料的树脂形成的。所述滤色层150例如为绿色或者透明。

参考图9所示，在所述滤色层150上还形成有微透镜160，所述微透镜160横跨所述至少两个像素区域111。所述的微透镜160用于聚集光，其材料例如为聚苯乙烯树脂、丙烯酸树脂或这些树脂的共聚物树脂形成的。形成所述微透镜160的工艺可以是现有的任意一种微透镜制作工艺，在此不做详细描述。

本申请实施例所述的pdaf像素元件，在所述增透层140上形成有至少两个掩埋透镜170，所述至少两个掩埋透镜170可以进一步将光线向所述至少两个感光元件120的方向聚集，增加所述至少两个感光元件120中的进光量，增大了进行自动对焦时所述pdaf元件中所述至少两个感光元件120之间的光强差别，增大了所述pdaf元件对光线的响应角度，提高了对焦灵敏度。

本申请实施例还提供一种图像传感器的形成方法，包括：提供半导体衬底110，所述半导体衬底110包括至少一个第一像素区域201和至少两个第二像素区域202，所述第二像素区域202用于形成pdaf像素元件；在所述半导体衬底110上形成增透层140；在所述增透层140上形成至少两个掩埋透镜170，所述至少两个掩埋透镜170位置对应于所述第二像素区域202；在所述增透层140上形成隔离栅格210，所述隔离栅格210位于所述至少一个第一像素区域201之间以及所述至少一个第一像素区域201与所述至少两个第二像素区域202之间；在所述至少一个第一像素区域201对应的所述增透层140上形成第一滤色层151，在所述至少两个第二像素区域202对应的所述增透层140和所述至少两个掩埋透镜170上形成第二滤色层152；在所述第一滤色层151上形成第一微透镜161，在所述第二滤色层152上形成第二微透镜162，所述第二微透镜162横跨所述至少两个第二像素区域202。

图10至图12为本申请实施例中一种图像传感器形成方法各步骤的结构示意图。下面参考图10至图12对本申请实施例所述的图像传感器形成方法进行进一步的详细说明。

参考图10，提供形成有感光元件120的半导体衬底110，所述半导体衬底110包括至少一个第一像素区域201和至少两个第二像素区域202，其中，所述至少一个第一像素区域201用于形成成像像素，所述至少两个第二像素区域202用于形成pdaf像素元件，所述感光元件120分别对应于不同的像素区域。

在本申请的一些实施例中，所述的半导体衬底110可以为硅衬底，或者为绝缘体上的硅衬底，或者是生长有外延层的硅衬底。

在本申请的一些实施例中，所述的感光元件120例如为光电二极管，用于将接收到的光信号转换为电信号。在本申请的一些实施例中，所述光电二极管在半导体衬底110中以拜耳(bayer)阵列布置。为了满足所述半导体衬底110的总厚度薄化的要求，所述光电二极管在所述半导体衬底110中基本上位于同一深度。

继续参考图10，在所述半导体衬底110内形成深沟槽隔离结构130，所述深沟槽隔离结构130用于防止入射光线在相邻像素区域111之间串扰。所述深沟槽隔离结构130的形成工艺可以是本领域技术人员了解的任何隔离工艺，在此不做详细描述。

参考图10所示，在所述半导体衬底110上形成增透层140，所述增透层140可以增加光线的透过率。在本申请的一些实施例中，形成所述增透层140的方法为在所述半导体衬底110上沉积增透材料形成所述增透层140。

在本申请的一些实施例中，所述增透层140为一层以上透明介质材料形成的堆栈结构。

在本申请的一些实施例中，形成所述增透层140的材料为熔点在300摄氏度以上的可以提高光线透过率的透明介质材料。由于在后续工艺中可能需要对所述半导体衬底110进行加热，例如执行加热回流工艺以形成所述掩埋透镜170，因此所述增透层140需要有一定的耐高温能力，所述增透层140的熔点要达到300摄氏度以上。

在本申请的一些实施例中，所述增透层140为氧化铝、氧化铪、氧化锆和氮化硅中的任意一种或者多种材料的复合层。

参考图11，在所述增透层140上形成至少两个掩埋透镜170，所述至少两个掩埋透镜170位置对应于所述至少两个第二像素区域202。形成所述至少两个掩埋透镜170的方法在前文中已经详细描述，在此不做赘述。所述至少两个掩埋透镜170可以将光线进一步向所述至少两个感光元件120的方向聚集，增加所述至少两个感光元件120中的进光量，增大了进行自动对焦时所述pdaf元件中所述至少两个感光元件120之间的光强差别，增大了所述pdaf元件对光线的响应角度，提高了对焦灵敏度。

在本申请的一些实施例中，所述掩埋透镜170远离所述增透层140的一面为曲面，所述曲面的曲率越大，所述掩埋透镜170对光线的汇聚能力越强。

在本申请的一些实施例中，形成所述掩埋透镜170的材料的折射率大于形成滤色层150的材料的折射率。所述掩埋透镜170与所述滤色层150的折射率差越大，所述掩埋透镜170对光线的汇聚能力越强。

在本申请的一些实施例中，所述掩埋透镜170的宽度为所述至少两个第二像素区域202的四分之三以上。

在本申请的一些实施例中，所述增透层140上可以形成至少两个所述掩埋透镜170，所述至少两个掩埋透镜170的数量与所述至少两个第二像素区域202的数量相同，所述至少两个掩埋透镜170位置对应于所述至少两个第二像素区域202。

在本申请的一些实施例中，所述至少两个掩埋透镜170的材料为熔点在300摄氏度以上的透明介质材料。由于形成所述掩埋透镜170时可能需要对所述半导体衬底110进行加热，因此所述至少两个掩埋透镜170需要有一定的耐高温能力，所述至少两个掩埋透镜170的熔点要达到300摄氏度以上。

在本申请的一些实施例中，所述至少两个掩埋透镜170的材料为氧化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、氮化硅中的任意一种。

在本申请的一些实施例中，所述至少两个掩埋透镜170的厚度为100纳米至900纳米。一方面所述至少两个掩埋透镜170的厚度不能太高，不能对所述pdaf像素元件的整体高度产生影响；另一方面所述至少两个掩埋透镜170的厚度不能太低，否则会影响所述至少两个掩埋透镜170的聚光能力。

参考图11，在所述增透层140上形成隔离栅格210，所述隔离栅格210位于所述至少一个第一像素区域201之间以及所述至少一个第一像素区域201与所述至少两个第二像素区域202之间。所述隔离栅格210可以防止所述至少一个第一像素区域201的光线进入其他第一像素区域201以及第二像素区域202。

参考图12，在所述至少一个第一像素区域201对应的所述增透层140上形成第一滤色层151，在所述至少两个第二像素区域202对应的所述增透层140和所述至少两个掩埋透镜170上形成第二滤色层152。所述第一滤色层151以及第二滤色层152用于通过特定波长范围的光，使所述特定波长范围的光进入所述感光元件120。

在本申请的一些实施例中，根据需要，所述第一滤色层151可以设置为使红色的光通过或者使蓝色的光通过。

在本申请的一些实施例中，所述第二滤色层152中可以设置为使绿色的光通过或者使全部的光都通过。

在本申请的一些实施例中，所述滤色层151以及第二滤色层152是用内部添加有有机颜料的树脂形成的。在本申请的一些实施例中，当所述第二滤色层152被设置为使全部的光通过时，所述第二滤色层152可以用透明介质形成。

参考图12所示，在所述第一滤色层151上形成第一微透镜161，在所述第二滤色层152上形成第二微透镜162，所述第二微透镜162横跨所述至少两个第二像素区域202。所述的第一微透镜161以及第二微透镜162用于聚集光，其材料例如为聚苯乙烯树脂、丙烯酸树脂或这些树脂的共聚物树脂形成的。形成所述第一微透镜161以及第二微透镜162的工艺可以是现有的任意一种微透镜制作工艺，在此不做详细描述。

本申请实施例所述的一种图像传感器的形成方法，在所述至少两个第二像素区域202形成pdaf像素元件，在所述pdaf像素元件对应的增透层140上形成至少两个掩埋透镜170，所述至少两个掩埋透镜170可以进一步将光线向所述至少两个感光元件120的方向聚集，增加所述至少两个感光元件120中的进光量，增大了进行自动对焦时所述pdaf像素元件中所述至少两个感光元件120之间的光强差别，增大了所述pdaf元件对光线的响应角度，提高了对焦灵敏度。

本申请实施例还提供一种图像传感器，参考图12，包括：半导体衬底110，所述半导体衬底110包括至少一个第一像素区域201和至少两个第二像素区域202，所述第二像素区域202用于形成pdaf像素元件；增透层140，位于所述半导体衬底110上；至少两个掩埋透镜170，位于所述增透层140上，位置与所述第二像素区域202对应；第一滤色层151以及第二滤色层152，位于所述增透层140上，所述第一滤色层151的位置与所述至少一个第一像素区域201对应，所述第二滤色层152的位置与所述至少两个第二像素区域202和所述至少两个掩埋透镜170对应；隔离栅格210，位于所述增透层140上，并隔离任意相邻的所述第一滤色层151和第二滤色层152；第一微透镜161以及第二微透镜162，所述第一微透镜161位于所述第一滤色层151上，所述第二微透镜162位于所述第二滤色层152上，所述第二微透镜162横跨所述至少两个第二像素区域202。

参考图12，所述半导体衬底110中形成有感光元件120，所述半导体衬底110包括至少一个第一像素区域201和至少两个第二像素区域202，其中，所述至少一个第一像素区域201用于形成成像像素，所述至少两个第二像素区域202用于形成pdaf像素元件，所述感光元件120分别对应于不同的像素区域。

在本申请的一些实施例中，所述的半导体衬底110可以为硅衬底，或者为绝缘体上的硅衬底，或者是生长有外延层的硅衬底。

在本申请的一些实施例中，所述的感光元件120例如为光电二极管，用于将接收到的光信号转换为电信号。在本申请的一些实施例中，所述光电二极管在半导体衬底110中以拜耳(bayer)阵列布置。为了满足所述半导体衬底110的总厚度薄化的要求，所述光电二极管在所述半导体衬底110中基本上位于同一深度。

继续参考图12，在所述半导体衬底110内形成有深沟槽隔离结构130，所述深沟槽隔离结构130用于防止入射光线在相邻像素区域111之间串扰。所述深沟槽隔离结构130的形成工艺可以是本领域技术人员了解的任何隔离工艺，在此不做详细描述。

参考图12所示，在所述半导体衬底110上形成有增透层140，所述增透层140可以增加光线的透过率。

在本申请的一些实施例中，所述增透层140为一层以上透明介质材料形成的堆栈结构。

在本申请的一些实施例中，形成所述增透层140的材料为熔点在300摄氏度以上的可以提高光线透过率的透明介质材料。由于在后续工艺中可能需要对所述半导体衬底110进行加热，例如执行加热回流工艺以形成所述掩埋透镜170，因此所述增透层140需要有一定的耐高温能力，所述增透层140的熔点要达到300摄氏度以上。

在本申请的一些实施例中，所述增透层140为氧化铝、氧化铪、氧化锆和氮化硅中的任意一种或者多种材料的复合层。

参考图12，在所述增透层140上形成有至少两个掩埋透镜170，所述至少两个掩埋透镜170位置对应于所述至少两个像素区域111。所述至少两个掩埋透镜170可以将光线进一步向所述至少两个感光元件120的方向聚集，增加所述至少两个感光元件120中的进光量，增大了进行自动对焦时所述pdaf元件中所述至少两个感光元件120之间的光强差别，增大了所述pdaf元件对光线的响应角度，提高了对焦灵敏度。

在本申请的一些实施例中，所述掩埋透镜170远离所述增透层140的一面为曲面，所述曲面的曲率越大，所述掩埋透镜170对光线的汇聚能力越强。

在本申请的一些实施例中，形成所述掩埋透镜170的材料的折射率大于形成滤色层150的材料的折射率。所述掩埋透镜170与所述滤色层150的折射率差越大，所述掩埋透镜170对光线的汇聚能力越强。

在本申请的一些实施例中，所述掩埋透镜170的宽度为所述至少两个第二像素区域202的四分之三以上。

在本申请的一些实施例中，所述增透层140上可以形成至少两个所述掩埋透镜170，所述至少两个掩埋透镜170的数量与所述至少两个像素区域111的数量相同，所述至少两个掩埋透镜170位置对应于所述至少两个像素区域111。

在本申请的一些实施例中，所述至少两个掩埋透镜170的材料为熔点在300摄氏度以上的透明介质材料。由于形成所述至少两个掩埋透镜170时可能需要对所述半导体衬底110进行加热，因此所述至少两个掩埋透镜170需要有一定的耐高温能力，所述至少两个掩埋透镜170的熔点要达到300摄氏度以上。

在本申请的一些实施例中，所述至少两个掩埋透镜170的材料为氧化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、氮化硅中的任意一种。

在本申请的一些实施例中，所述至少两个掩埋透镜170的厚度为100纳米至900纳米。一方面所述至少两个掩埋透镜170的厚度不能太高，不能对所述pdaf像素元件的整体高度产生影响；另一方面所述至少两个掩埋透镜170的厚度不能太低，否则会影响所述至少两个掩埋透镜170的聚光能力。

参考图12所示，在所述增透层140上形成有隔离栅格210，所述隔离栅格210位于所述至少一个第一像素区域201之间以及所述至少一个第一像素区域201与所述至少两个第二像素区域202之间。所述隔离栅格210可以防止所述至少一个第一像素区域201的光线进入其他第一像素区域201以及第二像素区域202。

参考图12所示，在所述至少一个第一像素区域201对应的所述增透层140上形成第一滤色层151，在所述至少两个第二像素区域202对应的所述增透层140和所述至少两个掩埋透镜170上形成第二滤色层152。所述第一滤色层151以及第二滤色层152用于通过特定波长范围的光，使所述特定波长范围的光进入所述感光元件120。

在本申请的一些实施例中，根据需要，所述第一滤色层151可以设置为使红色的光通过或者使蓝色的光通过。

在本申请的一些实施例中，所述第二滤色层152中可以设置为使绿色的光通过或者使全部的光都通过。

在本申请的一些实施例中，所述滤色层151以及第二滤色层152是用内部添加有有机颜料的树脂形成的。在本申请的一些实施例中，当所述第二滤色层152被设置为使全部的光通过时，所述第二滤色层152可以用透明介质形成。

参考图12所示，在所述第一滤色层151上形成第一微透镜161，在所述第二滤色层152上形成第二微透镜162，所述第二微透镜162横跨所述至少两个第二像素区域202。所述的第一微透镜161以及第二微透镜162用于聚集光，其材料例如为聚苯乙烯树脂、丙烯酸树脂或这些树脂的共聚物树脂形成的。

本申请实施例所述的一种图像传感器，在所述至少两个第二像素区域202形成有pdaf像素元件，在所述pdaf像素元件对应的增透层140上形成有至少两个掩埋透镜170，所述至少两个掩埋透镜170可以进一步将光线向所述至少两个感光元件120的方向聚集，增加所述至少两个感光元件120中的进光量，增大了进行自动对焦时所述pdaf像素元件中所述至少两个感光元件120之间的光强差别，增大了所述pdaf元件对光线的响应角度，提高了对焦灵敏度。

图13为本申请实施例中一种图像传感器的像素在半导体衬底中的分布图。参考图13，所述至少两个第二像素区域202(即pdaf像素元件)在所述半导体衬底110中对称分布，当所述图像传感器获取到物体的图像时，通过检测对称的pdaf像素元件中的感光元件120接收到的光强差别，再通过算法处理可以得到物体的位置信息，从而指导镜头的前后移动实现自动对焦。

在本申请的一些实施例中，可以只在图像传感器的部分所述第二像素区域202对应的增透层140上形成所述至少两个掩埋透镜170，而不用在所有的第二像素区域202中都形成所述至少两个掩埋透镜170，也可以达到本实施例所述的提高对焦灵敏度的效果。

图14为光线从不同角度进入pdaf像素元件的光线路径图。其中，所述pdaf像素元件包括像素1和像素2。当光线300从图14(a)中所示的角度进入图像传感器时，像素1中的光线强度大于像素2中的光线强度；当光线300从图14(b)中所示的角度进入图像传感器时，像素1中的光线强度等于像素2中的光线强度；当光线300从图14(c)中所示的角度进入图像传感器时，像素1中的光线强度小于像素2中的光线强度。因此，只要掌握光线入射角度与像素1和像素2中的光强差值之间的关系，就可以在得到像素1和像素2中的光强差值后计算得出光线入射角度。

结合图13与图14，根据对称分布的所有pdaf像素元件中的像素1和像素2之间的光强差值，计算得出每个pdaf像素元件的光线入射角度，根据光线入射角度就可以得到物体的位置信息从而指导镜头的前后移动实现自动对焦。

本申请实施例还通过对比本实施例中pdaf像素元件中的光线路径图以及现有技术中pdaf像素元件中的光线路径图，来更直观更清晰地解释本申请的优点和有益效果。

图15为现有技术中pdaf像素元件中的光线路径图，图16为本实施例中pdaf像素元件中的光线路径图。对比图15以及图16，与现有技术中的pdaf像素元件相比，本申请实施例所述的pdaf像素元件中的所述至少两个掩埋透镜170可以进一步将光线向所述至少两个感光元件120的方向聚集，增加所述至少两个感光元件120中的进光量，增大了进行自动对焦时所述pdaf像素元件中所述至少两个感光元件120之间的光强差别，增大了所述pdaf元件对光线的响应角度，提高了对焦灵敏度。

图17为pdaf元件中光入射角度与光信号强度之间的关系图。其中，曲线11和曲线12分别代表本申请所述pdaf像素元件中所述像素1和像素2中入射光线角度与光信号强度之间的关系；曲线21和曲线22分别代表传统的pdaf像素元件中所述像素1和像素2中入射光线角度与光信号强度之间的关系。由于本申请实施例所述的pdaf像素元件中的所述至少两个掩埋透镜170对入射光线的所述汇聚作用，在光线从同样的角度进入pdaf像素元件的时候，本申请实施例所述的pdaf像素元件中的所述像素1和像素2之间的光强差更为明显，增大了所述pdaf元件对光线的响应角度，提高了对焦灵敏度。

综上所述，在阅读本详细公开内容之后，本领域技术人员可以明白，前述详细公开内容可以仅以示例的方式呈现，并且可以不是限制性的。尽管这里没有明确说明，本领域技术人员可以理解本申请意图囊括对实施例的各种合理改变，改进和修改。这些改变，改进和修改旨在由本公开提出，并且在本公开的示例性实施例的精神和范围内。

应当理解，本实施例使用的术语″和/或″包括相关联的列出项目中的一个或多个的任意或全部组合。应当理解，当一个元件被称作″连接″或″耦接″至另一个元件时，其可以直接地连接或耦接至另一个元件，或者也可以存在中间元件。

类似地，应当理解，当诸如层、区域或衬底之类的元件被称作在另一个元件″上″时，其可以直接在另一个元件上，或者也可以存在中间元件。与之相反，术语″直接地″表示没有中间元件。还应当理解，术语″包含″、″包含着”、″包括”和/或″包括着″，在此使用时，指明存在所记载的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但并不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

还应当理解，尽管术语第一、第二、第三等可以在此用于描述各种元件，但是这些元件不应当被这些术语所限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在没有脱离本发明的教导的情况下，在一些实施例中的第一元件在其他实施例中可以被称为第二元件。相同的参考标号或相同的参考标志符在整个说明书中表示相同的元件。

此外，通过参考作为理想化的示例性图示的截面图示和/或平面图示来描述示例性实施例。因此，由于例如制造技术和/或容差导致的与图示的形状的不同是可预见的。因此，不应当将示例性实施例解释为限于在此所示出的区域的形状，而是应当包括由例如制造所导致的形状中的偏差。例如，被示出为矩形的蚀刻区域通常会具有圆形的或弯曲的特征。因此，在图中示出的区域实质上是示意性的，其形状不是为了示出器件的区域的实际形状也不是为了限制示例性实施例的范围。

另外，本公开的实施方式还可以包括以下示例性示例(ee)。

ee1.一种相位检测自动对焦像素元件，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括至少两个像素区域；

增透层，所述增透层位于所述半导体衬底上；

至少两个掩埋透镜，所述至少两个掩埋透镜位于所述增透层上，位置对应于所述至少两个像素区域；

滤色层，所述滤色层位于所述增透层上，并且覆盖所述至少两个掩埋透镜；

微透镜，位于所述滤色层上，横跨所述至少两个像素区域。

ee2.如ee1所述相位检测自动对焦像素元件，其特征在于，所述至少两个掩埋透镜的材料为熔点在300摄氏度以上的透明介质材料。

ee3.如ee2所述相位检测自动对焦像素元件，其特征在于，所述至少两个掩埋透镜的材料为氧化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、氮化硅中的任意一种。

ee4.如ee1所述相位检测自动对焦像素元件，其特征在于，所述至少两个掩埋透镜的厚度为100纳米至900纳米。

ee5.如ee1所述相位检测自动对焦像素元件，其特征在于，所述增透层材料为熔点在300摄氏度以上的可以提高光线透过率的透明介质材料。

ee6.如ee5所述相位检测自动对焦像素元件，其特征在于，所述增透层材料为氧化铝、氧化铪、氧化锆、氮化硅中的任意一种或者多种。

ee7.如ee6所述相位检测自动对焦像素元件，其特征在于，所述增透层为一层以上所述透明介质材料形成的堆栈结构。

ee8.一种相位检测自动对焦像素元件的形成方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括至少两个像素区域；

在所述半导体衬底上形成增透层；

在所述增透层上形成至少两个掩埋透镜，所述至少两个掩埋透镜位置对应于所述至少两个像素区域；

在所述增透层以及所述至少两个掩埋透镜上形成滤色层，所述滤色层覆盖所述至少两个掩埋透镜；

在所述滤色层上形成微透镜，所述微透镜横跨所述至少两个像素区域。

ee9.如ee8所述相位检测自动对焦像素元件的形成方法，其特征在于，所述至少两个掩埋透镜的材料为熔点在300摄氏度以上的透明介质材料。

ee10.如ee9所述相位检测自动对焦像素元件的形成方法，其特征在于，所述至少两个掩埋透镜的材料为氧化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、氮化硅中的任意一种。

ee11.如ee8所述相位检测自动对焦像素元件的形成方法，其特征在于，所述至少两个掩埋透镜的厚度为100纳米至900纳米。

ee12.如ee8所述相位检测自动对焦像素元件的形成方法，其特征在于，所述增透层材料为熔点在300摄氏度以上的可以提高光线透过率的透明介质材料。

ee13.如ee12所述相位检测自动对焦像素元件的形成方法，其特征在于，所述增透层材料为氧化铝、氧化铪、氧化锆和氮化硅中的任意一种或者多种。

ee14.如ee13所述相位检测自动对焦像素元件的形成方法，其特征在于，所述增透层为一层以上所述透明介质材料形成的堆栈结构。

ee15.如ee8所述相位检测自动对焦像素元件的形成方法，其特征在于，在所述增透层上形成至少两个掩埋透镜的方法包括：

在所述增透层上形成掩埋透镜材料层；

在所述掩埋透镜材料层上形成光刻胶层；

图案化所述光刻胶层，使所述光刻胶层的图案与所述至少两个掩埋透镜的图形一致；

回流所述图案化的光刻胶层；

以所述图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述掩埋透镜材料层，形成所述掩埋透镜；

去除所述图案化的光刻胶层。

ee16.如ee15所述相位检测自动对焦像素元件的形成方法，其特征在于，回流所述图案化的光刻胶层的温度为50摄氏度至150摄氏度，回流时间为0.5分钟至3分钟。

ee17.一种图像传感器，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括至少一个第一像素区域和至少两个第二像素区域，所述第二像素区域用于形成相位检测自动对焦像素元件；

增透层，位于所述半导体衬底上；

至少两个掩埋透镜，位于所述增透层上，位置与所述第二像素区域对应；

第一滤色层以及第二滤色层，位于所述增透层上，所述第一滤色层的位置与所述至少一个第一像素区域对应，所述第二滤色层的位置与所述至少两个第二像素区域和所述至少两个掩埋透镜对应；

隔离栅格，位于所述增透层上，并隔离任意相邻的所述第一滤色层和第二滤色层；

第一微透镜以及第二微透镜，所述第一微透镜位于所述第一滤色层上，所述第二微透镜位于所述第二滤色层上，所述第二微透镜横跨所述至少两个第二像素区域。

ee18.一种图像传感器的形成方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括至少一个第一像素区域和至少两个第二像素区域，所述第二像素区域用于形成相位检测自动对焦像素元件；

在所述半导体衬底上形成增透层；

在所述增透层上形成至少两个掩埋透镜，所述至少两个掩埋透镜位置对应于所述第二像素区域；

在所述增透层上形成隔离栅格，所述隔离栅格位于所述至少一个第一像素区域之间以及所述至少一个第一像素区域与所述至少两个第二像素区域之间；

在所述至少一个第一像素区域对应的所述增透层上形成第一滤色层，在所述至少两个第二像素区域对应的所述增透层和所述至少两个掩埋透镜上形成第二滤色层；

在所述第一滤色层上形成第一微透镜，在所述第二滤色层上形成第二微透镜，所述第二微透镜横跨所述至少两个第二像素区域。

ee19.如ee18所述图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二滤色层为绿色或者透明。

ee20.如ee19所述图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述增透层上形成掩埋透镜的方法包括：

在所述增透层上形成掩埋透镜材料层；

在所述掩埋透镜材料层上形成光刻胶层；

图案化所述光刻胶层，使所述光刻胶层的图案与所述至少两个掩埋透镜的图形一致；

回流所述图案化的光刻胶层；

以所述图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述掩埋透镜材料层，形成所述掩埋透镜；

去除所述图案化的光刻胶层。