技术总结
本发明属于半导体制造领域，本发明公开了一种优化氮化镓高电子迁移率晶体管钝化的方法。该方法包括以下步骤：在衬底生长氮化镓外延层；刻蚀形成有源区台面；形成源、漏欧姆接触电极；去除氮化镓材料表面天然氧化层；淀积氧化镓作为钝化层与GaN盖帽层的中间层；在氧化镓中间层上方淀积器件钝化层；形成栅极的金属电极。本发明可以降低氮化镓盖帽层与钝化层之间的界面缺陷，提升器件的钝化效果，有效地抑制氮化镓高电子迁移率晶体管电流崩塌现象，提升器件击穿电压。
技术研发人员：蔡宇韬;王洋;刘雯;赵策洲
受保护的技术使用者：西交利物浦大学
技术研发日：2019.09.05
技术公布日：2020.01.07