技术总结
本发明提供一种发光二极管芯片，包括磊晶叠层、第一、第二电极以及第一反射层。磊晶叠层包括第一型、第二型半导体层与发光层。第一、第二电极分别与第一型、第二型半导体层电性连接。发光层于第一型半导体层的正投影与第一电极于第一型半导体层的正投影错位。第一反射层设置于磊晶叠层、第一、第二电极上。第一反射层于第二型半导体层的正投影与第二电极于第二型半导体层的正投影错位。另，一种发光二极管装置亦被提供。
技术研发人员：庄东霖;黄逸儒;郭佑祯;兰彦廷;沈志铭;黄靖恩
受保护的技术使用者：新世纪光电股份有限公司
技术研发日：2019.08.05
技术公布日：2020.02.14