技术总结
本发明提供一种半导体器件的形成方法，其形成方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成分立排布的芯层；在所述衬底上、所述芯层的侧壁及顶部形成侧墙层；采用氧化刻蚀工艺处理所述侧墙层，至露出所述衬底及所述芯层顶部，所述氧化刻蚀工艺包括：采用氧化工艺，对所述侧墙层进行氧化处理；采用刻蚀工艺，对经过氧化处理后的所述侧墙层进行刻蚀处理。本发明提高了芯层侧壁上的侧墙层的质量，为形成质量好的鳍部做准备，从而使得形成的半导体器件的质量得到提高。到提高。到提高。
技术研发人员：龚申旻 郑二虎 张海洋
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2019.09.04
技术公布日：2021/3/5