磁性随机存储器的磁性隧道结结构的制作方法

技术总结
本申请提供一种磁性随机存储器的磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构的反铁磁层设置两铁磁超晶格层及其之间的垂直各向异性增强层，实现具有面心立方晶体结构的反铁磁层到具有体心立方堆积参考层之间的晶格转换和强铁磁耦合，有利于磁性隧道结单元在磁学，电学和良率的提升以及器件的缩微化。良率的提升以及器件的缩微化。良率的提升以及器件的缩微化。


技术研发人员：张云森 郭一民 陈峻 肖荣福
受保护的技术使用者：上海磁宇信息科技有限公司
技术研发日：2019.07.25
技术公布日：2021/2/1