1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成公共电极搭接线；
形成氧化物半导体材料层，所述氧化物半导体材料层与所述公共电极搭接线位于所述衬底基板的同一侧，且所述氧化物半导体材料层与至少部分所述公共电极搭接线电连接；
对所述氧化物半导体材料层进行图案化处理，形成具有多个有源层的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层在所述衬底基板上的正投影与所述公共电极搭接线在所述衬底基板的正投影至多部分重叠，且任一所述有源层与所述公共电极搭接线相互绝缘。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述氧化物半导体材料层的材料为氧化锌、氧化铟、氧化锡、铟锌氧化物、氧化锌锡、氧化铝锌、氧化钇锌、氧化铟锡锌、铟镓锌氧化物、铟铝锌氧中的一种。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法还包括：
在形成所述氧化物半导体材料层前，形成栅极层，所述栅极层与所述公共电极搭接线设于衬底基板的同一侧；
形成栅极绝缘材料层，所述栅极绝缘材料层覆盖所述栅极层和所述公共电极搭接线；
对所述栅极绝缘材料层进行图案化处理，形成具有过孔的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层，且所述过孔在所述衬底基板的正投影与所述公共电极搭接线在所述衬底基板的正投影至少部分重叠。
4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述公共电极搭接线在所述衬底基板的正投影与所述过孔在所述衬底基板的正投影重合。
5.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法还包括：
形成源漏金属层，所述源漏金属层包括与多个所述有源层一一对应电连接的多个源极、与多个所述有源层一一对应电连接的地多个漏极以及与所述公共电极搭接线电连接的辅助引线。
6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在阵列基板的外围区设置所述辅助引线。
7.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
公共电极搭接线，设于所述衬底基板的一侧；
多个氧化物薄膜晶体管，与所述公共电极搭接线设于所述衬底基板的同一侧；
其中，任一所述氧化物薄膜晶体管的有源层为通过对与所述公共电极搭接线电连接的氧化物半导体材料层进行图案化处理而获得的，且任一所述氧化物薄膜晶体管的有源层与所述公共电极搭接线相互绝缘。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物半导体材料层的材料为氧化锌、氧化铟、氧化锡、铟锌氧化物、氧化锌锡、氧化铝锌、氧化钇锌、氧化铟锡锌、铟镓锌氧化物、铟铝锌氧中的一种。
9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
栅极层，设于所述有源层与所述衬底基板之间，且包含有所述氧化物薄膜晶体管的栅极；
栅极绝缘层，设于所述栅极层与所述有源层之间，所述栅极绝缘层设置过孔，所述过孔在所述衬底基板的正投影与所述公共电极搭接线在所述衬底基板的正投影至少部分重叠；
所述阵列基板还包括：
辅助引线，设于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧，且通过所述过孔与所述公共电极搭接线电连接。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极搭接线在所述衬底基板的正投影与所述过孔在所述衬底基板的正投影重合。
11.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
辅助引线，与所述公共电极搭接线电连接，且与所述氧化物薄膜晶体管的源极设于同一表面。