一种覆晶薄膜的制作方法

本申请涉及显示面板相关技术领域，尤其涉及一种覆晶薄膜。

背景技术：

随着显示技术的发展，窄边框的显示面板已经成为发展趋势，在窄边框的应用中cof(chiponfilm，覆晶薄膜)技术起到非常重要的作用，该技术是运用软质附加电路板作封装芯片载体将芯片与软质基板电路接合的技术，目前，cof制作过程中，需要对覆晶薄膜卷材进行裁切，然而，随着现有覆晶薄膜高引脚数和更精密的金属走线布局，使得金属走线之间的间距越来越窄，使得裁切过程中极易由于残屑造成相邻两金属走线之间短路的现象。

技术实现要素：

本申请实施例提供一种覆晶薄膜，以解决现有覆晶薄膜制程中，由于金属走线过密造成裁切过程中出现短路的问题。

本申请实施例提供了一种覆晶薄膜，包括切割区及柔性基板，所述柔性基板上设有走线层，所述走线层包括若干相互平行的金属导线、及由各所述金属导线延伸到所述切割区内的多条金属子线，任一相邻两所述金属子线之间的间距均大于任一相邻两所述金属导线之间的间距。

根据本申请一优选实施例，任一相邻两所述金属子线之间靠近所述金属导线一端的间距小于远离所述金属导线一端的间距。

根据本申请一优选实施例，任一相邻两所述金属子线之间靠近所述金属导线一端的间距大于远离所述金属导线一端的间距。

根据本申请一优选实施例，任一相邻两所述金属子线之间各处的间距均相等。

根据本申请一优选实施例，任一相邻两所述金属子线之间各处的间距均大于10um。

根据本申请一优选实施例，各相邻两所述金属导线之间的距离均相等。

根据本申请一优选实施例，所述柔性基板上设有与所述走线层电性连接的集成电路。

根据本申请一优选实施例，所述集成电路设置于所述金属导线远离所述金属子线的一端，所述集成电路分别与各所述金属导线电性连接。

根据本申请一优选实施例，所述切割区的宽度为500um～1500um。

根据本申请一优选实施例，所述柔性基板的材料为聚酰亚胺。

本申请的有益效果为：本申请一种覆晶薄膜通过增加位于切割区内各金属子线之间的间距，避免了对覆晶薄膜在切割区裁切时相邻两金属子线之间由于裁切的残屑造成短路的现象，同时，不改变覆晶薄膜上没有位于切割区内走线层的线路结构，不影响裁切后进行后续绑定压合的工艺。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请实施例提供的一种覆晶薄膜的俯视图；

图2为本申请实施例提供的另一种覆晶薄膜的俯视图；

图3为本申请实施例提供的又一种覆晶薄膜的俯视图；及

图4为本申请实施例提供的一种覆晶薄膜的层级结构示意图。

具体实施方式

这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本申请的示例性实施例的目的。但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

下面结合附图和实施例对本申请作进一步说明。

如图1至图3所示，本申请实施例提供了一种覆晶薄膜，包括切割区10及柔性基板100，所述柔性基板100上设有走线层200，所述走线层200包括若干相互平行的金属导线210、及由各所述金属导线210延伸到所述切割区10内的多条金属子线220，任一相邻两所述金属子线220之间的间距均大于任一相邻两所述金属导线210之间的间距。

可以理解的是，任一相邻两所述金属子线220之间的间距均大于任一相邻两所述金属导线210之间的间距，其中，通过增大位于切割区10内各金属子线220间的间距，从而降低在所述切割区10内进行切割时由于切割残屑造成相邻金属子线220间的短路几率；显然，由于各金属子线220是由各所述金属导线210延伸引出，在各金属子线220间的间距增大的情况下，必然会使得各金属子线220的宽度变窄，此种情况也可以减少在所述切割区10内进行切割时所产生的金属残屑。

值得注意的是，通过在所述覆晶薄膜的切割区10内进行切割完成后，然后即可将切割后的覆晶薄膜直接用于绑定压合，显然，在切割区10内进行切割的过程中，不可能完全将覆晶薄膜位于所述切割区10内的部分一次完全切除，在实际生产使用过程中，对于覆晶薄膜的尺寸精度要求不高，具有较大的尺寸公差范围，所以只需在本申请所述的切割区10内完成切割即可，本申请中所述的切割区10即为裁切刀模可以裁切的区域，当然，位于切割区10的两侧即为裁切刀模可以裁切的两极限位置；具体的，所述切割区10的宽度l为500um～1500um。

显然，在满足任一相邻两所述金属子线220之间各处的间距均大于任一相邻两所述金属导线210之间的间距的条件下，所述金属子线220的形状可以任意设置，本实施例中，如图1所示，任一相邻两所述金属子线220之间靠近所述金属导线210一端的间距小于远离所述金属导线210一端的间距；或者，如图2所示，任一相邻两所述金属子线220之间靠近所述金属导线210一端的间距大于远离所述金属导线210一端的间距；在此两种情况下，可以理解的是，此时，相邻两金属子线220之间靠近所述金属导线210一端的间距与远离所述金属导线210一端的间距不相等，并且，在满足任一相邻两所述金属子线220之间各处的间距均大于任一相邻两所述金属导线210之间的间距的条件下，在相邻两金属子线220的中间段可以为任意形状(如弧型、v型等)，具体的，为便于实际生产工艺得制作，本申请中，如图1和图2所示，所述金属子线220的边呈倾斜设置，在图1中，任一相邻两所述金属子线220之间各处的间距随着离所述金属导线210越远而越大；而在图2中，任一相邻两所述金属子线220之间各处的间距随着离所述金属导线210越远而越小。

承上，如图3所示，任一相邻两所述金属子线220之间各处的间距均相等，此时各所述金属子线220相互平行设置，具体的，为便于实际的工艺制作，各相邻两所述金属子线220之间的距离均相等；显然，此时各金属子线220的线宽均小于各所述金属导线210的线宽。

本实施例中，如图4所示，所述柔性基板100上设有与所述走线层200电性连接的集成电路300；所述集成电路300设置于所述金属导线210远离所述金属子线220的一端，所述集成电路300分别与各所述金属导线210电性连接，具体的，所述柔性基板100的材料为聚酰亚胺，各相邻两所述金属导线210之间的距离均相等。

本实施例中，本申请所要解决的技术问题是，现有覆晶薄膜制程中，由于金属走线过密造成裁切过程中出现短路现象，在一具体应用中，例如，根据产品型号性能的不同，现有覆晶薄膜上相邻金属走线的间距一般在10um～15um，具体到本申请中，为使得任一相邻两所述金属子线220之间各处的间距均大于任一相邻两所述金属导线210之间的间距，根据具体情况，相邻两所述金属子线220之间各处的间距均大于10um。

可以理解的是，本申请中一种覆晶薄膜相比于现有结构而言，只存在走线层200位于切割区10内的金属子线220部分的形状不同，因此，在本申请覆晶薄膜的制作过程中，相对于现有cof的制作方法而言，只需要在柔性基板100上形成金属层后改变对金属层的刻蚀形状即可，不影响其它工艺制程，所以，适于批量生产，并且还对原有制作步骤影响较小。

综上所述，本申请一种覆晶薄膜通过增加位于切割区10内各金属子线220之间的间距，避免了对覆晶薄膜在切割区10裁切时相邻两金属子线220之间由于裁切的残屑造成短路的现象，同时，不改变覆晶薄膜上没有位于切割区10内走线层200的线路结构，不影响裁切后进行后续绑定压合的工艺。

综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。