1.一种ti-ga-sb相变材料，其特征在于，所述ti-ga-sb相变材料为ti，sb，ga元素组成的化学通式为tixgaysb100-x-y的材料；其中，x，y分别为原子个数百分比，且0＜x＜50，0＜y＜50，0＜x+y＜60。
2.根据权利要求1所述的ti-ga-sb相变材料，其中，x，y值的取值范围为：10≤x≤y≤30。
3.一种相变存储器，其利用权利要求1或2所述的ti-ga-sb相变材料作为相变存储材料，其特征在于，
所述ti-ga-sb相变材料在所述相变存储器中为厚度介于20～200nm之间的相变薄膜材料。
4.根据权利要求3所述的相变存储器，其中，所述相变薄膜材料为ti20ga30sb50相变薄膜材料。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的ti-ga-sb相变材料，其中，所述ti-ga-sb相变材料可采用磁控共溅射法、电子束蒸发法、气相沉积法或者原子层沉积法制备而成。
6.一种ti-ga-sb相变材料的制备方法，用于权利要求4或5中所述相变薄膜材料的制备，其采用磁控共溅射法制备，步骤如下，
s1：根据所述相变薄膜材料的尺寸选取相应尺寸的溅射基片，并对其进行清洁处理；
s2：分别准备ga-sb合金靶和ti单质靶，并对应设置两靶材与所述溅射基片的位置；
s3：采用高纯惰性气体作为溅射气体，并调节所述溅射气体的流量和溅射气压；
s4：分别设定所述ga-sb合金靶和所述ti单质靶的溅射电源功率，采用双靶共溅射法制备所述相变薄膜材料，并通过控制溅射时间来制得不同厚度的所述相变薄膜材料。
7.根据权利要求6所述的ti-ga-sb相变材料的制备方法，其中，所述ga-sb合金靶为ga20sb80合金靶、ga30sb70合金靶或者ga40sb60合金靶。
8.根据权利要求6或7所述的ti-ga-sb相变材料的制备方法，其中，在步骤s4中，所述ga-sb合金靶的溅射电源功率为30～40w，所述ti单质靶的溅射电源功率为3～10w。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的ti-ga-sb相变材料的制备方法，其中，步骤s4中的溅射时间为2～15min。
10.根据权利要求6～9中任一项所述的ti-ga-sb相变材料的制备方法，其中，在步骤s4开始前，还进行了所述ga-sb合金靶和所述ti单质靶的表面清洁过程，方法如下：
将空基托旋转到对正所述ga-sb合金靶和所述ti单质靶的靶位，打开两靶位的挡板，进行预溅射5～10min。