引线键合设备及操作方法与流程

本申请涉及引线键合技术领域，尤其涉及引线键合设备及操作方法。

背景技术：

在集成电路半导体封装制造过程中，对于贴装于料条上的晶片进行引线键合的工艺流程会直接影响封装后的半导体产品及模块的良率。此外，随着集成电路半导体产品不断朝向小型化的方向发展，对于如何设计更好的引线键合工艺设备及工艺流程，提出了更高的要求。

技术实现要素：

根据本申请的一些实施例，一种引线键合设备，包括：控制器，其经配置以发送真空吸附指令；及真空吸附装置，其与所述控制器通讯连接，并经配置以在接收到所述真空吸附指令时形成真空以吸附和固定位于所述真空吸附装置上的料条；其中，所述料条上设置有待键合的晶片。

根据本申请的一些实施例，一种操作方法，应用于所述的引线键合设备，包括以下步骤：控制器发送真空吸附指令；及真空吸附装置在接收到所述真空吸附指令时形成真空以吸附和固定位于所述真空吸附装置上的料条。

根据本申请的一些实施例，一种引线键合设备，包括：装载装置，其用于装载所述料条，其中所述料条上设置有待键合的晶片；控制器，其经配置以发送真空吸附指令；及真空吸附装置，其与所述控制器通讯连接，并经配置以在接收到所述真空吸附指令时形成真空以吸附和固定位于所述真空吸附装置上的所述装载装置上的所述料条。

根据本申请的一些实施例，一种操作方法，应用于所述的引线键合设备，包括以下步骤：控制器发送真空吸附指令；及真空吸附装置在接收到所述真空吸附指令时形成真空以吸附和固定位于所述真空吸附装置上的料条；其中，所述料条位于装载装置中。

附图说明

在下文中将简要地说明为了描述本申请实施例或现有技术所必要的附图以便于描述本申请的实施例。显而易见地，下文描述中的附图仅只是本申请中的部分实施例。对本领域技术人员而言，在不需要创造性劳动的前提下，依然可以根据这些附图中所例示的结构来获得其他实施例的附图。

图1为本申请的一些实施例的引线键合设备的原理框图。

图2为本申请的一些实施例的压合装置的结构示意图。

图3为本申请的一些实施例的压合装置与料条的结构示意图。

图4为本申请的一些实施例的压合装置与真空吸附装置的结构示意图。

图5为本申请的一些实施例的真空吸附装置与料条的结构示意图。

图6-8为本申请的一些实施例的传送装置与料条的结构示意图。

图9为本申请的一些实施例的引线键合设备的操作方法的流程图。

图10为本申请的一些实施例的引线键合设备的原理框图。

图11和12为本申请的一些实施例的真空吸附装置、装载装置与料条的结构示意图。

图13和14为本申请的一些实施例的载板的结构示意图。

图15为本申请的一些实施例的盖板的结构示意图。

图16为本申请的一些实施例的引线键合设备的操作方法的流程图。

具体实施方式

本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中，将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本申请的基本理解。本申请的实施例不应该被解释为对本申请的限制。

4G时代即将落幕，5G时代即将开启，各国也将在5G时代展开最激烈的竞争。根据国家制定的计划，5G网络预计会在2019年在中国部分地区预商用，2020年会正式大面积铺开进行全面商用。先进的基站设计是实现5G通讯的重要一环，5G基站采用small cells(小小区)设计，因每个small cell传输距离短，基站需求量大，未来会产生很大的市场规模和经济效益。

5G基站内功率放大器，可分为两种，一种为单级放大器晶体管，另一种为功率放大器模块，前者因布线相对简单，往往采用引线框架设计，而后者因布线复杂，往往采用基板设计，当使用基板作为功率放大器载板时，传统的压爪容易将基板压坏。此外，由于5G基站的更小型化的特点，同样对半导体产品及模块提高了小型化的要求。因此，亟待需要一种有效的引线键合设备。

图1为本申请的一些实施例的引线键合设备。引线键合设备100包括控制器101和真空吸附装置104。控制器100经配置以发送真空吸附指令。真空吸附装置104与控制器101通讯连接，并在接收到真空吸附指令时形成真空以吸附和固定位于真空吸附装置104上的料条。其中，料条上设置有待键合引线的晶片。料条包括基板或引线框架由于料条已通过真空吸附固定，从而无需采用其他固定装置对料条进行固定，避免了料条被压坏。因此，可以对通过真空被吸附的料条上的晶片进行有效的引线键合焊接。

在本申请的一些是实施例中，引线键合设备100包括压合装置105。如图2-4所示，压合装置105在接收到真空吸附指令后同时也会下降至料条200的上方，从而与真空吸附装置104相对。该压合装置105包括压合主体1051和触手1052。其中，压合主体1051具有窗口，窗口用于在压合装置105下降至位于料条200上方时显露料条中待键合的晶片。触手1052的一端安置于压合主体上，触手1052的另一端通过窗口与料条200的上表面接触。在本申请的一些实施例中，触手1052的另一端与料条200的上表面之间接触，但是无相互作用力。即，只接触而不会对料条形成压力，这样可以避免料条在承受吸附装置的吸附力时与真空吸附装置接触的位置鼓起来导致四周翘曲。在本申请的一些实施例中，触手的另一端与所述料条的上表面之间无接触。

在本申请的一些实施例中，窗口可以采用大开窗设计和小开窗设计。比如，采用大开窗设计时，窗口的宽度大于等于料条焊线区的宽度，窗口的长度大于单列晶片焊线区的长度。这样可以保证后续仅在压合装置105的窗口内进行引线键合操作，可以减少或避免在焊接时可能对其他晶片造成损坏的风险。在本申请的一些实施例中，压合主体1051为金属材质。

在本申请的一些实施例中，真空吸附装置104包括腔体真空吸附结构1041，腔体真空吸附结构与料条200下表面接触，真空吸附装置104通过在腔体真空吸附结构1041中的空间中形成真空以吸附和固定料条200。在本申请的一些实施例中，真空吸附装置104还包括真空管路组件1042。真空吸附结构1041与真空管路组件1042连通，真空管路组件1042用于在腔体真空吸附结构1041内的空间形成真空。

在本申请的一些实施例中，如图5所示，腔体真空吸附结构1041内具有位于所述真空腔1043上的真空吸附平面1044，所述真空吸附平面1044具有第一通孔，真空吸附装置104通过在所述真空腔1043和所述若干第一通孔内形成真空以吸附和固定料条200。在本申请的一些实施例中，真空吸附装置104为金属材质。在一些实施例中，第一通孔的孔径不大于0.1mm。在一些实施例中，第一通孔的间距大于孔径的两倍。其中，第一通孔的孔径，间距由料条的吸附能力、finger尺寸和成本确定。

在本申请的一些实施例中，引线键合设备100还包括传送装置103。传送装置103与控制器101通讯连接，并在接收到传送指令时通过轨道将料条200传送至真空吸附装置104对应的位置。比如，将料条200传送至真空吸附装置104的上方。

在本申请的一些实施例中，传送装置103包括传送针组件，如图6和7所示。传送针组件设置于轨道的两侧。其中，传送针组件包括传送针1031。传送针组件通过传送针1031与料条200中的步进孔203结合以进行带着料条200移动。其中，传送针1031的材质为金属。传送针1031可以插入料条200中的步进孔203。其中，料条200包括晶片201和基板202。

在本申请的一些实施例中，传送装置103包括夹爪组件，如图8所示。夹爪组件位于轨道的两侧。夹爪组件包括夹爪1032。夹爪组件通过夹爪1032夹紧料条200的侧边以进行传送。

在本申请的一些实施例中，引线键合设备100还包括上料装置102。上料装置102与控制器101通讯连接，并在接收到上料指令时将料条送入轨道。在本申请的实施例中，上料装置102包括推杆，料条被推杆推入轨道。

在本申请的一些实施例中，引线键合设备100还包括焊线作业装置106。焊线作业装置106在接收到开始焊接指令时对由真空吸附装置104和压合装置105固定的料条200上的晶片201进行引线焊接。其中，焊线作业装置106包括焊接模组，所述焊接模组包括：线夹、焊针、换能杆、送线装置，通过焊接模组对料条200上的当前作业区的晶片201进行引线焊接。在对料条的当前作业区的晶片201焊接完成后，控制器101控制真空吸附装置104转换为吹气状态以使真空吸附装置104与料条200分离，同时使压合装置105上升。之后，控制器101控制传送装置103将料条200的下一作业区的待焊接晶片传送至焊线作业装置106的焊接区域，以使焊线作业装置106对待焊接晶片201进行焊接，并重复上述流程，直至将该料条200的所有作业区的晶片201焊接完成。在对当前料条200完成引线键合焊接后，上料装置102通过推杆将下一个料条推入轨道，以通过上述引线键合设备100进行下一个料条的引线键合焊接作业。

图9为本申请的一些实施例的操作方法的流程图。一种操作方法，应用于上述实施例的引线键合设备100，包括以下步骤：

步骤1001、上料装置102在接收到控制器101发送的上料指令后将料条200送入轨道。

步骤1002、控制器101在上料完成后发送传送指令，传送装置103在接收到控制器发送的传送指令时将料条200传送至真空吸附装置104对应的位置。该对应的位置为真空吸附装置104的上方，即焊线区。

步骤1003、控制器101在料条200被传送至目标位置后发送真空吸附指令，真空吸附装置104在接收到真空吸附指令时上升并形成真空以吸附和固定位于真空吸附装置104上方的料条200。

步骤1004、压合装置105在接收到真空吸附指令后下降至料条200的上方，并与真空吸附装置104相对。在本申请的一些实施例中，压合装置105贴合料条200，且与不对料条200产生压力。这样，既可以有效避免对料条200产生损坏。在本申请的一些实施例中，压合装置105贴合料条200并对料条200产生压力。当料条200的中间部分在真空吸附装置的真空压力下有可能出现下凹致使料条200边缘会翘曲，通过压合装置105可以保证料条200的平整度，保证后续有效的引线键合。

步骤1005、控制器101在真空吸附装置104和压合装置105完成相应指令之后发送开始焊接指令，焊线作业装置106在接收到开始焊接指令后对料条200的当前作业区的晶片进行引线焊接，以完成对当前作业区的晶片的引线键合焊接。

步骤1006、控制器101在接收到结束焊接指令后发送分离指令，真空吸附装置104在接收到分离指令后吹气以使料条200与真空吸附装置104分离。

步骤1007、控制器101在料条200与真空吸附装置104分离后，控制压合装置105上升，真空吸附装置104下降，传送装置103将料条200的下一个待作业区传送至焊接区，以待进行引线焊接。

步骤1008、重复上述步骤1003-1007，直至完成料条200的所有作业区的晶片201的引线焊接。

在本申请的一些实施例中，所述操作方法还包括：在完成步骤1008之后，重复上述步骤，以对下一片待引线键合的料条进行引线键合焊接。

图10为本申请的一些实施例的引线键合设备的原理框图。引线键合设备100包括装载装置107、控制器101和真空吸附装置104。装载装置107用于装载料条200，其中，料条上设置有待引线键合的晶片。控制器101经配置以发送真空吸附指令。真空吸附装置104与控制器101通讯连接，并在接收到真空吸附指令时形成真空以吸附和固定位于真空吸附装置104上的装载装置107中的料条200。由于料条200已通过真空吸附固定，从而无需采用其他固定装置对料条200进行固定，避免了料条被压坏。因此，可以对通过真空被吸附的料条200上的晶片201进行有效的引线键合焊接。此外，通过装载装置107可以有效保护料条200及其中的晶片201在焊接之前和焊接之后的过程中不被损坏。

在本申请的一些是实施例中，引线键合设备100包括压合装置105。如图2-3所示，压合装置105在接收到真空吸附指令后同时也会下降至料条200的上方，从而与真空吸附装置相对。该压合装置105包括压合主体1051和触手1052。其中，压合主体1051具有窗口，窗口用于在压合装置105下降至位于料条200上方时显露料条中待键合的晶片。触手1052的一端安置于压合主体1051上，触手1052的另一端通过窗口与料条200的上表面接触。在本申请的一些实施例中，触手的另一端与所述料条的上表面之间接触，但是无相互作用力。即，只接触而不会对料条200形成压力，这样可以避免在料条200在承受真空吸附装置104的吸附力时与真空吸附装置104接触的位置鼓起来导致四周翘曲。在本申请的一些实施例中，触手1052的另一端与料条200的上表面之间无接触。

在本申请的一些实施例中，窗口可以采用大开窗设计和小开窗设计。比如，采用大开窗设计时，窗口的宽度大于等于料条焊线区的宽度，窗口的长度大于单列晶片焊线区的长度。这样可以保证后续仅在压合装置的窗口内进行引线键合操作，可以减少或避免在焊接时可能对其他晶片造成损坏的风险。在本申请的一些实施例中，压合主体1051为金属材质。

在本申请的一些实施例中，真空吸附装置104包括腔体真空吸附结构1041，腔体真空吸附结构1041与装载装置107的下表面接触，真空吸附装置104通过在腔体真空吸附结构1041中的空间中形成真空以吸附和固定料条200。

在本申请的一些实施例中，如图11所示，腔体真空吸附结构1041内具有真空腔1043，装载装置107盖设于真空腔1043上，其中，真空吸附装置104通过在真空腔1043中形成真空以吸附和固定料条200。

在本申请的一些实施例中，如图12所示，腔体真空吸附结构1041具有真空吸附平面1044，所述真空吸附平面1044具有若干第一通孔，真空吸附装置104通过在所述若干第一通孔内形成真空以吸附和固定料条。在本申请的一些实施例中，真空吸附装置104为金属材质。在一些实施例中，第一通孔的孔径不大于0.1mm。在一些实施例中，第一通孔的间距大于孔径的两倍。其中，第一通孔的孔径，间距由基板202的吸附能力、finger尺寸和成本确定。腔体真空吸附结构1041与真空管路组件1042连通，真空管路组件1042用于使腔体真空吸附结构1041内的空间形成真空。

在本申请的一些实施例中，装载装置107还包括载板1071。如图13和14所示，载板1071用于承载料条200。载板1071设置有若干第二通孔，第二通孔与腔体真空吸附结构1041连通。返回至图12所示，当腔体真空吸附结构1041设置具有第一通孔的真空吸附平面1044时，载板1071上的第二通孔与第一通孔连通。在一些实施例中，第二通孔与第一通孔对应。返回至图11所示，当腔体真空吸附结构1041没有设置具有第一通孔的真空吸附平面1044而直接设置真空腔1043时，载板1071上的第二通孔与该真空腔1043连通。

装载装置107还进一步包括盖板1072，如图15所示。盖板1072用于与载板1071盖合，压合于料条200的非作业区，以使料条200容置于载板1071与盖板1072所包覆的空间内。其中，料条200的远离晶片201的一面与载板1071接触，晶片201位于料条200和盖板1072之间，且位于所述料条200的作业区内。在一些实施例中，第二通孔的与料条200接触的一端(即，料条上端面)的孔径不大于第二通孔的远离料条200的一端(即，料条下端面)的孔径。比如，第二通孔在料条200上端面的孔径为0.1mm，下端面的孔径为1.0mm，但并不限定于此。在一些实施例中，第二通孔的与料条200接触的一端(即，料条上端面)的孔径大于第二通孔的远离料条200的一端(即，料条下端面)的孔径。在一些实施例中，第二通孔的与料条200接触的一端(即，料条上端面)的孔径等于第二通孔的远离料条200的一端(即，料条下端面)的孔径。

在一些实施例中，载板1071的侧端具有缺口1073。通过该缺口1073，料条200可以被手动装载或卸下。在一些实施例中，载板1071的边缘区域还设置有定位销(pin)1074，该定位销1074用于料条200和盖板1072定位，避免放错。在一些实施例中，装载装置107还包括若干磁铁块1075，磁铁块1075固定设置于载板1071的边缘区域。当盖板1072盖设于载板1071上时，磁铁块1075吸引以固定盖板1072。在一些实施例中，磁铁块能承受300℃的温度。在一些实施例中，该载板1071的材质为铝。在一些实施例中，该载板1071的表面进行了阳极处理。在一些实施例中，载板1071的侧端还具有用于自动上下上料装置102的通孔。在一些实施例中，盖板1072的材质为蓝钢片，表面镀黑以防止盖板氧化。在一些实施例中，盖板1072的边缘区域还设置有缺口(图中未标识)，以使料条200上的二维码暴露，方便设备读取。在一些实施例中，载板1071的边缘区域设置有步进孔1076，该步进孔1076用于载板1071和料条200在轨道上通过传送装置进行传送。在一些实施例中，盖板1072进一步定位孔1077。定位孔1077用于与载板1071上的定位销1074配合以进行定位。

在本申请的一些实施例中，引线键合设备100还包括传送装置103。传送装置103与控制器101通讯连接，并在接收到传送指令时通过轨道将装有料条的装载装置107传送至真空吸附装置104对应的位置。比如，将装载装置107传送至真空吸附装置104的上方。

在本申请的一些实施例中，传送装置103包括传送针组件，如图6和7所示。传送针组件设置于轨道的两侧。其中，传送针组件包括传送针1031。传送针组件通过传送针1031与装载装置107中的步进孔结合以进行带着装载装置107移动。其中，传送针的材质为金属。传送针可以插入装载装置107中的步进孔1076。

在本申请的一些实施例中，传送装置103包括夹爪组件，如图8所示。夹爪组件位于轨道的两侧。夹爪组件包括夹爪1032。夹爪组件通过夹爪1032夹紧装载装置107的侧边以进行传送。

在本申请的一些实施例中，引线键合设备100还包括上料装置102。上料装置102与控制器101通讯连接，并在接收到上料指令时将装载装置107送入轨道。在本申请的实施例中，上料装置102包括推杆，装载装置107被推杆推入轨道。

在本申请的一些实施例中，引线键合设备100还包括焊线作业装置106。焊线作业装置106在接收到开始焊接指令时对由真空吸附装置104和压合装置105固定的料条200上的晶片201进行引线焊接。需要说明的是，在压合装置105下降之前，装载装置107的盖板已被移除和取走，以使载板1071上的料条200能够被压合装置105有效贴合。

其中，焊线作业装置106包括焊接模组，所述焊接模组包括：线夹、焊针、换能杆、送线装置，通过焊接模组对料条200上的当前作业区的晶片201进行引线焊接。在对料条的当前作业区的晶片焊接完成后，控制器101控制真空吸附装置104转换为吹气状态以使真空吸附装置104与料条200分离，同时使压合装置105上升。之后，控制器101控制传送装置103将载板1071上的料条200的下一作业区的待焊接晶片传送至焊线作业装置106的焊接区域，以使焊线作业装置106对待焊接晶片进行焊接，并重复上述流程，直至将该料条200的所有作业区的晶片焊接完成。在对当前料条200完成引线键合焊接后，上料装置102通过推杆将装载有下一个料条的装载装置107推入轨道，以通过上述引线键合设备100进行下一个料条的引线键合焊接作业。

图16为本申请的一些实施例的操作方法的流程图。一种操作方法，应用于上述实施例的引线键合设备100，包括以下步骤：

步骤2001、上料装置102在接收到控制器101发送的上料指令后将装载有料条200的装载装置107送入轨道。

步骤2002、控制器101在上料完成后发送传送指令，传送装置103在接收到控制器发送的传送指令时将装载装置传送至真空吸附装置104对应的位置。该对应的位置为真空吸附装置104的上方，即焊线区。

步骤2003、控制器101在装载装置107被传送至目标位置后发送真空吸附指令，真空吸附装置104在接收到真空吸附指令时上升并形成真空以吸附和固定位于真空吸附装置104上方的料条200。

步骤2004、压合装置105在接收到真空吸附指令后下降至料条200的上方，并与真空吸附装置104相对。由于料条200已通过真空吸附固定，从而无需采用其他固定装置对料条200进行固定，避免了料条200被压坏。因此，可以对通过真空被吸附的料条200上的晶片201进行有效的引线键合焊接。此外，通过装载装置107可以有效保护料条200及其中的晶片201在焊接之前和焊接之后的过程中不被损坏。在本申请的一些实施例中，压合装置105贴合料条200，且与不对料条200产生压力。这样，既可以有效避免对料条200产生损坏。在本申请的一些实施例中，压合装置105贴合料条200并对料条200产生压力，由于载板1071的存在，料条200的中间部分不会因为真空吸附装置104的真空压力出现下凹致使料条200边缘翘曲的问题，可以有效保护料条200不产生形变。

步骤2005、控制器101在真空吸附装置104和压合装置105完成相应指令之后发送开始焊接指令，焊线作业装置106在接收到开始焊接指令后对料条的当前作业区的晶片进行引线焊接，以完成对当前作业区的晶片的引线键合焊接。

步骤2006、控制器101在接收结束焊接指令后发送分离指令，真空吸附装置在104在接收到分离指令后吹气以使料条与真空吸附装置104分离。

步骤2007、控制器101在料条200与真空吸附装置104分离后，控制压合装置105上升，真空吸附装置104下降，传送装置103将料条的下一个待作业区传送至焊接区，以待进行引线焊接。

步骤2008、重复上述步骤2003-2007，直至完成料条200的所有作业区的晶片的引线焊接。

在本申请的一些实施例中，所述操作方法还包括：在完成步骤2008之后，重复上述步骤，以对下一片待引线键合的料条进行引线键合焊接。

整个说明书中对“一些实施例”、“部分实施例”、“一个实施例”、“另一举例”、“举例”、“具体举例”或“部分举例”的引用，其所代表的意思是在本申请中的至少一个实施例或举例包含了该实施例或举例中所描述的特定特征、结构或特性。因此，在整个说明书中的各处所出现的描述，例如：“在一些实施例中”、“在实施例中”、“在一个实施例中”、“在另一个举例中”，“在一个举例中”、“在特定举例中”或“举例“，其不必然是引用本申请中的相同的实施例或示例。

如本文中所使用，空间相对术语，例如，“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”、“下部”、“左侧”、“右侧”及类似者可在本文中用于描述的简易以描述如图中所说明的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除了图中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。应理解，当一元件被称为“连接到”或“耦合到”另一元件时，其可直接连接或耦合到另一元件，或可存在中间元件。

如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”及“约”用于描述并考虑小变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。如本文中相对于给定值或范围所使用，术语“约”大体上意味着在给定值或范围的±10％、±5％、±1％或±0.5％内。范围可在本文中表示为自一个端点至另一端点或在两个端点之间。除非另外规定，否则本文中所公开的所有范围包括端点。术语“基本上共面”可指沿同一平面定位的在数微米(μm)内的两个表面，例如，沿着同一平面定位的在10μm内、5μm内、1μm内或0.5μm内。当参考“基本上”相同的数值或特性时，术语可指处于所述值的平均值的±10％、±5％、±1％或±0.5％内的值。

如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”和“约”用于描述和解释小的变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。举例来说，当与数值结合使用时，术语可指小于或等于所述数值的±10％的变化范围，例如，小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％，或小于或等于±0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的±10％(例如，小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％，或小于或等于±0.05％)，那么可认为所述两个数值“基本上”或“约”相同。举例来说，“基本上”平行可以指相对于0°的小于或等于±10°的角度变化范围，例如，小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°，或小于或等于±0.05°。举例来说，“基本上”垂直可以指相对于90°的小于或等于±10°的角度变化范围，例如，小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°，或小于或等于±0.05°。

如本文中所使用，除非上下文另外明确规定，否则单数术语“一(a/an)”和“所述”可包含复数指示物。在一些实施例的描述中，提供于另一组件“上”或“上方”的组件可涵盖前一组件直接在后一组件上(例如，与后一组件物理接触)的情况，以及一或多个中间组件位于前一组件与后一组件之间的情况。

除非另外规定，否则例如“上方”、“下方”、“上”、“左”、“右”、“下”、“顶部”、“底部”、“垂直”、“水平”、“侧面”、“高于”、“低于”、“上部”、“在……上”、“在……下”、“向下”等等的空间描述是相对于图中所示的定向来指示的。应理解，本文中所使用的空间描述仅出于说明的目的，且本文中所描述的结构的实际实施方案可以任何定向或方式在空间上布置，其前提是本发明的实施例的优点是不会因此类布置而有偏差。

尽管已经演示和描述了说明性实施例，本领域技术人员应该理解上述实施例不能被解释为对本申请的限制，并且可以在不脱离本申请的精神、原理及范围的情况下对实施例进行改变，替代和修改。