阵列基板的制备方法及阵列基板与流程

本申请涉及一种显示技术，特别涉及一种阵列基板的制备方法及阵列基板。

背景技术：

随着集成式触控显示面板的发展，人们对高分辨率的要求越来越高。因此需要精细的有源驱动矩阵(阵列基板)配合各像素区液晶进行偏转。

但是现有技术中的触控集成式的阵列基板的制备方法步骤较为繁琐，导致生产成本较高和周期较长。

技术实现要素：

本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法及阵列基板，以解决现有的触控集成式的阵列基板的制备方法步骤较为繁琐，导致生产成本较高和周期较长的技术问题。

本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上形成图案化的第一金属层，所述第一金属层包括源极；

在所述图案化的第一金属层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成图案化的半导体层，所述半导体层对应于所述源极的部分电连接于所述源极；

在所述图案化的半导体层上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成图案化的第二金属层，所述第二金属层包括触控信号线、栅极和漏极，所述漏极电连接于所述半导体对应于所述漏极的部分；

在所述图案化的第二金属层上形成平坦层；

在所述平坦层上形成图案化的公共电极层，所述图案化的公共电极层包括触控电极，所述触控电极电连接所述触控信号线；

在所述图案化的公共电极层上形成保护层；

在所述保护层上形成图案化的像素电极层，所述图案化的像素电极层包括像素电极，所述像素电极电连接于所述漏极。

在本申请的阵列基板的制备方法中，所述第一金属层包括数据线和遮光层，所述数据线与所述源极相连并与所述源极一体成型；

所述数据线、源极和遮光层采用同一光罩处理成型。

在本申请的阵列基板的制备方法中，所述第二金属层还包括栅线，所述栅线与所述栅极相连并与所述栅极一体成型，所述栅线的延伸方向平行于所述触控信号线的延伸方向；

所述触控信号线、栅极、栅线和漏极采用同一光罩处理成型。

在本申请的阵列基板的制备方法中，所述在所述图案化的第一金属层上形成第一绝缘层，包括以下步骤：

在所述图案化的第一金属层上形成第一绝缘层；

对所述第一绝缘层进行图案化处理，形成裸露出所述源极的第一过孔。

在本申请的阵列基板的制备方法中，所述半导体对应于所述源极的部分通过所述第一过孔与所述源极电连接。

在本申请的阵列基板的制备方法中，所述在所述图案化的半导体层上形成第二绝缘层，包括以下步骤：

在所述图案化的半导体层上形成第二绝缘层；

对所述第二绝缘层进行图案化处理，形成裸露出所述半导体层对应于漏极的部分的开口。

在本申请的阵列基板的制备方法中，所述漏极形成在所述开口内并电连接所述半导体层。

在本申请的阵列基板的制备方法中，所述在所述图案化的第二金属层上形成平坦层，包括以下步骤：

在所述图案化的第二金属层上形成平坦层；

对所述平坦层进行图案化处理，形成裸露出所述触控信号线的第二过孔。

在本申请的阵列基板的制备方法中，所述触控电极通过所述第二过孔电连接于所述触控信号线。

在本申请的阵列基板的制备方法中，所述在所述图案化的公共电极层上形成保护层，包括以下步骤：

在所述图案化的公共电极层上形成保护层；

对所述保护层进行图案化处理，形成对应于所述漏极的第三过孔，所述第三过孔延伸入所述平坦层并裸露所述漏极。

在本申请的阵列基板的制备方法中，所述像素电极通过所述第三过孔电连接于所述漏极。

本申请还涉及一种阵列基板，其包括：

基板；

第一金属层，设置在所述基板上，所述第一金属层包括源极；

第一绝缘层，覆盖在所述第一金属层上，所述第一绝缘层包括对应于所述源极的第一过孔；

半导体层，设置在所述第一绝缘层上，所述半导体层对应所述源极的部分通过所述第一过孔电连接于所述源极；

第二绝缘层，覆盖在所述半导体层上，所述第二绝缘层包括裸露所述半导体层对应于漏极的部分的开口；

第二金属层，设置在所述第二绝缘层上，所述第二金属层包括触控信号线、栅极和所述漏极，所述漏极设置在所述开口内并电连接于所述半导体层；

平坦层，覆盖在所述第二金属层上，所述平坦层包括裸露出于所述触控信号线的第二过孔；

公共电极层，设置在所述平坦层上，所述公共电极层包括触控电极，所述触控电极通过所述第二过孔电连接于所述触控信号线；

保护层，覆盖所述公共电极层，所述保护层包括对应于所述漏极的第三过孔，所述第三过孔延伸入所述平坦层并裸露所述漏极；以及

所述像素电极层，设置在所述保护层上，所述像素电极层包括像素电极，所述像素电极通过第三过孔电连接于所述漏极。

在本申请的阵列基板中，所述第一金属层还包括数据线和遮光层，所述数据线与所述源极相连并与所述源极一体成型，所述遮光层位于所述半导体的沟道区的下方。

在本申请的阵列基板中，所述第二金属层还包括栅线，所述栅线与所述栅极相连并与所述栅极一体成型，所述触控信号线的延伸方向平行于所述栅线的延伸方向。

相较于现有技术的阵列基板的制备方法，本申请的阵列基板的制备方法通过将第一金属层的源极形成在半导体层的下方，将第二金属层的栅极、漏极和触控信号线设置在半导体层的上层，并将源极和漏极电连接半导体层形成新的晶体管结构，创造了新的制程；另外将栅极、漏极和触控信号线同层设置且同一光罩成型，简化了工艺步骤；解决了现有的触控集成式的阵列基板的制备方法步骤较为繁琐，导致生产成本较高和周期较长的技术问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。

图1为本申请的阵列基板的制备方法的流程示意图；

图2为本申请的阵列基板的制备方法完成后的阵列基板的剖面结构示意图；

图3为本申请的阵列基板的制备方法完成后的阵列基板的俯视结构示意图。

具体实施方式

请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于所例示的本申请具体实施例，其不应被视为限制本申请未在此详述的其它具体实施例。

请参照图1和图2，图1为本申请的阵列基板的制备方法的流程示意图；图2为本申请的阵列基板的制备方法完成后的阵列基板的剖面结构示意图。

本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：

步骤s1：提供一基板；

步骤s2：在所述基板上形成图案化的第一金属层，所述第一金属层包括源极；

步骤s3：在所述图案化的第一金属层上形成第一绝缘层；

步骤s4：在所述第一绝缘层上形成图案化的半导体层，所述半导体层对应于所述源极的部分电连接于所述源极；

步骤s5：在所述图案化的半导体层上形成第二绝缘层；

步骤s6：在所述第二绝缘层上形成图案化的第二金属层，所述第二金属层包括触控信号线、栅极和漏极，所述漏极电连接于所述半导体对应于所述漏极的部分；

步骤s7：在所述图案化的第二金属层上形成平坦层；

步骤s8：在所述平坦层上形成图案化的公共电极层，所述图案化的公共电极层包括触控电极，所述触控电极电连接所述触控信号线；

步骤s9：在所述图案化的公共电极层上形成保护层；

步骤s10：在所述保护层上形成图案化的像素电极层，所述图案化的像素电极层包括像素电极，所述像素电极电连接于所述漏极。

下面对本申请实施例的阵列基板100的制备方法进行详细的阐述。

步骤s1：提供一基板11。基板11为硬性基板，比如玻璃基板。随后转入步骤s2。

步骤s2：在所述基板11上形成图案化的第一金属层12。请参照图3，第一金属层12包括源极121、数据线122和遮光层123。数据线122与源极121相连并与源极121一体成型。遮光层123对应设置在半导体层14的沟道区的下方，避免激光对沟道区的照射。其中数据线122、源极121和遮光层123采用同一光罩处理成型，这样的设置简化了工艺制程。

另外，在形成第一金属层12之前，还在基板11上形成缓冲层(图中未标识)，接着在缓冲层上形成第一金属层12。随后转入步骤s3。

步骤s3：在所述图案化的第一金属层12上形成第一绝缘层13。

具体的，先在所述图案化的第一金属层上形成第一绝缘层，随后对所述第一绝缘层进行图案化处理，形成裸露出所述源极121的第一过孔131。随后转入步骤s4。

步骤s4：在所述第一绝缘层13上形成图案化的半导体层14，所述半导体层14对应于所述源极121的部分电连接于所述源极121。

具体的，在第一绝缘层13上形成一层非晶硅层，对非晶硅层进行镭射激光退火处理以形成多晶硅层，接着对多晶硅层进行离子掺杂和图层修饰处理，形成半导体层14。其中半导体层14的材料填充在第一过孔131中，以使所述半导体层14对应于所述源极121的部分通过第一过孔131电连接于所述源极121。随后转入步骤s5。

步骤s5：在所述图案化的半导体层14上形成第二绝缘层15。具体的，先在所述图案化的半导体层14上形成第二绝缘层15，接着通过第二绝缘层15中的氢作为氢源对半导体层14进行氢化，然后对所述第二绝缘层15进行图案化处理，形成裸露出所述半导体层14对应于漏极的部分的开口151。

其中，将第二绝缘层15作为半导体层14的氢源层，是由于第二绝缘层15离半导体层14最近，在进行氢化时便于第二绝缘层15的氢离子进入半导体层14，提高半导体层14的电子迁移率。随后转入步骤s6。

步骤s6：在所述第二绝缘层15上形成图案化的第二金属层16。所述第二金属层16包括触控信号线161、栅极162、漏极163和栅线164。所述触控信号线、栅极、栅线和漏极采用同一光罩处理成型，这样的设置简化了工艺制程。

请参照图2和图3，漏极163形成在所述开口151内并电连接所述半导体层14对应于所述漏极163的部分。所述栅线164与所述栅极162相连并与所述栅极162一体成型。栅线164的延伸方向平行于所述触控信号线161的延伸方向。随后转入步骤s7。

步骤s7：在所述图案化的第二金属层16上形成平坦层17。具体的，先在所述图案化的第二金属层16上形成平坦层17，接着对所述平坦层17进行图案化处理，形成裸露出所述触控信号线的第二过孔171。随后转入步骤s8。

步骤s8：在所述平坦层17上形成图案化的公共电极层18。所述图案化的公共电极层18包括触控电极181，所述触控电极181通过第二过孔171电连接所述触控信号线161。其中，公共电极层18为透明的金属氧化物，比如氧化铟锡。随后转入步骤s9。

步骤s9：在所述图案化的公共电极层18上形成保护层19。具体的，先在所述图案化的公共电极层18上形成保护层19，接着对所述保护层19进行图案化处理，形成对应于所述漏极163的第三过孔191，所述第三过孔191延伸入所述平坦层17并裸露所述漏极163。随后转入步骤s10。

步骤s10：在所述保护层19上形成图案化的像素电极层20，所述图案化的像素电极层20包括像素电极，所述像素电极通过第三过孔191电连接于所述漏极163。

这样便完成了本申请实施例的阵列基板100的制备方法。

本申请的阵列基板的制备方法通过将第一金属层12的源极121形成在半导体层14的下方，将第二金属层16的栅极162、漏极163和触控信号线161设置在半导体层14的上层，并将源极121和漏极163电连接半导体层14形成新的晶体管结构，创造了新的制程；另外将栅极162、漏极163和触控信号线161同层设置且同一光罩成型，简化了工艺步骤；解决了现有的触控集成式的阵列基板的制备方法步骤较为繁琐，导致生产成本较高和周期较长的技术问题。

请参照图2和图3，本申请实施例的一种阵列基板100，其包括基板11、第一金属层12、第一绝缘层13、半导体层14、第二绝缘层15、第二金属层16、平坦层17、公共电极层18、保护层19和像素电极层20。其中第一金属层层12和基板11之间还包括缓冲层(图中为标示)。

第一金属层12设置在所述基板11上。第一金属层12包括源极121、数据线122和遮光层123。数据线122与所述源极121相连并与所述源极121一体成型。所述遮光层123位于所述半导体14的沟道区的下方。

第一绝缘层13覆盖在所述第一金属层12上。所述第一绝缘层13包括对应于所述源极121的第一过孔131。

半导体层14设置在所述第一绝缘层13上。所述半导体层14对应所述源极121的部分通过所述第一过孔131电连接于所述源极121。

第二绝缘层15覆盖在所述半导体层14上。所述第二绝缘层15包括裸露所述半导体层14对应于漏极121的部分的开口151。

第二金属层16设置在所述第二绝缘层15上。所述第二金属层包括触控信号线161、栅极162、所述漏极163和栅线164。所述栅线164与所述栅极162相连并与所述栅极162一体成型。所述触控信号线161的延伸方向平行于所述栅线164的延伸方向。所述漏极121设置在所述开口151内并电连接于所述半导体层14。

平坦层17覆盖在所述第二金属层上16。所述平坦层16包括裸露出于所述触控信号线161的第二过孔171。

公共电极层18设置在所述平坦层17上。所述公共电极层18包括触控电极181。所述触控电极181通过所述第二过孔171电连接于所述触控信号线161。

保护层19覆盖所述公共电极层18。所述保护层19包括对应于所述漏极163的第三过孔191。所述第三过孔191延伸入所述平坦层17并裸露所述漏极163。

像素电极层20设置在保护层19上。所述像素电极层20包括像素电极，像素电极通过第三过孔191电连接于所述漏极163。

相较于现有技术的阵列基板的制备方法，本申请的阵列基板的制备方法通过将第一金属层的源极形成在半导体层的下方，将第二金属层的栅极、漏极和触控信号线设置在半导体层的上层，并将源极和漏极电连接半导体层形成新的晶体管结构，创造了新的制程；另外将栅极、漏极和触控信号线同层设置且同一光罩成型，简化了工艺步骤；解决了现有的触控集成式的阵列基板的制备方法步骤较为繁琐，导致生产成本较高和周期较长的技术问题。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本申请的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本申请后附的权利要求的保护范围。