用于产生面光源的发光二极管装置及其制作方法与流程

[0001]
本发明涉及一种发光二极管装置及其制作方法，特别是涉及一种用于产生面光源的发光二极管装置及其制作方法。


背景技术：

[0002]
由于发光二极管(light emitting diode，简称led)运作过程中会产生大量的热，且运作过程中所累积的热量会造成led亮度降低、波长飘移并导致led的使用寿命变短，甚至直接造成led损坏。因此，良好的散热方案一直是led相关产业关注的重点技术之一。
[0003]
随着led相关技术的发展，其应用的层面也越来越广泛与多元化，且为了能更良好地因应不同应用场合的需求，led的规格也更进一步地朝向高功率及小型密集化的方向发展。在采用多个led以提供面光源的场合，一方面由于led的数量增加，产生的热量累积也随之提升，另一方面由于led之间的间距缩短，导致累积于其间的热能较难以散去，因此，其散热问题的解决又更为困难。此外，热能除了对led本身造成不良影响之外，也会影响承载led的基板。用于提供面光源的led装置运作的过程中，基板累积的热量也会导致基板本身受热膨胀，如此，除了可能发生板材翘曲等问题外，也会影响led的间距，在一些对于光学性能的精密性要求较高的应用场合下，显然是个不可忽视的重要问题。
[0004]
在此前提下，对用于装设led的基板而言，如何提高整体产品的散热能力及降低热应力对led装置的影响，成为了更困难且亟待克服的重要的问题。


技术实现要素：

[0005]
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种用于产生面光源的发光二极管装置及其制作方法，以降低热应力对led装置的影响，并且提高整体产品的散热能力。
[0006]
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种用于产生面光源的发光二极管装置，其包括一基板、一金属布线层以及多个发光二极管芯片。所述基板x-y轴方向的热膨胀系数(coefficient of thermalexpansion，简称cte)介于5至18ppm/℃之间，且依照iso 178测定的弯曲强度σfm介于400至600mpa之间。所述金属布线层设置在所述基板的一顶面。多个所述发光二极管芯片装设在所述基板的所述顶面以提供一面光源，所述发光二极管芯片的正极和负极分别与所述金属布线层电性连接。
[0007]
优选地，所述基板开设有贯穿所述基板的多个通孔以及分别填充多个所述通孔的多个导热材料。多个所述发光二极管芯片设置在分别对应于所述通孔的位置。所述通孔的直径介于0.1至1mm之间，且具有多个所述通孔与多个所述导热材料的所述基板的热阻值(thermal resistance，简称rth)在50k/w以下。
[0008]
优选地，所述发光二极管芯片的边长小于100um，且所述通孔的面积大于或等于所对应的所述发光二极管芯片的面积的40％。
[0009]
优选地，所述基板的材料包括添加有二氧化硅(sio2)、三氧化二铝(al2o3)、碳酸钙
(caco3)、二氧化钛(tio2)或氢氧化铝(al(oh)3)其中一种无机金属粉体或其组合的双马来酰亚胺树脂(bismaleimide resin，简称bmi resin)或双马来酰亚胺-三氮杂苯树脂(bismaleimide-triazine resin，简称bt resin)。
[0010]
优选地，多个所述发光二极管芯片彼此之间的距离小于1mm。
[0011]
优选地，所述发光二极管装置还包括一承载基材以及多个受激发材料。所述承载基材设置在所述基板的所述顶面上。多个所述受激发材料设置在所述承载基材上。所述发光二极管芯片所发出的一带有第一波长的第一光束通过所述受激发材料而转换成一带有第二波长的第二光束。
[0012]
优选地，所述发光二极管装置还包括多个感应组件，多个所述感应组件设置在所述基板上并与所述金属布线层电性连接。所述发光二极管芯片所发出且经过一生物组织反射的一光束被所述感应组件接收并转换为一电信号。
[0013]
优选地，多个所述发光二极管芯片被封装在由自由曲面透镜所形成的一次光学结构中。
[0014]
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种发光二极管装置的制作方法，其包括下列步骤：提供一基板，所述基板为x-y轴方向的热膨胀系数介于13至18ppm/℃之间，且依照iso 178测定的弯曲强度σfm介于400至600mpa之间的板材；在所述基板的一顶面上进行影像转移蚀刻以形成一金属布线层；在所述基板的所述顶面设置多个发光二极管芯片，且使多个所述发光二极管芯片的正极和负极分别与所述金属布线层电性连接，以通过多个所述发光二极管芯片提供一面光源。
[0015]
优选地，在进行所述影像转移蚀刻的步骤前，还包括下列步骤：在所述基板开设直径介于0.1至1mm之间且贯穿所述基板的多个通孔。在所述顶面或所述底面设置一金属箔，并通过电镀于所述通孔中分别填满一导热材料。在进行所述影像转移蚀刻的步骤后，将多个所述发光二极管芯片设置在分别对应于所述通孔的位置。
[0016]
优选地，所述发光二极管芯片的边长小于100um，且所述制作方法还进一步包括下列步骤：根据所述发光二极管芯片的面积设计所述通孔的位置以及尺寸，以使所开设的所述通孔的面积，大于或等于所对应的所述发光二极管芯片面积的40％。
[0017]
优选地，所述基板的材料包括添加有二氧化硅、三氧化二铝、碳酸钙、二氧化钛或氢氧化铝其中一种无机金属粉体或其组合的双马来酰亚胺树脂或双马来酰亚胺-三氮杂苯树脂。
[0018]
优选地，在设置所述发光二极管芯片的步骤中，使多个所述发光二极管芯片彼此之间的距离小于1mm。
[0019]
优选地，所述制作方法还包括下列步骤：在一承载基材上设置多个受激发材料。将所述承载基材设置在所述基板的所述顶面上。所述发光二极管芯片所发出的一带有第一波长的第一光束通过所述受激发材料而转换成一带有第二波长的第二光束。
[0020]
优选地，所述制作方法还包括下列步骤：在所述基板上设置多个感应组件，且使多个所述感应组件与所述金属布线层电性连接。所述发光二极管芯片所发出且经过一生物组织反射的一光束被所述感应组件接收并转换为一电信号。
[0021]
优选地，所述制作方法还包括下列步骤：根据一目标光形通过自由曲面运算，模拟出对应的一自由曲面结构。形成具有所述自由曲面结构的一透镜，以封装多个所述发光二
极管芯片。
[0022]
本发明的有益效果在于，本发明技术方案所提供的用于产生面光源的发光二极管装置及其制作方法，其可通过“基板x-y轴方向的cte介于5至18ppm/℃之间”及“基板依照iso 178测定的弯曲强度σfm介于400至600mpa之间”的设计，以降低热应力对led装置的影响，并且提高整体产品的散热能力。
[0023]
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
[0024]
图1为本发明第一实施例的led装置立体示意图；
[0025]
图2为本发明第一实施例的led装置局部位置的剖面示意图，其中，显示其中的单个led芯片与基板的配置关系；
[0026]
图3为图2之局部位置的仰视示意图；
[0027]
图4为本发明第一实施例另一态样的led装置局部位置的剖面示意图；
[0028]
图5为本发明第一实施例再另一态样的led装置局部位置的剖面示意图；
[0029]
图6为本发明第一实施例又另一态样的led装置局部位置的剖面示意图；
[0030]
图7为本发明第一实施例的led装置局部位置的剖面示意图，其中，显示多个led芯片装设在基板的配置关系；
[0031]
图8为本发明第二实施例的led装置局部位置的剖面示意图，其中，基板顶面还设置有承载基材以及多个受激发材料；
[0032]
图9为本发明第三实施例的led装置局部位置的剖面示意图，其中，基板顶面还设置有感应组件；
[0033]
图10为本发明第四实施例的led装置局部位置的剖面示意图，其中，多个led芯片封装于具有自由曲面结构的透镜中；
[0034]
图11为本发明led装置的制作方法流程图。
具体实施方式
[0035]
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“一种用于产生面光源的发光二极管装置及其制作方法”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。
[0036]
第一实施例
[0037]
请参阅图1至图7以及图11所示，图1为本发明第一实施例的发光二极管(light emitting diode，简称led)装置立体示意图。图2为本发明第一实施例的led装置局部位置的剖面示意图，其中，显示其中的单个led芯片与基板的配置关系。图3为图2之局部位置的仰视示意图。图4为本发明第一实施例另一态样的led装置局部位置的剖面示意图。图5为本
发明第一实施例再另一态样的led装置局部位置的剖面示意图。图6为本发明第一实施例又另一态样的led装置局部位置的剖面示意图。图11为本发明led装置的制作方法流程图。由上述图中可知，本发明第一实施例提供一种用于产生面光源的led装置z，其包括基板1、金属布线层2以及多个led芯片3。
[0038]
首先，请参阅图1至图3以及图11所示，在本发明的其中一个较佳实施例中，多个led芯片3装设在基板1的顶面，且led芯片3的正极和负极分别与金属布线层2电性连接，以通过金属布线层2获取电能，并于多个led芯片3共同的运作下，提供面光源。需要特别说明的是，图1的led芯片3数量以及间距都只是为了便于了解而简化的示意性图式，并且为简化图面而省略了金属布线层2的线路配置。所属技术领域具有通常知识者可以在参阅本说明书后，可以根据实际应用上的需要，依照本发明的精神适当的调整其数量、相对关系以及走线配置等。
[0039]
众所周知地，在led芯片3运作的过程中会产生大量的热，累积的热量不仅会影响led芯片3本身的效能以及寿命，也会对基板1产生影响。尤其是，在采用边长小于100um的led芯片3(例如micro led)的情况下，若将大量的led芯片3紧密地配置在一起(例如，多个led芯片3彼此之间的距离小于1mm)，热能累积的状况将会更加明显。为了避免由于基板1受热膨胀，而导致基板1翘曲以及led芯片3间距变化使得光学性能受到影响等问题，本发明特地挑选在x-y轴方向的热膨胀系数(coefficient of thermalexpansion，简称cte)介于5至18ppm/℃之间的材质所制成的基板1，较佳地，采用的是x-y轴方向的cte在15ppm/℃以下的基板1。此外，在本发明的较佳实施例中，依照iso 178测定基板1的弯曲强度σfm，本发明的基板1还满足弯曲强度σfm介于400至600mpa之间的材料特性。
[0040]
承上所述，根据发明人实际测试以及选用的结果，本发明的基板1可以采用双马来酰亚胺树脂(bismaleimide resin，简称bmi resin)或双马来酰亚胺-三氮杂苯树脂(bismaleimide-triazine resin，简称bt resin)为基底所做成的板材，且为了使所制成的基板1具备cte介于5至18ppm/℃的材料特性，于bmi树脂或bt树脂中添加有二氧化硅(sio2)、三氧化二铝(al2o3)、碳酸钙(caco3)、二氧化钛(tio2)或氢氧化铝(al(oh)3)等无机金属粉体的其中一种，或者，也可以同时添加上述无机金属粉体的组合于bmi树脂或bt树脂中。一般来说，环氧树脂的cte值约为30-50ppm/℃，而sio2的cte值则为0.5-9ppm/℃，本发明通过在bmi树脂或bt树脂中添加上述无机金属粉体，以降低基板1的cte值，进而使基板1的材料特性可以符合本发明所限定的要求。
[0041]
再请参阅图1至图3以及图11所示，选用适当的材料做为本发明的基板1后，根据实际应用的需要，设计led芯片3的设置位置。举例而言，当本发明的led装置z被用于提供照明时，可以根据本发明的面光源所照射出的光型，设计led芯片3的设置位置；或者，当本发明的led装置z被用于光学侦测器，需一并考虑led芯片3与其他组件的配置关系。完成led芯片3的设计后，便根据led芯片3的配置，在基板1的顶面设置金属布线层2，并且使led芯片3的正极和负极分别与金属布线层2电性连接。具体而言，可以采用影像转移蚀刻的方式，于基板1的顶面形成金属布线层2，但本发明并不以此为限。本发明通过对基板1材料的选择，能有效降低热应力对led装置z的影响，因此，通过本发明的led装置z提供面光源时，能够提供高质量且稳定地光学输出。
[0042]
请再次参阅图1至图3以及图11所示，如同先前所说，led芯片3运作过程产生的热，
除了会对基板1产生影响，累积的热量也会影响led芯片3本身的效能以及寿命，且前述状况在大量led芯片3紧密地被配置成面光源的情形下尤其严重。因此，除了选用较不易受到热能累积影响的材料作为基板1，也要为了保护led芯片3本身，尽可能提高led装置z的散热能力。
[0043]
实际应用上，本发明可以在基板1上开设贯穿基板1的多个通孔11，并且在多个通孔11中分别填充导热材料4。具体来说，本发明为了能够在较大孔径的通孔11中充分填满导热材料4，会预先在基板1顶面或底面设置金属箔，并将基板1并同金属箔置入阳极喷盒设计之电镀槽中，通过整流器设定脉冲电镀的参数条件后，采用周期式脉冲电源供应(periodic pulse reversepower supply)之方式，以正向、暂停与反相等电流控制进行电镀，使通孔11内壁的导热材料4镀层能先在通孔11内部靠近中心处相互连接形成架桥结构，再进一步镀附导热材料4使得通孔11被充分填满，以避免如传统上采用直流电进行电镀时，因高电流密度区域集中在基板两侧，而形成包孔之问题。
[0044]
在本发明的较佳实施例中，具有多个通孔11与多个导热材料4的基板1的热阻值(thermal resistance，简称rth)在50k/w以下。更具体而言，在根据实际需要选用适当的led芯片3，并且设计好led芯片3的位置后，便根据即将装设在基板1的led芯片3的位置以及led芯片3的面积，设计通孔11的位置以及尺寸。值得一提的是，当采用的led芯片3边长小于100um的情况下，在本发明的较佳实施例中，于基板1上开设直径介于0.1至1mm之间的多个通孔11(根据所对应的led芯片3的大小，使通孔11的面积大于或等于所对应的led芯片3的面积的40％较佳)，并于多个通孔11分别填充导热材料4，且在基板1的顶面形成金属布线层2后，将多个led芯片3设置在分别对应于通孔11的位置。
[0045]
请参阅图2以及图3所示，在本实施例中，基板1上开设有六个通孔11，且六个通孔11中各自填充有导热材料4。基板1顶面的金属布线层2分别覆盖在不同的导热材料4上，而led芯片3则通过接合材料c连接至金属布线层2，且使led芯片3的正极和负极分别与金属布线层2电性连接。led芯片3运作过程中产生的热能，可以被传递到通孔11中的导热材料4，且通过导热材料4由基板1的底面被带走，先前所说的“通孔11的面积大于或等于所对应的led芯片3的面积的40％”，指的是对应于同一个led芯片3的通孔11的面积加总，其总和大于led芯片3的面积的40％。需要特别说明的是，本发明led芯片3与通孔11的配置关系并不以图2所示的实施例为限，此处所说的“将多个led芯片3设置在分别对应于通孔11的位置”，并不意味着多个通孔11的几何中心，其位置必须正对着led芯片3的几何中心，只要通孔11的设计可以满足led芯片3的散热需求，且两者重叠的面积大于或等于所对应的led芯片3的面积的40％，即符合本发明所称的“对应”。
[0046]
以下请参阅图4至图6所示，通过本发明第一较佳实施例的不同态样，以便本发明所属技术领域具有通常知识者，在参阅本说明书后，能够了解led芯片3与通孔11的对应关系。首先请参阅图4所示，在此一实施态样中，基板1上开设有多个通孔11，且通孔11中各自填充有导热材料4，led芯片3通过接合材料c连接至导热材料4上，以使得led芯片3产生的热能可以被导热材料4带走。其中，连接led芯片3正极的接合材料c可彼此通过通孔11中的导热材料4相互导通，同理，连接led芯片3负极的接合材料c也可以通过导热材料4相互导通。在此一实施态样中，导热材料4的作用不但能够分别导通led芯片3的电路，也能够将led芯片3所产生的热能传导出去。
[0047]
接下来请参阅图5所示，在此一实施态样中，基板1上开设有多个通孔11，且通孔11中各自填充有导热材料4，每一个led芯片3分别对应于一个通孔11，且led芯片3则通过接合材料c连接至导热材料4上，以使得led芯片3产生的热能可以被导热材料4带走。在此一实施态样中，单一个通孔11的面积即大于或等于所对应的led芯片3的面积的40％。此一实施态样的基板1顶面覆盖有绝缘层12，且金属布线层2设置在绝缘层12上。通过覆盖在基板1顶面的绝缘层12，使得通孔11中的导热材料4与金属布线层2相互绝缘。在本发明第一实施例的此一态样中，led芯片3的正极和负极是另外通过两条导线31，分别与金属布线层2电性连接。因此，在此一实施态样中，导热材料4的作用仅仅在于将led芯片3所产生的热能传导出去，而不作为导电路径的一部分。
[0048]
另外，请参阅图6所示，在此一实施态样中，基板1顶面的金属布线层2彼此分离且分别覆盖在不同的导热材料4上，而led芯片3则通过接合材料c连接至其中一个导热材料4上的金属布线层2，并且通过导线31与覆盖在另一个导热材料4上的金属布线层2电性连接。在此一实施态样中，也是单一个通孔11的面积即大于或等于所对应的led芯片3的面积的40％。
[0049]
根据上各种实施态样，本发明所属技术领域具有通常知识者，可以理解led芯片3与通孔11的对应关系，且能够了解通孔11大小与led芯片3之间较佳的对应关系。本发明通过基板1材料的选择以及通孔11的适当设计，使得具有多个通孔11与多个导热材料4的基板1的rth在50k/w以下，有助于提高整体产品的散热能力。
[0050]
接下来，请参阅图7所示，在本发明的第一实施例中，基板1上设置的多个led芯片3分别被封装胶体5所形成的一次光学透镜所包覆，led芯片3发出的光线经由透镜折射而发出，直接提供大范围照射所需的面光源，且由于本发明对于基板1的特别设计，使得本发明的led装置z能提供稳定且高质量的面光源照明。
[0051]
综上所述，在本发明的第一较佳实施例中，led装置z的制作方法包括下列步骤：
[0052]
s100：提供基板1，其材料包括添加有sio2、al2o3、caco3、tio2或al(oh)3其中一种无机金属粉体或其组合的bmi树脂或bt树脂；
[0053]
s102：根据将装设在基板1的led芯片3的面积设计通孔11的位置以及尺寸，并于基板1开设直径介于0.1至1mm之间的多个通孔11；
[0054]
s104：在基板1顶面或底面设置金属箔，并通过电镀于通孔中11分别填满导热材料4；
[0055]
s106：于基板1的顶面上进行影像转移蚀刻以形成金属布线层2；
[0056]
s108：于基板1的顶面设置多个与金属布线层2电性连接的led芯片3以提供面光源，led芯片3设置在分别对应于通孔11的位置，且通孔11的面积大于或等于所对应的led芯片3面积的40％。
[0057]
第二实施例
[0058]
接下来说明本发明的第二实施例，请一并参阅图8以及图11所示，图8为本发明第二实施例的led装置局部位置的剖面示意图，其中，基板1顶面还设置有承载基材6以及多个受激发材料7。有别于第一实施例的led装置z是直接由led芯片3发出的光线提供照明，本实施例的led装置z，其led芯片3所发出的带有第一波长的第一光束照射到受激发材料7后，会被受激发材料7转换成带有第二波长的第二光束。意即，led芯片3所发出的带有第一波长的
第一光束通过受激发材料7而转换成带有第二波长的第二光束，据此，本实施例的led装置z所提供的是第二波长的光。需要特别说明的是，本发明并不限制led装置z所提供的光的波长，本实施例仅在强调led芯片3所发出的光线经过转换，而非强调led装置z中所有的led芯片3都必须有相同的初始波长；此外，根据所选用的激发材料7的不同，也可以将led芯片3所发出的光线分别转成不同的波长，且能够将不同波长的光线相互混合以提供各种不同波长的照明效果。
[0059]
换句话说，在本发明的第二较佳实施例中，led装置z的制作方法，除了第一实施例中所述的步骤s100～步骤s108之外，还进一步包括下列步骤：
[0060]
s110：在承载基材6上设置多个受激发材料7；
[0061]
s112：将承载基材6设置在基板1的顶面上。
[0062]
如此，便能够使led芯片3所发出的光，先经由受激发材料7转换成带有第二波长后，再照射至led装置z外。
[0063]
第三实施例
[0064]
接下来说明本发明的第三实施例，请一并参阅图9以及图11所示，图9为本发明第三实施例的led装置局部位置的剖面示意图，其中，基板1顶面还设置有感应组件8。在某些应用光学侦测(例如穿戴式心跳量测装置等)的领域中，主要是通过发光组件发出特定波长的光，并且通过感应组件8直接接收该特定波长的光，或是接收经过物体反射回来的另一波长的光，以根据接收到的结果产生对应的信号检测信号。
[0065]
在本实施例中，led装置z的基板1不仅设置有多个led芯片3，还设置有多个感应组件8。多个感应组件8与金属布线层2(图式未显示)电性连接。另外，为了能够精确区分发出自不同led芯片3的光，在本实施例中，基板1上设有多个阻隔件13，通过阻隔件13将每一组led芯片3与感应组件8分别区隔在不同的空间中。当本发明的led装置z被应用于一穿戴式装置时，led芯片3所发出的光会先照射到生物组织t(例如皮肤表面，或穿透皮肤再照射到内部的血管等组织)，并且被生物组织t反射。在本实施例中，被生物组织t反射的光束会有一部分被感应组件8所接收，且感应组件8能够将所接收到的光信号转换为电信号，并且经由金属布线层2将电信号发出至中央处理器(central processing unit，简称cpu)等运算单元(图式未显示)进行处理。
[0066]
简单来说，在本发明的第三较佳实施例中，led装置z的制作方法，除了第一实施例中所述的步骤s100～步骤s108之外，还进一步包括下列步骤：s114：在基板1上设置与金属布线层2电性连接的多个感应组件8。
[0067]
值得一提的是，由于本发明选用的基板1材料不仅具备低cte值的特性，且同时具备良好的可挠性，因此，当本发明的led装置z被应用于前述穿戴式装置时，能够良好地配合产品所需的弯曲弧度，因此在应用上具备特别良好的效果。
[0068]
第四实施例
[0069]
接下来说明本发明的第四实施例，请一并参阅图10以及图11所示，图10为本发明第四实施例的led装置局部位置的剖面示意图，其中，多个led芯片封装于具有自由曲面结构的透镜中。有别于第一实施例的led装置z是将led芯片3分别封装在个别的封装胶体5中，并且根据实际应用的需要，可能额外设置二次光学结构的光罩，以调整光线行进的路径。本实施例的led装置z，其多个led芯片3被封装在由自由曲面透镜8所形成的一次光学结构中。
[0070]
具体来说，当本发明led装置z被应用于提供特定目标光型的照明，生产led装置z的设计者可以先通过软件进行自由曲面运算，以模拟出对应的自由曲面结构(其技术细节并非此一发明的重点，在此不另外赘述)，并且根据运算结果配置led芯片3，以及通过封装胶体5直接形成具有自由曲面结构的透镜，并将多个led芯片3封装于其中。
[0071]
换句话说，在本发明的第四较佳实施例中，led装置z的制作方法，除了第一实施例中所述的步骤s100～步骤s108之外，还进一步包括下列步骤：s116：根据目标光形通过自由曲面运算，模拟出对应的自由曲面结构；
[0072]
s118：形成具有自由曲面结构的透镜封装多个led芯片3。
[0073]
如此，有利于装置的小型化与精密化，搭配本发明基板1具备的低cte值以及高度可挠性等特性，能大幅拓宽led装置z的的应用层面，且可以提供更高质量且稳定的光学输出，尤其当本发明的led装置z被应用于小芯片size以及高密度线路的产品上，更是能够大大突显出本发明的优势。
[0074]
本发明的有益效果在于，本发明实施例所提供的用于产生面光源的led装置及其制作方法，其可通过“基板x-y轴方向的cte介于5至18ppm/℃之间”及“基板依照iso 178测定的弯曲强度σfm介于400至600mpa之间”的设计，以降低热应力对led装置的影响，并且提高整体产品的散热能力。
[0075]
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。