技术特征：
1.一种gan异质结快恢复二极管器件结构，其特征在于，包括：依次设置的正极金属层、基底层以及负极金属层；其中，所述基底层包括gan衬底层以及形成在所述gan衬底层表面上的gan外延层；所述gan外延层远离gan衬底层一侧外表面上具有凹槽，所述凹槽内填充有p型si材料，所述负极金属层，覆盖在所述gan衬底层远离所述gan外延层一侧的外表面上，所述正极金属层，覆盖在所述所述gan外延层远离所述gan衬底层一侧的外表面上以及覆盖在所述p型si材料远离所述gan衬底层一侧的外表面上。2.根据权利要求1所述的gan异质结快恢复二极管器件结构，其特征在于：其中，所述p型si材料为p型多晶硅。3.根据权利要求1所述的gan异质结快恢复二极管器件结构，其特征在于：其中，所述基底层材料为n型掺杂外延层生长在同质外延gan衬底上形成的材料。4.根据权利要求1所述的gan异质结快恢复二极管器件结构，其特征在于：其中，所述正极金属层由ni金属层和au金属层组成。5.根据权利要求1所述的gan异质结快恢复二极管器件结构，其特征在于：其中，所述负极金属层由ti金属层、al金属层、ni金属层以及au金属层组成。6.权利要求1-5任意一项所述的gan异质结快恢复二极管器件结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在gan外延材料上，使用等离子增强化学沉积法沉积sin作为掩蔽层，在所述掩蔽层上表面铺展一层光刻胶，形成光刻胶层，光刻p型窗口，通过曝光显影，开出p型窗口，采用反应离子刻蚀法依次刻蚀p型窗口中的掩蔽层和gan外延材料，形成gan深槽；步骤2，除去所述光刻胶层，采用物理气相沉积溅射p型α-非晶si填充gan深槽，并用炉退火工艺，将所述p型α-非晶si转变为低阻p型非晶硅，再采用等离子刻蚀除去多余的多晶硅和全部掩蔽层，获得表面平整的基底层；步骤3，采用电子束蒸发负极金属材料，并快速热退火，在基底层远离gan深槽的外表面上的形成负极金属层；步骤4，采用电子束蒸发正极金属材料，在基底层具有gan深槽的外表面上的形成正极金属层。7.根据权利要求6所述的gan异质结快恢复二极管器件结构的制作方法，其特征在于：其中，所述gan深槽深度为0.5μm-1μm。8.根据权利要求6所述的gan异质结快恢复二极管器件结构的制作方法，其特征在于：其中，所述掩蔽层厚度为500nm-800nm。9.根据权利要求6所述的gan异质结快恢复二极管器件结构的制作方法，其特征在于：其中，所述p型窗口宽度为0.8μm-1μm。10.根据权利要求6所述的gan异质结快恢复二极管器件结构的制作方法，其特征在于：其中，所述p型α-非晶si的掺杂浓度为5
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cm-3-8
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10
15
cm-3
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