阵列基板及显示面板的制作方法

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术：

有机发光二极管(oled)具有自发光、高对比、广视角、低功耗、可弯折等优点受到了广泛的关注，柔性oled也因为其可挠曲，轻薄的特点逐渐占领市场。

目前常用oled中的有机发光层多采用ijp(inkjetprinting，喷墨打印)完成，墨滴具有粘度低，流动性好，平坦性好的优点，同时也因为流动性好，必须设置一些限定其打印范围的挡墙，因为挡墙主要起到限定墨滴打印范围的目的，所以一般为围绕产品的封闭图形。

因为挡墙处的膜层界面多且存在起伏，使得应力易在挡墙的位置集中，导致膜层间的脱落、分离，且主要发生在阳极层中的ito/ag/ito之间。

技术实现要素：

本发明提供一种阵列基板及显示面板，通过在挡墙处的阳极层中设置开孔，从而减小阳极层在挡墙处所受的应力，防止挡墙处的膜层脱落，进而影响显示的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种阵列基板，包括：显示区和围绕所述显示区的非显示区；

所述阵列基板包括：

基板；

阳极层，设置于所述基板上；

第一挡墙，设置在所述阳极层上且环绕所述显示区设置；

其中，所述阳极层上设有与所述第一挡墙相对应的第一应力缓冲区，且所述第一应力缓冲区内设置有贯穿所述阳极层的第一孔结构。

根据本发明一优选实施例，所述第一应力缓冲区围绕所述显示区设置，且至少所述第一挡墙靠近所述显示区的一端位于所述第一应力缓冲区内。

根据本发明一优选实施例，所述第一应力缓冲区靠近所述显示区一侧的边界距离所述第一挡墙的距离大于10微米。

根据本发明一优选实施例，所述阵列基板还包括设置于所述阳极层上的第二挡墙，以及与所述第二挡墙相对应的第二应力缓冲区，且所述第二应力缓冲区内设置有第二孔结构；

其中，所述第二挡墙围绕所述显示区设置，并位于所述第一挡墙靠近所述显示区的一侧。

根据本发明一优选实施例，所述第二应力缓冲区围绕所述显示区设置，且所述第二挡墙位于所述第二应力缓冲区内。

根据本发明一优选实施例，所述第二应力缓冲区的两边界距离所述第二挡墙的距离均大于10微米。

根据本发明一优选实施例，所述第一孔结构和所述第二孔结构均包括：多个环绕所述显示区且相互间隔的通孔。

根据本发明一优选实施例，所述通孔包括沿远离所述显示区方向上，多个连续或不连续的子通孔。

根据本发明一优选实施例，所述第一孔结构的通孔与所述第二孔结构的通孔的结构相同或不相同。

一种显示面板，所述显示面板包括如上所述的阵列基板，以及依次设置于所述阵列基板上的有机发光层和薄膜封装层。

本发明的有益效果为：本发明通过在挡墙处的阳极层中设置孔结构，减小了阳极层在挡墙处所受的应力，从而防止了因应力过大而导致阳极层中的金属层与导电薄膜之间的脱落与分离。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a为本发明实施例提供的一种阵列基板结构示意图。

图1b为本发明实施例提供的阵列基板平面示意图。

图2为本发明实施例提供的另一种阵列基板结构示意图。

图3为本发明实施例提供的一种孔结构平面示意图。

图4为本发明实施例提供的另一种孔结构平面示意图。

图5为本发明实施例提供的另一种孔结构平面示意图。

图6为本发明实施例提供的另一种孔结构平面示意图。

图7为本发明实施例提供的另一种孔结构平面示意图。

图8为本发明实施例提供的一种显示面板结构示意图。

图9为本发明实施例提供的另一种显示面板结构示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

本发明针对现有的阵列基板及显示面板，因挡墙处具有较大的起伏，导致阳极层在挡墙处所受的应力较大，以使阳极层发生膜层剥离现象，本实施例能够解决该缺陷。

本发明提供一种阵列基板，包括：显示区和围绕所述显示区的非显示区；

所述阵列基板包括：

基板；

阳极层，设置于所述基板上；

第一挡墙，设置在所述阳极层上且环绕所述显示区设置；

其中，所述阳极层上设有与所述第一挡墙相对应的第一应力缓冲区，且所述第一应力缓冲区内设置有贯穿所述阳极层的第一孔结构。

具体地，如图1a、1b所示，为本发明一种实施例所提供的阵列基板，其中，所述阵列基板包括基板105，设置于所述基板105上的阳极层104，以及设置于所述阳极层104上的第一挡墙101，且所述第一挡墙101环绕所述基板105的显示区108设置。

其中，所述阳极层104包括交替设置导电薄膜1041、1043以及金属层1042，且第一导电薄膜1041以及第二导电薄膜1043分别设置于所述金属层1042的两侧。

另外，所述阳极层104上设置有与所述第一挡墙101相对应的第一应力缓冲区106，且所述第一应力缓冲区106内设置有贯穿所述阳极层104的第一孔结构1031。

即所述第一孔结构1031贯穿所述第一导电薄膜1041、所述金属层1042以及所述第二导电薄膜1043。

在实施应用中，所述阵列基板在设置有挡墙的位置膜层界面多且存在起伏，使得应力易在挡墙的位置集中，使得膜层之间发生脱落，且主要发生在阳极层中的导电薄膜与金属层之间，本实施例通过在挡墙处的阳极层中设置孔结构，给应力提供缓冲区域，减小了阳极层在挡墙处所受的应力，从而防止了阳极层中的导电薄膜与金属层之间脱落与分离。

且所述第一导电薄膜1041以及所述第二导电薄膜1043的材质包括氧化铟锡(ito)，所述金属层1042的材质包括银。

进一步地，如图1a、1b所示，所述第一应力缓冲区106环绕所述显示区108设置，且至少所述第一挡墙101靠近所述显示区108的一端位于所述第一应力缓冲区106内。

则有两种情况，第一种情况，所述第一挡墙101靠近所述显示区108的一侧位于所述第一应力缓冲区106内，即部分所述第一挡墙101位于所述第一应力缓冲区106内；第二种情况，全部所述第一挡墙101位于所述第一应力缓冲区106内。

若为第二种情况，则所述第一挡墙101在所述金属层104上的正投影面积等于或小于所述第一应力缓冲区106的面积。

且所述第一应力缓冲区106靠近所述显示区108一侧的边界距离所述第一挡墙101的距离大于10微米。

需要注意的是，所述第一应力缓冲区106内设置有所述第一孔结构1031，则所述第一孔结构1031设置的位置有三种情况。

第一种情况，所述第一孔结构1031如图1a所示，部分所述第一孔结构1031被所述第一挡墙101所覆盖，还有部分所述第一孔结构1031设置于所述第一挡墙101在所述金属层104上的正投影区域之外，本实施例中，部分所述第一孔结构1031设置于所述第一挡墙101靠近所述显示区108的一端。

第二情况，所述第一孔结构1031仅设置于所述第一挡墙101在所述金属层104上的正投影区域之外。

第三种情况，全部所述第一孔结构1031被所述第一挡墙101所覆盖。

其中，第二、第三种情况图中并未显示，后续实施例仅以第一种情况作详述。

另外，在本实施例中，所述阵列基板还包括设置于所述阳极层104上的第二挡墙102，以及与所述第二挡墙102相对应的第二应力缓冲区107，且所述第二应力缓冲区107内设置有第二孔结构1032。

其中，所述第二挡墙102环绕所述显示区108设置，并位于所述第一挡墙101靠近所述显示区108的一侧。

且所述第二应力缓冲区107环绕所述显示区108设置，所述第二挡墙102位于所述第二应力缓冲区107内。

所述第二挡墙102在所述金属层104上的正投影面积小于所述第二应力缓冲区107的面积。

则所述第二应力缓冲区107的两边界距离所述第二挡墙102的距离均大于10微米。

需要注意的是，所述第二应力缓冲区107内设置有所述第二孔结构1032，则所述第二孔结构1032设置的位置有三种情况。

第一种情况，所述第二孔结构1032如图1a所示，部分所述第二孔结构1032被所述第二挡墙102所覆盖，还有部分所述第二孔结构1032设置于所述第二挡墙102的两端。

第二情况，所述第二孔结构1032仅设置于所述第二挡墙102的两端。

第三种情况，全部所述第二孔结构1032被所述第二挡墙102所覆盖。

其中，第二、第三种情况图中并未显示，后续实施例仅以第一种情况作详述。

在本实施例中，所述第一挡墙101的高度大于所述第二挡墙102的高度，既可以加强挡墙对制备于其包围内的膜层的限制作用，也可以加强对水汽侵入的防范作用。

同时，所述第一挡墙101所覆盖所述第一孔结构1031内填充有与所述第一挡墙101相同材质的材料，所述第二挡墙102所覆盖的所述第二孔结构1032内填充有与所述第二挡墙102相同材质的材料。

且所述第一挡墙101以及所述第二挡墙102的材质包括聚酰亚胺等有机材料。

本实施例通过在孔结构内填充与挡墙相同的材料，可以增加挡墙与阳极层之间的粘合力，提高阵列基板中膜层之间粘接强度。

在本实施例中，所述第一孔结构1031和所述第二孔结构1032均包括：多个环绕所述显示区108且相互间隔的通孔。

且所述通孔包括沿远离所述显示区108方向上，多个连续或不连续的子通孔。

即所述通孔可为沿远离所述显示区108方向上的连续通孔，也可为沿远离所述显示区108方向上的不连续通孔。

所述第一孔结构1031在所述第一应力缓冲区106内，所述第二孔结构1032在所述第二应力缓冲区107内，均为环绕所述显示区108设置，且所述第一孔结构1031以及所述第二孔结构1032均为沿环绕所述显示区108的方向上相互间隔的通孔。

且所述第一孔结构1031的通孔与所述第二孔结构1032的通孔的结构相同或不相同，即所述第一孔结构1031与所述第二孔结构1032的设计可以相同也可以不相同。

其中，所述第一孔结构1031以及所述第二孔结构1032的宽度均为1至1000微米，且所述第一孔结构1031以及所述第二孔结构1032在环绕所述显示区108的方向上的间距均大于10微米。

且所述第一孔结构1031以及所述第二孔结构1032的形状包括矩形或圆形，具体情况见后面的实施例。

如图1a所示，所述第一孔结构1031在所述第一应力缓冲区106内，沿远离所述显示区108的方向上为连续通孔，所述第二孔结构1032在第二应力缓冲区107内，沿远离所述显示区108的方向上为不连续通孔。

如图2所示，所述阵列基板包括基板205，设置于所述基板205上的阳极层204，以及设置于所述阳极层204上的第一挡墙201以及第二挡墙202，且所述第一挡墙201以及所述第二挡墙202环绕所述基板205的显示区208设置，且所述第二挡墙202位于所述第一挡墙201靠近所述显示区208的一侧。

其中，所述阳极层204包括交替设置导电薄膜2041、2043以及金属层2042，且第一导电薄膜2041以及第二导电薄膜2043分别设置于所述金属层2042的两侧。

另外，所述阳极层204上设置有与所述第一挡墙201相对应的第一应力缓冲区206，且所述第一应力缓冲区206内设置有贯穿所述阳极层204的第一孔结构2031。

所述阳极层204上还设置有与所述第二挡墙202相对应的第二应力缓冲区207，且所述第二应力缓冲区207内设置有贯穿所述阳极层204的第二孔结构2032。

即所述第一孔结构2031以及所述第二孔结构2032贯穿所述第一导电薄膜2041、所述金属层2042以及所述第二导电薄膜2043。

且所述第一导电薄膜2041以及所述第二导电薄膜2043的材质包括氧化铟锡(ito)，所述金属层2042的材质包括银。

同时，所述第一挡墙201所覆盖的所述第一孔结构2031内填充有与所述第一挡墙201相同材质的材料，所述第二挡墙202所覆盖的所述第二孔结构2032内填充有与所述第二挡墙202相同材质的材料。

且所述第一挡墙201以及所述第二挡墙202的材质包括聚酰亚胺等有机材料。

本实施例通过在孔结构内填充与挡墙相同的材料，可以增加挡墙与阳极层之间的粘合力，提高阵列基板中膜层之间的粘接强度。

所述第一孔结构2031在所述第一应力缓冲区206内以及所述第二孔结构2032在第二应力缓冲区207内，均为环绕所述显示区208并相互间隔的通孔。

所述第一孔结构2031在所述第一应力缓冲区206内以及所述第二孔结构2032在第二应力缓冲区207内，沿远离所述显示区208的方向上均为连续通孔。

综上，本实施例通过在挡墙处的阳极层中设置贯穿阳极层的孔结构，以提供缓冲应力的区域，减小了阳极层在挡墙处所受到的应力，防止了阳极层中的导电膜层以及金属层之间的脱落。

下面结合具体的实施例来详述金属层中孔结构的分布设置情况。

实施例一

如图3所示，为本实施例所提供的孔结构平面示意图，且图3所示仅为部分阵列基板结构以作说明。

其中，包括如上所述的阵列基板，设置于所述基板上的阳极层304，设置于所述阳极层304上的第一挡墙301，与所述第一挡墙301相对应的第一应力缓冲区306，设置于所述阳极层304上的第二挡墙302，与所述第二挡墙302相对应的第二应力缓冲区307，以及同时设置于所述第一应力缓冲区306内的第一孔结构3031和所述第二应力缓冲区307内的第二孔结构3032。

所述第一孔结构3031以及所述第二孔结构3032均为环绕所述显示区308设置，且在环绕所述显示区308的方向上相互间隔设置。

所述第一孔结构3031以及所述第二孔结构3032均沿远离所述显示区308的方向上平行设置，且所述第一孔结构3031在所述第一应力缓冲区306内沿远离所述显示区308的方向上为连续通孔，所述第二孔结构3032在所述第二应力缓冲区307内沿远离所述显示区308的方向上为不连续通孔。

在本实施例中，所述第一应力缓冲区306内，所述第一孔结构3031为矩形通孔，且部分所述第一孔结构3031位于所述第一挡墙301靠近所述显示区308的一端，另一部分所述第一孔结构3031被所述第一挡墙301所覆盖。

所述第二应力缓冲区307内，所述第二孔结构3032为矩形通孔，且部分所述第二孔结构3032位于所述第二挡墙302的两端，另一部分所述第二孔结构3032被所述第二挡墙302所覆盖，其中，被所述第二挡墙302所覆盖的部分所述第二孔结构3032为沿远离所述显示区308的方向上为不连续通孔。

本实施例通过设置孔结构以减小阳极层在挡墙处所受到的应力，以防止阳极层中的导电薄膜与金属层之间的脱落。

实施例二

如图4所示，为本实施例所提供的孔结构平面示意图，且图4所示仅为部分阵列基板结构以作说明。

其中，包括如上所述的阵列基板，设置于所述基板上的阳极层404，设置于所述阳极层404上的第一挡墙401，与所述第一挡墙401相对应的第一应力缓冲区406，设置于所述阳极层404上的第二挡墙402，与所述第二挡墙402相对应的第二应力缓冲区407，以及同时设置于所述第一应力缓冲区406内的第一孔结构4031和所述第二应力缓冲区407内的第二孔结构4032。

所述第一孔结构4031以及所述第二孔结构4032均为环绕所述显示区408设置，且在环绕所述显示区408的方向上相互间隔设置。

所述第一孔结构4031以及所述第二孔结构4032的设置方向均与沿远离所述显示区408的方向有一定夹角，所述第一孔结构4031在所述第一应力缓冲区406内沿远离所述显示区408的方向上为连续通孔，所述第二孔结构4032在所述第二应力缓冲区407内沿远离所述显示区408的方向上为不连续通孔。

在本实施例中，所述第一应力缓冲区406内，所述第一孔结构4031为矩形通孔，且部分所述第一孔结构4031位于所述第一挡墙401靠近所述显示区408的一端，另一部分所述第一孔结构4031被所述第一挡墙401所覆盖。

所述第二应力缓冲区407内，所述第二孔结构4032为矩形通孔，且部分所述第二孔结构4032位于所述第二挡墙402的两端，另一部分所述第二孔结构4032被所述第二挡墙402所覆盖，其中，被所述第二挡墙402所覆盖的部分所述第二孔结构4032为沿远离所述显示区408的方向上为不连续通孔。

本实施例通过设置孔结构以减小阳极层在挡墙处所受到的应力，以防止阳极层中的导电薄膜与金属层之间的脱落。

实施例三

如图5所示，为本实施例所提供的孔结构平面示意图，且图5所示仅为部分阵列基板结构以作说明。

其中，包括如上所述的阵列基板，设置于所述基板上的阳极层504，设置于所述阳极层504上的第一挡墙501，与所述第一挡墙501相对应的第一应力缓冲区506，设置于所述阳极层504上的第二挡墙502，与所述第二挡墙502相对应的第二应力缓冲区507，以及同时设置于所述第一应力缓冲区506内的第一孔结构5031和所述第二应力缓冲区507内的第二孔结构5032。

所述第一孔结构5031以及所述第二孔结构5032均为环绕所述显示区508设置，且在环绕所述显示区508的方向上相互间隔设置。

所述第一孔结构5031以及所述第二孔结构5032均沿远离所述显示区508的方向上平行设置，所述第一孔结构5031在所述第一应力缓冲区506内沿远离所述显示区508的方向上为连续通孔，所述第二孔结构5032在所述第二应力缓冲区507内沿远离所述显示区508的方向上为连续通孔。

在本实施例中，所述第一应力缓冲区506内，所述第一孔结构5031为矩形通孔，且部分所述第一孔结构5031位于所述第一挡墙501靠近所述显示区508的一端，另一部分所述第一孔结构5031被所述第一挡墙501所覆盖。

所述第二应力缓冲区507内，所述第二孔结构5032为矩形通孔，且部分所述第二孔结构5032位于所述第二挡墙502的两端，另一部分所述第二孔结构5032被所述第二挡墙502所覆盖，其中，被所述第二挡墙502所覆盖的部分所述第二孔结构5032为沿远离所述显示区508的方向上为连续通孔。

本实施例通过设置孔结构以减小阳极层在挡墙处所受到的应力，以防止阳极层中的导电薄膜与金属层之间的脱落。

实施例四

如图6所示，为本实施例所提供的孔结构平面示意图，且图6所示仅为部分阵列基板结构以作说明。

其中，包括如上所述的阵列基板，设置于所述基板上的阳极层604，设置于所述阳极层604上的第一挡墙601，与所述第一挡墙601相对应的第一应力缓冲区606，设置于所述阳极层604上的第二挡墙602，与所述第二挡墙602相对应的第二应力缓冲区607，以及同时设置于所述第一应力缓冲区606内的第一孔结构6031和所述第二应力缓冲区607内的第二孔结构6032。

所述第一孔结构6031以及所述第二孔结构6032均为环绕所述显示区608设置，且在环绕所述显示区608的方向上相互间隔设置。

所述第一孔结构6031以及所述第二孔结构6032均沿远离所述显示区608的方向上平行设置，所述第一孔结构6031在所述第一应力缓冲区606内沿远离所述显示区608的方向上为不连续通孔，所述第二孔结构6032在所述第二应力缓冲区607内沿远离所述显示区608的方向上为不连续通孔。

在本实施例中，所述第一应力缓冲区606内，所述第一孔结构6031为矩形通孔，且部分所述第一孔结构6031位于所述第一挡墙601靠近所述显示区608的一端，另一部分所述第一孔结构6031被所述第一挡墙601所覆盖，且被所述第一挡墙601所覆盖的部分所述第一孔结构6031为沿远离所述显示区608的方向上为不连续通孔。

所述第二应力缓冲区607内，所述第二孔结构6032为矩形通孔，且部分所述第二孔结构6032位于所述第二挡墙602的两端，另一部分所述第二孔结构6032被所述第二挡墙602所覆盖，其中，被所述第二挡墙602所覆盖的部分所述第二孔结构6032为沿远离所述显示区608的方向上为不连续通孔。

本实施例通过设置孔结构以减小阳极层在挡墙处所受到的应力，以防止阳极层中的导电薄膜与金属层之间的脱落。

实施例五

如图7所示，为本实施例所提供的孔结构平面示意图，且图7所示仅为部分阵列基板结构以作说明。

其中，包括如上所述的阵列基板，设置于所述基板上的阳极层704，设置于所述阳极层704上的第一挡墙701，与所述第一挡墙701相对应的第一应力缓冲区706，设置于所述阳极层704上的第二挡墙702，与所述第二挡墙702相对应的第二应力缓冲区707，以及同时设置于所述第一应力缓冲区706内的第一孔结构7031和所述第二应力缓冲区707内的第二孔结构7032。

所述第一孔结构7031以及所述第二孔结构7032均为环绕所述显示区708设置，且在环绕所述显示区708的方向上相互间隔设置。

所述第一孔结构7031以及所述第二孔结构7032均沿远离所述显示区708的方向上平行设置，所述第一孔结构7031在所述第一应力缓冲区706内沿远离所述显示区708的方向上为不连续通孔，所述第二孔结构7032在所述第二应力缓冲区707内沿远离所述显示区708的方向上为不连续通孔。

在本实施例中，所述第一应力缓冲区706内，所述第一孔结构7031为圆形通孔，且部分所述第一孔结构7031位于所述第一挡墙701靠近所述显示区708的一端，另一部分所述第一孔结构7031被所述第一挡墙701所覆盖，且被所述第一挡墙701所覆盖的部分所述第二孔结构7032为沿远离所述显示区708的方向上为不连续通孔。

所述第二应力缓冲区707内，所述第二孔结构7032为圆形通孔，且部分所述第二孔结构7032位于所述第二挡墙702的两端，另一部分所述第二孔结构7032被所述第二挡墙702所覆盖，其中，被所述第二挡墙702所覆盖的部分所述第二孔结构7032为沿远离所述显示区708的方向上为不连续通孔。

本实施例通过设置孔结构以减小阳极层在挡墙处所受到的应力，以防止阳极层中的导电薄膜与金属层之间的脱落。

以上需要注意的是，孔结构的形状不限于矩形以及圆形，也不限于第一应力缓冲区以及第二应力缓冲区内的孔结构形状是否相同。

本发明实施例还提供一种显示面板，如图8所示，所述显示面板包括上述阵列基板以及设置于所述阵列基板上有机发光层806以及封装薄膜。

其中，所述阵列基板包括基板805，设置于所述基板805上的阳极层804，设置于所述阳极层804上的第一挡墙801和第二挡墙802，以及贯穿所述阳极层804的第一孔结构8031以及第二孔结构8032。

且所述阳极层804上设置有所述有机发光层806，且所述有机发光层806覆盖所述显示区并止于所述第二挡墙802。

所述有机发光层806上设置有所述薄膜封装层，且所述薄膜封装层包括层叠设置的第一无机层807、有机层808以及第二无机层809，其中，所述第一无机层807以及所述第二无机层809覆盖所述显示区、所述第一挡墙801以及所述第二挡墙802，所述有机层808覆盖所述显示区以及第二挡墙802并止于所述第一挡墙801。

在本发明的另一实施例中，如图9所示，所述显示面板包括上述阵列基板以及设置于所述阵列基板上有机发光层906以及封装薄膜。

其中，所述阵列基板包括基板905，设置于所述基板905上的阳极层904，设置于所述阳极层904上的第一挡墙901和第二挡墙902，以及贯穿所述阳极层904的第一孔结构9031以及第二孔结构9032。

且所述阳极层904上设置有所述有机发光906，且所述有机发光层906覆盖所述显示区并止于所述第二挡墙902。

所述有机发光层906上设置有所述薄膜封装层，且所述薄膜封装层包括层叠设置的第一无机层907、有机层908以及第二无机层909，其中，所述第一无机层907以及所述第二无机层8909覆盖所述显示区、所述第一挡墙901以及所述第二挡墙902，所述有机层908仅覆盖所述显示区并止于所述第二挡墙802。

综上所述，本发明所提供的显示面板通过在阳极层中设置孔结构，以缓冲阳极层在挡墙处所受到的应力，以减小阳极层发生膜层剥离的风险。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。