一种基于PEG结构的二元微带单极子天线的制作方法

文档序号:19147477发布日期:2019-11-15 23:41阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种基于peg结构的二元微带单极子天线,其特征在于,

所述二元微带单极子天线采用短介质基板;

所述天线正面中短介质基板上的两根单极子天线为弯曲结构;

所述天线背面接地平面的中间位置向上扩展形成peg结构;所述peg结构中开设u形槽;

所述接地平面的左右边缘上各开设一个切槽。

2.根据权利要求1所述的一种基于peg结构的二元微带单极子天线,其特征在于,所述二元微带单极子天线采用金属铜作为短介质基板。

3.根据权利要求1所述的一种基于peg结构的二元微带单极子天线,其特征在于,所述短介质基板的尺寸为25mm×35mm。

4.根据权利要求1所述的一种基于peg结构的二元微带单极子天线,其特征在于,所述弯曲结构的形成方式为:两根单极子天线先向中心弯曲90度,弯曲长度为4.9mm,再向上进行弯曲,最后在弯曲部位切去一个直角边为2.5mm的等腰直角三角形。

5.根据权利要求1所述的一种基于peg结构的二元微带单极子天线,其特征在于,所述u形槽的大小、位置和宽度根据所需求的天线反射性能参数通过hfss仿真调整确定。

6.根据权利要求1所述的一种基于peg结构的二元微带单极子天线,其特征在于,所述两根单极子天线的宽度设置为0.032工作波长,单极子天线长度设置为0.45工作波长,两根单极子天线间距设置为0.208工作波长。

7.根据权利要求1所述的一种基于peg结构的二元微带单极子天线,其特征在于,所述切槽的尺寸根据所需求的天线反射性能参数通过hfss仿真调整确定。


技术总结
本发明公开了一种基于PEG结构的二元微带单极子天线,采用短介质基板,短介质基板上的单极子天线采用弯曲结构,以获得较长的天线长度以及更宽的匹配带宽;在天线背面接地平面的中间位置向上扩展形成PEG结构,PEG结构中开设U形槽,从而扩展耦合抑制带宽,增强耦合抑制效应,同时,在接地平面的左右边缘上各开设一个切槽,从而达到增加匹配和解耦带宽的目的。本发明结构在没有添加任何分立的元件(比如贴片电感、电容等),并且在没有添加过多微带线的情况下,实现了二端口的微带天线耦合抑制与匹配。

技术研发人员:李岳衡;谭跃跃;李方华;刘陕陕;居美艳;黄平
受保护的技术使用者:河海大学
技术研发日:2019.08.15
技术公布日:2019.11.15
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