一种太阳能电池及其制造方法、一种光伏组件与流程

文档序号:19213308发布日期:2019-11-26 01:27阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种太阳能电池,其特征在于,从前到后依次包括正表面电极、pn结、氧化铝层、金属离子隔断层、氮化硅层及背表面电极;

所述金属离子隔断层用于阻隔金属离子通过。

2.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述金属离子隔断层为二氧化硅层。

3.如权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池为perc单面电池或perc双面电池。

4.如权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述氧化铝层的厚度的范围为1纳米至30纳米,包括端点值。

5.如权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述二氧化硅层的厚度的范围为1纳米至40纳米,包括端点值。

6.如权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,当所述太阳能电池为perc单面电池时,所述氮化硅层的厚度范围为100纳米至180纳米,包括端点值;

当所述太阳能电池为perc双面电池时,所述氮化硅层的厚度范围为60纳米至160纳米,包括端点值。

7.如权利要求1至6任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述氮化硅层包括多个折射单元层;

从贴近所述金属离子隔断层的一侧至远离所述金属离子隔断层的一侧,所述折射单元层的折射率依次增大。

8.如权利要求7所述的太阳能电池,其特征在于,所述折射单元层的数量的范围为2层至5层,包括端点值。

9.一种光伏组件,其特征在于,所述光伏组件包括如权利要求1至8任一项所述的太阳能电池。

10.一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:

在pn结背面设置氧化铝层;

在所述氧化铝层表面设置金属离子隔断层;

在所述金属离子隔断层表面设置氮化硅层,得到电池前置物;

在所述电池前置物表面设置正表面电极及背表面电极,得到所述太阳能电池。


技术总结
本申请公开了一种太阳能电池,从前到后依次包括正表面电极、PN结、氧化铝层、金属离子隔断层、氮化硅层及背表面电极;所述金属离子隔断层用于阻隔金属离子通过。引起PID效应的重要原因就是在太阳能电池发电的过程中,电池片与组件的其它结构间的电势差会引起光伏组件中的金属离子向电池片内迁移,使用一定时间后所述金属离子便会与所述太阳能电池之间形成新的载流子通道,进而扰乱电池片中正常的电流通路,表现出功率衰减、发电量降低的情况。而本申请通过在所述太阳能电池的背面增设致密的所述金属离子隔断层,阻隔外来的金属离子与太阳能电池内部的其他结构接触。本申请同时还提供了一种具有上述有益效果的太阳能电池的制作方法及光伏组件。

技术研发人员:李红博;邱彦凯;张宁;李斌;曹帅
受保护的技术使用者:浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
技术研发日:2019.09.20
技术公布日:2019.11.22
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