技术总结
本公开的实施例涉及存储器器件。一种相变存储器单元在至少第一部分中包括至少一个锗层的堆叠，该至少一个锗层的堆叠被由锗、锑和碲的第一合金制成的至少一层覆盖。在编程状态下，由于将堆叠的一部分加热到足够的温度，锗层的一部分和第一合金的层的一部分形成由锗、锑和碲制成的第二合金，其中第二合金具有比第一合金高的锗浓度。
技术研发人员：P·G·卡佩莱蒂;G·纳瓦罗
受保护的技术使用者：法国原子能及替代能源委员会;意法半导体股份有限公司
技术研发日：2019.08.07
技术公布日：2020.02.21