1.一种高效perc电池背面氧化铝膜的制备方法，其特征在于，包括：
(1)采用tma与n2o在硅片背面进行pecvd沉积，形成氧化铝层；
(2)通入nh3引入氢源，进入氧化铝层以及p型硅表层，在p型硅背表面形成高氢介质膜；
(3)通入n2o，将未反应的tma充分反应。
2.如权利要求1所述的高效perc电池背面氧化铝膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述tma的气体流量为30-200sccm，所述n2o的气体流量为1-10slm。
3.如权利要求1或2所述的高效perc电池背面氧化铝膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，pecvd沉积的等离子功率为4000-6000w，压力为1500-2000mtorr，沉积时间为50-120s。
4.如权利要求3所述的高效perc电池背面氧化铝膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述tma的气体流量为50-150sccm，所述n2o的气体流量为2-4slm，pecvd沉积的等离子功率为4000-6000w，压力为1500-2000mtorr，沉积时间为70-100s。
5.如权利要求1所述的高效perc电池背面氧化铝膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，通入nh3的气体流量为2-10slm，pecvd沉积的等离子功率为3000-5000w，压力700-1000mtorr，反应时间为300-360s。
6.如权利要求1或5所述的高效perc电池背面氧化铝膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，通入nh3的同时通入n2o，通入n2o的气体流量小于通入nh3的气体流量。
7.如权利要求6所述的高效perc电池背面氧化铝膜的制备方法，其特征在于，通入nh3的气体流量为2-5slm，通入n2o的气体流量为1-3slm。
8.如权利要求1所述的高效perc电池背面氧化铝膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，通入n2o的气体流量为2-12slm，反应时间为50-200s；
步骤(3)的pecvd沉积的等离子功率和压力与步骤(2)相同。
9.如权利要求8所述的高效perc电池背面氧化铝膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，通入n2o的气体流量为4-7slm，反应时间为100-150s，pecvd沉积的等离子功率为3000-5000w，压力为700-1000mtorr。
10.一种由权利要求1-9任一项的高效perc电池背面氧化铝膜。